NAND閃存架構(gòu)還要再跌11-13%，希捷、西數(shù)股價(jià)遭殃

與內(nèi)存相比，NAND閃存價(jià)格在今年初就開(kāi)始由漲轉(zhuǎn)跌，上半年跌幅至少50%。對(duì)于未來(lái)的NAND價(jià)格走勢(shì)，市場(chǎng)及分析師普遍認(rèn)為還會(huì)繼續(xù)再跌11-13%。NAND閃存價(jià)格下跌，但是今天股價(jià)遭殃的反而是希捷、西數(shù)，其中希捷股價(jià)暴跌7%，Evercore分析師大幅下調(diào)了希捷的目標(biāo)股價(jià)。

基于閃存TMS320VC5409DSP并行引導(dǎo)裝載方法

TMS320VC5409是TI公司推出的新一代的高性能、低價(jià)位、低功耗數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比，性能提高了60%，功耗效率提高了50%。它的應(yīng)用對(duì)象大多是要求能脫機(jī)運(yùn)行的內(nèi)嵌式系統(tǒng)，如機(jī)頂盒(STB)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和數(shù)字無(wú)線通信等。閃爍存儲(chǔ)器(FLASH MEMORY)是可以在線電擦寫、掉電后信息不丟失的存儲(chǔ)器。FLASH與EPROM相比，具有更高的性能價(jià)格比，而且體積小、功耗低、擦寫速度快、使用比較方便。因此，采用FLASH存儲(chǔ)程序和固定數(shù)據(jù)是一種比較好

趙偉國(guó)：紫光集團(tuán)在多個(gè)領(lǐng)域掌握極具競(jìng)爭(zhēng)力的芯片技術(shù) 具備從芯到云的全產(chǎn)業(yè)鏈能力

近日，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)在重慶出席首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(簡(jiǎn)稱“智博會(huì)”)時(shí)表示，芯片是IT及通信產(chǎn)業(yè)的基石，同時(shí)也是智能產(chǎn)業(yè)的源頭，紫光集團(tuán)不僅在移動(dòng)通信、存儲(chǔ)、安全、AI等多個(gè)領(lǐng)域掌握極具競(jìng)爭(zhēng)力的芯片技術(shù)，并且擁有全面的云網(wǎng)基礎(chǔ)架構(gòu)產(chǎn)品，和貼近行業(yè)需求的云解決方案，以及從芯到云的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。

基于FPGA的存儲(chǔ)解決方案——閃存

存儲(chǔ)市場(chǎng)助推三星逆襲成全球最大半導(dǎo)體廠商

三十年河?xùn)|，三十年河西——說(shuō)的是世事盛衰興替，變化無(wú)常。然而在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)，領(lǐng)頭羊的位置卻鮮有變化。自1993年開(kāi)始，英特爾一直是全球最大半導(dǎo)體廠商。直至2017年，后來(lái)居上的三星才打破了這一現(xiàn)象，成為全球最大的半導(dǎo)體廠商。

紫光面向全球發(fā)布紫光存儲(chǔ)全線產(chǎn)品

近日，紫光存儲(chǔ)攜8個(gè)系列的存儲(chǔ)產(chǎn)品向全球閃存界展示了一個(gè)全新的存儲(chǔ)公司及產(chǎn)品。

重振旗鼓！雷克沙低調(diào)恢復(fù)全線閃存產(chǎn)品

去年6月底，美光拋棄了雷克沙(Lexar)，隨后品牌宣告破產(chǎn)，而中國(guó)的公司收購(gòu)了，不少玩家也都希望這個(gè)有22年歷史的(最初成立于1996年)品牌能夠重新站起來(lái)。

Hitachi Vantara如何選擇自己未來(lái)之路呢?

全球企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)上排名前16強(qiáng)，其中有一半的廠商專業(yè)做存儲(chǔ)，心無(wú)旁騖。專業(yè)自然會(huì)更專心，專心致志往往意味著自己向前的路將變得狹窄了起來(lái)。

因出售閃存業(yè)務(wù) 東芝4-6月份凈利潤(rùn)91.6億美元

東芝今天公布的財(cái)報(bào)顯示，由于旗下閃存芯片業(yè)務(wù)(全球第二大NAND芯片生產(chǎn)商)對(duì)外出售交易記入9660億日元收益，該公司4至6月份季度實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)1.02萬(wàn)億日元(約合91.6億美元)，高于上年同期的503.3億日元。

東芝4-6月份凈利潤(rùn)高達(dá)91.6億美元 他是怎么做到的呢？

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本東芝公司周三公布的財(cái)報(bào)顯示，得益于今年早些時(shí)候?qū)⑵溟W存芯片業(yè)務(wù)以180億美元出售給美國(guó)私募股權(quán)公司貝恩資本(Bain Capital)領(lǐng)導(dǎo)的財(cái)團(tuán)，這家日本公司4-6月份季度凈利潤(rùn)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄水平。

采用帶閃存結(jié)構(gòu)的FPGA對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)有效管理

武漢光谷創(chuàng)新之路：自主32層3D NAND即將量產(chǎn)

武漢是長(zhǎng)江的水運(yùn)中樞，如何共抓大保護(hù)，不搞大開(kāi)發(fā)，改變舊有發(fā)展模式，將生態(tài)理念完整內(nèi)嵌到高質(zhì)量發(fā)展的經(jīng)濟(jì)邏輯中?武漢光谷正在嘗試一條以綠色、創(chuàng)新發(fā)展為引領(lǐng)的路子。

我國(guó)自主研發(fā)的32層三維NAND閃存芯片將于今年四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

在位于武漢東湖高新區(qū)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(國(guó)家存儲(chǔ)器基地)，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

NAND閃存價(jià)格還要連跌10%！大容量SSD將加速普及！

3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預(yù)計(jì)Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì)下跌10%，不用過(guò)這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來(lái)2-3內(nèi)512GB將成為主流之選。

Intel QLC閃存消費(fèi)級(jí)SSD 660p曝光

Intel此前已經(jīng)推出QLC閃存的企業(yè)級(jí)SSD DC系列，合作伙伴美光也在企業(yè)級(jí)的5120 ION中首次使用了QLC?，F(xiàn)在，Intel的第一款QLC雙內(nèi)存消費(fèi)級(jí)SSD曝光了，命名為“SSD 660p”。

英特爾50歲了！盤點(diǎn)Intel改變世界的十大創(chuàng)新產(chǎn)品

英特爾最近發(fā)展挫折不斷，工藝落后，處理器被趕超，Intel真的如它的年齡一樣，開(kāi)始失去了活力，失去了迸發(fā)的動(dòng)力？不過(guò)畢竟英特爾在過(guò)去給世界帶來(lái)了很多優(yōu)秀的產(chǎn)品，雖然暫時(shí)遭遇一些挑戰(zhàn)，不過(guò)未來(lái)誰(shuí)都說(shuō)不好，畢竟瘦死的駱駝比馬大，Intel的根基還在，想要重返巔峰，也是不無(wú)可能。

2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將首次突破5000億美元！閃存、內(nèi)存漲價(jià)居首功

2018年全球電子系統(tǒng)產(chǎn)值將達(dá)到1.62萬(wàn)億美元，其中半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值將達(dá)到5091億美元，也是全球半導(dǎo)體產(chǎn)值首次突破5000億美元大關(guān)，同比增長(zhǎng)14%，原因跟DRAM內(nèi)存、NAND閃存均價(jià)大幅增長(zhǎng)有關(guān)。

QLC閃存勢(shì)不可擋！Intel也將推出QLC SSD

示Intel已經(jīng)在開(kāi)始使用3D QLC閃存生產(chǎn)他們的第一款數(shù)據(jù)中心SSD，會(huì)直接使用PCI-E接口，應(yīng)該會(huì)有PCI-E卡的版本和U.2的版本，目前還不知道這款SSD的正確名字，知確定它會(huì)是數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品中新D5系列產(chǎn)品的一部分，這也預(yù)示著Intel會(huì)采用全新的SSD命名方法。

東芝也發(fā)布了96層QLC閃存 已開(kāi)發(fā)單芯片2.66TB的硬盤原型

東芝是NAND閃存的發(fā)明人，還是最早開(kāi)發(fā)3D NAND閃存的，同時(shí)也是閃存芯片公司中第一個(gè)討論QLC閃存的，這點(diǎn)倒是不假，首次公開(kāi)研發(fā)QLC閃存的廠商就是東芝，三星作為全球最大的NAND廠商在TLC閃存上先吃了螃蟹，但在QLC閃存三星倒是很低調(diào)，前不久量產(chǎn)的第五代V-NAND閃存還是TLC類型的，三星只是表態(tài)稱后續(xù)會(huì)有QLC閃存及1Tb核心容量的閃存。

三星宣布量產(chǎn)第5代V-NAND 全力搶占90層TLC市場(chǎng)　

三星(Samsung)近日宣布正式量產(chǎn)第5代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，第5代V-NAND 堆棧層數(shù)超過(guò)90層，且為首度支援Toggle DDR 4.0傳輸界面的NAND快閃存儲(chǔ)器，其單顆封裝的傳輸速度即可達(dá)1.4Gbps，相較于前一代64層的產(chǎn)品，傳輸速度提高了40%，并可實(shí)現(xiàn)更低的功耗及大幅減少寫入延遲。