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臺(tái)積電將為AMD代工制造45納米工藝芯片
臺(tái)積電CEO蔡力行(RickTsai)向分析人士表示，臺(tái)積電將在2008年為尚未公布名字的客戶制造處理器。 他說(shuō)，我們預(yù)計(jì)將于明年下半年開(kāi)始制造處理器，這一交易將對(duì)臺(tái)積電的收入做出重大貢獻(xiàn)。 蔡力行沒(méi)有披露更多細(xì)節(jié)，但表
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英特爾45納米高-k金屬柵極處理器全面無(wú)鉛化
英特爾45納米高-k金屬柵極處理器全面無(wú)鉛化
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英特爾發(fā)布晶體管技術(shù)重大突破
英特爾公司宣布在基礎(chǔ)晶體管設(shè)計(jì)方面取得了一個(gè)最重大的突破，采用兩種完全不同以往的晶體管材料來(lái)構(gòu)建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以
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IGBT的保護(hù)
通過(guò)對(duì)IGBT損壞機(jī)理的分析，根據(jù)其損壞的原因，采取相應(yīng)措施對(duì)其進(jìn)行保護(hù)，以保證其安全可靠工作。
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