三星(Samsung)近日宣布正式量產(chǎn)第5代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，第5代V-NAND 堆棧層數(shù)超過(guò)90層，且為首度支援Toggle DDR 4.0傳輸界面的NAND快閃存儲(chǔ)器，其單顆封裝的傳輸速度即可達(dá)1.4Gbps，相較于前一代64層的產(chǎn)品，傳輸速度提高了40%，并可實(shí)現(xiàn)更低的功耗及大幅減少寫(xiě)入延遲。

三星電子快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Kye Hyun Kyung表示，第5代V-NAND解決方案將能滿(mǎn)足快速成長(zhǎng)的高端儲(chǔ)存市場(chǎng)，此外，該公司除了宣布量產(chǎn)第5代V-NAND之外，未來(lái)也會(huì)為V-NAND陣容推出1TB和QLC(Quad-level Cell)的產(chǎn)品，這將繼續(xù)推動(dòng)下一世代的NAND儲(chǔ)存解決方案發(fā)展。

據(jù)悉，第5代V-NAND快閃存儲(chǔ)器除了采用全新Toggle DDR 4.0傳輸界面提升速率之外，也進(jìn)一步強(qiáng)化性能和功耗，其工作電壓從1.8V降至1.2V，寫(xiě)入速度也高達(dá)500us，比上一代V-NAND快閃存儲(chǔ)器提升了30%，而讀取速率的回應(yīng)時(shí)間也縮短到50us。

此外，該產(chǎn)品內(nèi)部堆棧超過(guò)90層電荷儲(chǔ)存式快閃存儲(chǔ)器(Charge Trap Flash, CTF) Cell，是目前市面堆棧層數(shù)最高的3D NAND TLC架構(gòu)快閃存儲(chǔ)器;這些儲(chǔ)存單元透過(guò)微管道孔洞連接，每個(gè)孔洞只有幾百納米寬，總計(jì)包含超過(guò)850億個(gè)CTF單元，每個(gè)單元可以?xún)?chǔ)存3位元資料。

另一方面，第5代V-NAND快閃存儲(chǔ)器也透過(guò)制程技術(shù)的改善，使制造生產(chǎn)效率提升30%，并藉由先進(jìn)制程技術(shù)，使每個(gè)快閃存儲(chǔ)器單元的高度降低20%，減少單位之間干擾的發(fā)生率，進(jìn)而提高資料處理的效率。

三星指出，該公司目前正加強(qiáng)第5代V-NAND快閃存儲(chǔ)器的量產(chǎn)進(jìn)程，以滿(mǎn)足廣泛的市場(chǎng)需求，象是高密度儲(chǔ)存領(lǐng)域，高效能運(yùn)算、企業(yè)服務(wù)器，以及行動(dòng)裝置市場(chǎng)等。