
在如今大數(shù)據(jù)時代,NAND閃存無疑是數(shù)據(jù)存儲的奠基者。不管是手機、電腦、家電還是汽車、安防等行業(yè),都少不了NAND閃存的身影,其重要性可見一斑。
據(jù)統(tǒng)計,隨著Intel閃存業(yè)務被SK海力士收購,韓國企業(yè)三星+SK海力士合計占市場份額已經(jīng)超過50%。
7月15日消息,知情人士透露,全球第二大存儲芯片制造商SK海力士考慮將2023年資本支出削減約四分之一至16萬億韓元(約合122億美元),以應對電子產(chǎn)品需求慢于預期的局面。
在國產(chǎn)化Flash閃存領域,NAND閃存的領軍當屬長江存儲,NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng)新。
2020年9月份SK海力士宣布斥資90億美元收購Intel的NAND閃存業(yè)務,并于去年底完成了第一階段的交易,接手了Intel的閃存業(yè)務,也包括位于中國大連的閃存芯片工廠。
紫光股份旗下新華三集團近期推出了“新華三全閃存數(shù)據(jù)縮減承諾”計劃,在新華三InfoSight智能管理運維平臺和智慧中樞數(shù)據(jù)平臺DSCC的智能加持下,讓數(shù)據(jù)效率承諾達到了業(yè)界史無前例的“5:1”,降低了全閃存陣列的使用門檻,讓更加“普惠”的全閃存陣列成為了更多企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的變革基石。
近日,紫光股份旗下新華三集團宣布推出“新華三全閃存數(shù)據(jù)縮減承諾”計劃,在連接智能管理運維平臺InfoSight和數(shù)據(jù)服務控制平臺DSCC的條件下,讓數(shù)據(jù)縮減的效率承諾史無前例地提升到了5:1,從而助力百行百業(yè)的存儲用戶應對數(shù)據(jù)規(guī)模的飛速增長,降低部署和使用全閃存存儲的總體成本,為行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型構(gòu)建安全高效、智能加持的數(shù)據(jù)平臺。
2020年SK海力士宣布斥資90億美元收購了Intel的閃存業(yè)務,去年底該交易正式完成第一階段收購,成立了Solidigm公司,后者現(xiàn)在推出了新一代企業(yè)級SSD產(chǎn)品P5530,這是收購之后雙方合作的第一款PCIe 4.0硬盤,使用了兩家的技術。
快閃存儲器(英語:flash memory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ鳌_@種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲,以及在計算機與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù),如儲存卡與U盤。
3月23日消息,日本存儲芯片大廠鎧俠于當?shù)貢r間周三表示,計劃與西部數(shù)據(jù)公司合作,在其位于日本北部的工廠共同建設新的NAND Flash閃存生產(chǎn)線。鎧俠在一份聲明中表示,位于巖手縣北上核電站的新抗震設施的建設計劃于2022年4月開始,預計將于2023年完工。據(jù)知情人士稱,該項目的投資可能達到1萬億日元(約527億元人民幣)左右,兩家公司計劃討論包括投資比例在內(nèi)的合資細節(jié)。
超高容量和低成本的固態(tài)硬盤(SSD)將加速機械硬盤的消亡。SSD的性能增長已經(jīng)超越了CPU的性能曲線。當然這會讓人們產(chǎn)生疑問:如何才能充分利用閃存的性能?大多數(shù)人會做的第一步是在更多系統(tǒng)中共享性能,以提高性能利用率。但是,隨著越來越多的系統(tǒng)共享硬盤,容量的需求也在增加,這就促使我們需要更大容量的硬盤。隨著高性能的NVMe共享存儲在云端和可組合基礎設施中變得越來越普遍,我們將看到對大容量和低成本SSD的需求在不斷增加——在很多情況下用來取代共享機械硬盤,因為對比機械硬盤,部署閃存能帶來更低的總體擁有成本。
據(jù)日經(jīng)新聞報道,位于日本的鎧俠、西數(shù)合資的閃存工廠已經(jīng)在周三恢復運營,此前該工廠因為材料污染事件而停止生產(chǎn)。
2月22日,兆易創(chuàng)新通過官方公眾號宣布,旗下全國產(chǎn)化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通過AEC-Q100車規(guī)級認證。
作為美光科技旗下的英睿達(Crucial),面向消費級市場,有美光這閃存巨頭在幕后做支撐,其產(chǎn)品是杠杠的,性價比也是很高的。今天我們來體驗的是英睿達新推出的MX500 4TB。
在3D閃存方面,三星之前一直是領先的,不過美光去年率先量產(chǎn)了176層堆棧的閃存,要想追趕回來,三星最快今年底能量產(chǎn)224層堆棧的閃存,性能還會提升30%。
據(jù)報道,三星在西安的閃存工廠占了三星閃存產(chǎn)能的42.3%,全球產(chǎn)能的15.3%,本次疫情或?qū)θ堑拈W存生產(chǎn)產(chǎn)生巨大的影響。
近期疫情問題牽動著全國人民的心,由于疫情防控原因,西安地區(qū)的工廠也難免受到影響,其中三星在西安投產(chǎn)的閃存工廠占全球產(chǎn)能的15%
Hynix 海力士芯片生產(chǎn)商,源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM制造商
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存的發(fā)展大家應該都比較熟悉了,它們代表了每個單元能夠存儲的比特數(shù)據(jù),密度越來越高,容量越來越大,當然可靠性、壽命越來越低。
2020年11月,內(nèi)存和存儲解決方案領先供應商Micron Technology Inc.(美光)宣布推出全球首款 176層3D NAND閃存,一舉刷新行業(yè)紀錄,實現(xiàn)了閃存產(chǎn)品密度和性能的重大提升。得益于在性能、容量、尺寸和成本上的優(yōu)勢,美光176層3D NAND閃存能夠滿足數(shù)據(jù)中心、智能邊緣平臺和移動設備等一系列應用不斷提高的存儲需求。近日,21IC邀請到美光的技術專家向讀者詳細解讀了176層 3D NAND閃存背后的技術亮點。