
與內(nèi)存相比,NAND閃存價格在今年初就開始由漲轉(zhuǎn)跌,上半年跌幅至少50%。對于未來的NAND價格走勢,市場及分析師普遍認為還會繼續(xù)再跌11-13%。NAND閃存價格下跌,但是今天股價遭殃的反而是希捷、西數(shù),其中希捷股價暴跌7%,Evercore分析師大幅下調(diào)了希捷的目標(biāo)股價。
TMS320VC5409是TI公司推出的新一代的高性能、低價位、低功耗數(shù)字信號處理器(DSP)。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比,性能提高了60%,功耗效率提高了50%。它的應(yīng)用對象大多是要求能脫機運行的內(nèi)嵌式系統(tǒng),如機頂盒(STB)、個人數(shù)字助理(PDA)和數(shù)字無線通信等。閃爍存儲器(FLASH MEMORY)是可以在線電擦寫、掉電后信息不丟失的存儲器。FLASH與EPROM相比,具有更高的性能價格比,而且體積小、功耗低、擦寫速度快、使用比較方便。因此,采用FLASH存儲程序和固定數(shù)據(jù)是一種比較好
近日,紫光集團董事長趙偉國在重慶出席首屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(簡稱“智博會”)時表示,芯片是IT及通信產(chǎn)業(yè)的基石,同時也是智能產(chǎn)業(yè)的源頭,紫光集團不僅在移動通信、存儲、安全、AI等多個領(lǐng)域掌握極具競爭力的芯片技術(shù),并且擁有全面的云網(wǎng)基礎(chǔ)架構(gòu)產(chǎn)品,和貼近行業(yè)需求的云解決方案,以及從芯到云的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。
三十年河?xùn)|,三十年河西——說的是世事盛衰興替,變化無常。然而在全球半導(dǎo)體市場,領(lǐng)頭羊的位置卻鮮有變化。自1993年開始,英特爾一直是全球最大半導(dǎo)體廠商。直至2017年,后來居上的三星才打破了這一現(xiàn)象,成為全球最大的半導(dǎo)體廠商。
近日,紫光存儲攜8個系列的存儲產(chǎn)品向全球閃存界展示了一個全新的存儲公司及產(chǎn)品。
去年6月底,美光拋棄了雷克沙(Lexar),隨后品牌宣告破產(chǎn),而中國的公司收購了,不少玩家也都希望這個有22年歷史的(最初成立于1996年)品牌能夠重新站起來。
全球企業(yè)級存儲市場上排名前16強,其中有一半的廠商專業(yè)做存儲,心無旁騖。專業(yè)自然會更專心,專心致志往往意味著自己向前的路將變得狹窄了起來。
東芝今天公布的財報顯示,由于旗下閃存芯片業(yè)務(wù)(全球第二大NAND芯片生產(chǎn)商)對外出售交易記入9660億日元收益,該公司4至6月份季度實現(xiàn)凈利潤1.02萬億日元(約合91.6億美元),高于上年同期的503.3億日元。
據(jù)國外媒體報道,日本東芝公司周三公布的財報顯示,得益于今年早些時候?qū)⑵溟W存芯片業(yè)務(wù)以180億美元出售給美國私募股權(quán)公司貝恩資本(Bain Capital)領(lǐng)導(dǎo)的財團,這家日本公司4-6月份季度凈利潤達到創(chuàng)紀(jì)錄水平。
武漢是長江的水運中樞,如何共抓大保護,不搞大開發(fā),改變舊有發(fā)展模式,將生態(tài)理念完整內(nèi)嵌到高質(zhì)量發(fā)展的經(jīng)濟邏輯中?武漢光谷正在嘗試一條以綠色、創(chuàng)新發(fā)展為引領(lǐng)的路子。
在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司(國家存儲器基地),紫光集團聯(lián)席總裁刁石京透露,中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現(xiàn)量產(chǎn)。
3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加,預(yù)計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%,不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及,未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選。
Intel此前已經(jīng)推出QLC閃存的企業(yè)級SSD DC系列,合作伙伴美光也在企業(yè)級的5120 ION中首次使用了QLC?,F(xiàn)在,Intel的第一款QLC雙內(nèi)存消費級SSD曝光了,命名為“SSD 660p”。
英特爾最近發(fā)展挫折不斷,工藝落后,處理器被趕超,Intel真的如它的年齡一樣,開始失去了活力,失去了迸發(fā)的動力?不過畢竟英特爾在過去給世界帶來了很多優(yōu)秀的產(chǎn)品,雖然暫時遭遇一些挑戰(zhàn),不過未來誰都說不好,畢竟瘦死的駱駝比馬大,Intel的根基還在,想要重返巔峰,也是不無可能。
2018年全球電子系統(tǒng)產(chǎn)值將達到1.62萬億美元,其中半導(dǎo)體市場產(chǎn)值將達到5091億美元,也是全球半導(dǎo)體產(chǎn)值首次突破5000億美元大關(guān),同比增長14%,原因跟DRAM內(nèi)存、NAND閃存均價大幅增長有關(guān)。
示Intel已經(jīng)在開始使用3D QLC閃存生產(chǎn)他們的第一款數(shù)據(jù)中心SSD,會直接使用PCI-E接口,應(yīng)該會有PCI-E卡的版本和U.2的版本,目前還不知道這款SSD的正確名字,知確定它會是數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品中新D5系列產(chǎn)品的一部分,這也預(yù)示著Intel會采用全新的SSD命名方法。
東芝是NAND閃存的發(fā)明人,還是最早開發(fā)3D NAND閃存的,同時也是閃存芯片公司中第一個討論QLC閃存的,這點倒是不假,首次公開研發(fā)QLC閃存的廠商就是東芝,三星作為全球最大的NAND廠商在TLC閃存上先吃了螃蟹,但在QLC閃存三星倒是很低調(diào),前不久量產(chǎn)的第五代V-NAND閃存還是TLC類型的,三星只是表態(tài)稱后續(xù)會有QLC閃存及1Tb核心容量的閃存。
三星(Samsung)近日宣布正式量產(chǎn)第5代V-NAND快閃存儲器,第5代V-NAND 堆棧層數(shù)超過90層,且為首度支援Toggle DDR 4.0傳輸界面的NAND快閃存儲器,其單顆封裝的傳輸速度即可達1.4Gbps,相較于前一代64層的產(chǎn)品,傳輸速度提高了40%,并可實現(xiàn)更低的功耗及大幅減少寫入延遲。