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臺(tái)積電發(fā)布Q3財(cái)報(bào)，凈利潤(rùn)及工藝制程進(jìn)度均向好
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，昨天全球半導(dǎo)體代工龍頭臺(tái)積電公布了Q3季度財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，營(yíng)收及利潤(rùn)均保持了環(huán)比兩位數(shù)的增長(zhǎng)，超出行業(yè)之前的預(yù)期，能在過(guò)去幾年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)萎靡的大環(huán)境下的背景之下逆勢(shì)增長(zhǎng)也說(shuō)明了臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體行業(yè)的絕對(duì)實(shí)力，同時(shí)臺(tái)積電也透露了最新的工藝進(jìn)展，比如2nm制程工藝的順利進(jìn)行。
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臺(tái)積電2nm進(jìn)度喜人:或提前至2025年量產(chǎn)
10月13日，臺(tái)積電發(fā)布了2022年Q3季度財(cái)報(bào)，合并營(yíng)收約新臺(tái)幣6131億4千萬(wàn)元，稅后純益約新臺(tái)幣2808億7千萬(wàn)元，每股盈余為新臺(tái)幣10.83元(折合美國(guó)存托憑證每單位為1.79美元)。
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AMD CEO訪問(wèn)臺(tái)積電：重點(diǎn)討論3nm、2nm等未來(lái)工藝
據(jù)資料顯示，臺(tái)積電2nm制程將采用GAAFET架構(gòu)，相比臺(tái)積電3nm，在相同功耗下速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%，應(yīng)用包含移動(dòng)計(jì)算、高性能計(jì)算及完備的小芯片整合解決方案。臺(tái)積電 2nm 進(jìn)度將領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。
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臺(tái)積電將于2024年取得ASML 新產(chǎn)品，2025年量產(chǎn)2nm
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，目前臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，3nm制程將于今年下半年量產(chǎn)，升級(jí)版3nm(N3E)制程將于2023年量產(chǎn)，2nm制程將會(huì)在預(yù)定的2025年量產(chǎn)。目前，臺(tái)積電2nm晶圓廠將座落于竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)畫(huà)用地中，竹科管理局已展開(kāi)公共設(shè)施建設(shè)，目前臺(tái)積電也已經(jīng)開(kāi)始整地作業(yè)。
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2nm工藝全球首發(fā)，F(xiàn)inFET時(shí)代終結(jié)？
9月12日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，晶圓代工廠臺(tái)積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。
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量產(chǎn)終點(diǎn)逼近，圍繞3nm節(jié)點(diǎn)，全球巨頭們的競(jìng)賽正在激烈進(jìn)行
9月5日消息，臺(tái)積電(TSMC)日前發(fā)布消息稱，將于2022年內(nèi)在大阪市設(shè)立負(fù)責(zé)研發(fā)的基地。這是在日本負(fù)責(zé)研發(fā)的TSMC Design Technology Japan公司的第二個(gè)基地，將負(fù)責(zé)技術(shù)開(kāi)發(fā)和客戶支持等工作。
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EDA技術(shù)難以被替代，臺(tái)積電2nm芯片仍將使用
前陣子，美國(guó)宣布將對(duì)EDA軟件實(shí)施出口限制。由于EDA是半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)芯片的必要工具，這將影響中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展。大多數(shù)的半導(dǎo)體公司和行業(yè)也都會(huì)受到不同程度的影響。
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臺(tái)積電聯(lián)席CEO重申：臺(tái)積電不會(huì)抄襲客戶芯片
臺(tái)積電是全球第一家專業(yè)積體電路制造服務(wù)企業(yè)，也是全球最大的芯片代加工企業(yè)。很多知名的芯片企業(yè)都會(huì)在芯片設(shè)計(jì)好后都會(huì)找他們代工。
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日本和美國(guó)計(jì)劃合作攻關(guān)2nm芯片，2nm芯片是個(gè)什么概念？
納米是計(jì)量單位，2nm是指處理器的蝕刻尺寸。簡(jiǎn)單的講，就是能夠把一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。芯片就是指肉眼能看到的長(zhǎng)滿了很多小腳的或者看不見(jiàn)腳的，很明顯的方形的那一小塊東西。
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曝臺(tái)積電3nm代工核顯模塊的計(jì)劃延期
Intel 14代酷睿Meteor Lake似乎遇到了一些問(wèn)題，導(dǎo)致原定讓臺(tái)積電3nm代工核顯模塊的計(jì)劃延期。
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臺(tái)積電再重申：2nm工藝將在2024年試產(chǎn)，2025年量產(chǎn)
今天的Q2財(cái)報(bào)會(huì)議上，臺(tái)積電除了公布當(dāng)季運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)之外，還談到了工藝進(jìn)展，確認(rèn)3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，2nm則會(huì)在2025年量產(chǎn)。
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5nm晶圓廠成本超預(yù)期 臺(tái)積電向美政府求助
2020年臺(tái)積電突然宣布將在美國(guó)建設(shè)晶圓廠，這是他們首次在海外建設(shè)先進(jìn)工藝的5nm工廠，總投資計(jì)劃高達(dá)240億美元，目前還在建設(shè)中。
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曝三星2nm工藝也有最新進(jìn)展：或3年后量產(chǎn)
近日，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺(tái)積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會(huì)量產(chǎn)。
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臺(tái)積電不再聽(tīng)美國(guó)的話，日美要聯(lián)合生產(chǎn)2nm芯片，意在臺(tái)積電？
美國(guó)和日本要搞2nm芯片，這美國(guó)不是有臺(tái)積電和三星嗎?為什么它又要去扶持日本?說(shuō)起來(lái)你可能不信，美國(guó)的這一舉動(dòng)，很可能就是針對(duì)“不聽(tīng)話”的臺(tái)積電，就像當(dāng)年扶植三星搞垮日本半導(dǎo)體企業(yè)一樣。
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“硅島”蓮花縣地震！3nm、2nm芯片穩(wěn)了？
今天，據(jù)中國(guó)地震臺(tái)網(wǎng)速報(bào)消息，中國(guó)地震臺(tái)網(wǎng)正式測(cè)定：06月20日09時(shí)05分在中國(guó)臺(tái)灣花蓮縣(北緯23.66度，東經(jīng)121.52度)發(fā)生 5.9級(jí)地震，震源深度10千米。另外，今天早間消息，為了生產(chǎn)3納米芯片，臺(tái)積電準(zhǔn)備在中國(guó)臺(tái)灣省臺(tái)南地區(qū)再建4座工廠。臺(tái)積電上周五還表示，2025年之前將會(huì)實(shí)現(xiàn)2納米芯片批量生產(chǎn)。
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2nm芯片爭(zhēng)奪戰(zhàn)，三星計(jì)劃于2025年量產(chǎn)，臺(tái)積電呢？
6月20日消息，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星電子正計(jì)劃通過(guò)在未來(lái)三年內(nèi)打造2納米GAA(Gate-all-around)工藝來(lái)追趕臺(tái)積電
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2nm來(lái)了，ASML最強(qiáng)光刻機(jī)加持，F(xiàn)inFET時(shí)代即將終結(jié)?
2nm制程全球爭(zhēng)奪戰(zhàn)升級(jí)!6月16日，臺(tái)積電首度公布2nm先進(jìn)制程，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)2025量產(chǎn)。
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ASML最新一代High-NA光刻機(jī)橫空出世！已經(jīng)獲得 5 個(gè)試點(diǎn)訂單
什么是光刻機(jī)?光刻機(jī)為什么如此重要?只有理解了這一點(diǎn)，才能更好地理解我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀。需要說(shuō)明的是，本文不是科普文，所以主要會(huì)從市場(chǎng)角度來(lái)描述光刻機(jī)。
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密度僅僅提升10%！摩爾定律工藝在晶體管密度上開(kāi)啟擠牙膏之旅
摩爾定律表明：每隔 18~24 個(gè)月，封裝在微芯片上的晶體管數(shù)量便會(huì)增加一倍，芯片的性能也會(huì)隨之翻一番。當(dāng)FinFET結(jié)構(gòu)走到了無(wú)法突破物理極限的時(shí)候，對(duì)新的晶體管技術(shù)提出了需求。
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2nm制程全球爭(zhēng)奪戰(zhàn)升級(jí)！ 2nm王冠究竟花落誰(shuí)家？
不得不說(shuō)，科技的發(fā)展真是日新月異，這點(diǎn)在手機(jī)行業(yè)上體現(xiàn)的淋漓盡致。目前手機(jī)芯片的制程已經(jīng)來(lái)到了4納米，得益于如此先進(jìn)的工藝，手機(jī)性能相比以前有了突飛猛進(jìn)的提升。
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