
就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競(jìng)爭(zhēng)之際,晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能,原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能,包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、CMOS
由于在產(chǎn)品尺寸交付時(shí)間、供應(yīng)穩(wěn)定性、產(chǎn)品可靠性、器件尺寸和性價(jià)比等多方面存在優(yōu)勢(shì),近幾年來,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)解決方案正在逐步打破石英晶體解決方案在頻率控制和定時(shí)產(chǎn)品領(lǐng)域的完全壟斷局面。隨著Silicon Labs
就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競(jìng)爭(zhēng)之際,晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能,原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能,包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、CMOS
21ic訊 RFaxis, Inc日前宣布,該公司的單刀三擲(SP3T)開關(guān)RFX333已投入量產(chǎn)。這款開關(guān)專為用于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝置的2.4GHz Wi-Fi/Bluetooth組合芯片而最佳化。RFX333采用業(yè)界最具成本效益優(yōu)勢(shì)的bulk
就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競(jìng)爭(zhēng)之際,晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能,原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能,包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、
CH5081相位比較器
ULN2003是大電流驅(qū)動(dòng)陣列,多用于單片機(jī)、智能儀表、PLC、數(shù)字量輸出卡等控制電路中??芍苯域?qū)動(dòng)繼電器等負(fù)載。輸入5VTTL電平,輸出可達(dá)500mA/50V。ULN2003是高耐壓、大電流達(dá)林頓陳列,由七個(gè)硅NPN達(dá)林頓管組成。 該電
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為旗下強(qiáng)化了的74HC、74HCT、74AHC及74AHCT CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體) 邏輯系列,新增標(biāo)準(zhǔn)的移位寄存器及譯碼器邏輯集成電路?;贒iodes最新的5V CMOS制程,這些常用的
先遭控股股東拋售,后遭公司高管遺棄,水晶光電近期可謂“命途多舛”。對(duì)此,水晶光電高管在接受記者采訪時(shí),詳細(xì)解釋了減持的原因。 股東、高管齊減持 2013年6月14日至17日,星星集團(tuán)有限公司(下稱“星星集團(tuán)”)通過
先遭控股股東拋售,后遭公司高管遺棄,水晶光電近期可謂“命途多舛”。對(duì)此,水晶光電高管在接受記者采訪時(shí),詳細(xì)解釋了減持的原因。 股東、高管齊減持 2013年6月14日至17日,星星集團(tuán)有限公司(下稱“星星集團(tuán)”)通過
混合式功率放大器04
混合式功率放大器03
混合式功率放大器02
混合式功率放大器01
一款自行車閃爍尾燈控制電路
一款簡(jiǎn)單實(shí)用的鐘聲發(fā)生器電路
Silicon Labs近日推出了其頗為滿意的一款產(chǎn)品-基于MEMS的Si50x振蕩器。其關(guān)鍵創(chuàng)新點(diǎn)在于使用Silicon Labs專利的CMEMS技術(shù),CMEMS技術(shù)是把MEMS架構(gòu)直接構(gòu)建于標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓上,從而獲完全集成的高可靠“CMOS+MEMS
CMOS/MEMS制程技術(shù)可在單一裸晶(Die)中,同時(shí)整合MEMS感測(cè)元件與訊號(hào)處理晶片,可較現(xiàn)今大多數(shù)MEMS感測(cè)器采用的系統(tǒng)封裝(SiP)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)更小尺寸且更低成本的解決方案,因而有愈來愈多半導(dǎo)體廠開始采用,且應(yīng)用產(chǎn)品已
MOS管介紹在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等因素。MOSFET管是FET的一種,可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,一般主要應(yīng)用的為增
IN8510和DAC7520組成的功率電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器