CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

最新一代CMOS和CCD圖像傳感器

　最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進(jìn)的制造工藝還實(shí)現(xiàn)了更低的成本。此外，創(chuàng)新架構(gòu)也正在給電路設(shè)計(jì)帶來(lái)更大的靈活性和通用性。　　其結(jié)果是，

工業(yè)控制
2013-01-22

CMOS CCD圖像傳感器 CMOS圖像傳感器 TIMES
臺(tái)積電估Q1營(yíng)收僅減1-3%，毛利率43.5-45.5%

臺(tái)積電(2330)今(17日)召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅表示，因市場(chǎng)對(duì)臺(tái)積產(chǎn)品的需求高于預(yù)期，去年Q4的成績(jī)超乎財(cái)測(cè)，尤其是CMOS和基頻晶片等通訊需求續(xù)強(qiáng)，成為各應(yīng)用別中唯一逆勢(shì)成長(zhǎng)者。而今年Q1 半導(dǎo)體的庫(kù)存天

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2013-01-17

通訊臺(tái)積電 EPS CMOS
CMOS型555電路內(nèi)部電路

CMOS型555電路內(nèi)部電路

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-01-11

555電路 CMOS
通訊晶片測(cè)試放緩，京元電/矽格上月?tīng)I(yíng)收降

測(cè)試廠京元電 (2449)、矽格 (6257)雙雙公布12月?tīng)I(yíng)收，時(shí)逢電子業(yè)傳統(tǒng)淡季，再加上季底通訊晶片客戶需求有放緩跡象，導(dǎo)致京元電與矽格的12月?tīng)I(yíng)收均較11月有所下滑，但都比前年同期成長(zhǎng)；累計(jì)2012全年，受惠于行動(dòng)通訊

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2013-01-08

通訊晶片測(cè)試機(jī) CMOS
中科院宣布成功開(kāi)發(fā)22nm MOSFET

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得進(jìn)展，成功制造出高K金屬閘MOSFET 。中科院指出，中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導(dǎo)工藝研發(fā)？？

消費(fèi)電子
2012-12-30

元件 MOSFET 中科院 CMOS
DI CON盛會(huì)3月登陸北京

由世界著名的Microwave Journal及其中文版《微波雜志》主辦的EDI CON(電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議)將于2013年3月12~14日首次登陸北京，在北京國(guó)際會(huì)議中心隆重舉行。 EDI CON是為開(kāi)發(fā)當(dāng)今的通信、計(jì)算、RFID、無(wú)線、導(dǎo)航、

消費(fèi)電子
2012-12-29

半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì) 高速數(shù)字設(shè)計(jì) CMOS
京元電明年資本支出增3成

測(cè)試大廠京元電子（2449）昨（24）日召開(kāi)董事會(huì)，決議明年資本支出將拉高到49.89億元，較今年的38億元增加約31％，主要將用來(lái)購(gòu)置機(jī)器設(shè)備，以及興建苗栗銅鑼科學(xué)園區(qū)新廠。京元電董事長(zhǎng)李金恭對(duì)明年景氣看法樂(lè)觀，庫(kù)

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2012-12-25

影像傳感器芯片測(cè)試驅(qū)動(dòng)IC CMOS
中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

中芯國(guó)際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，首款背照式CMOS成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國(guó)際自主開(kāi)發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶

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2012-12-24

中芯國(guó)際晶圓代工傳感技術(shù) CMOS
閱讀秘書(shū)／FinFET

3D鰭式晶體管（FinFET）是新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管技術(shù)。相較于傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過(guò)閘門(mén)，只能選擇在閘門(mén)的一側(cè)來(lái)控制，屬于平面式的結(jié)構(gòu)；3D FinFET的閘門(mén)，是類似魚(yú)鰭般的三面立體式的設(shè)計(jì)，能大

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2012-12-22

晶體管閘門(mén) FINFET CMOS
中芯國(guó)際背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)取得突破進(jìn)展

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司("中芯國(guó)際")，昨日宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，首款背照式 CMOS 成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國(guó)

工業(yè)控制
2012-12-21

中芯國(guó)際晶圓代工傳感技術(shù) CMOS
中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

上海2012年12月20日電 /美通社/ -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司( http://www.smics.com )（"中芯國(guó)際"，紐約證交所代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981），中國(guó)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路代工廠，今天宣布在背照式

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2012-12-21

中芯國(guó)際晶圓代工傳感技術(shù) CMOS
英特爾展望微細(xì)化極限和后CMOS

英特爾在“IEDM 2012”上展望了使CMOS晶體管的微細(xì)化持續(xù)至極限水平所需要的要素技術(shù)、相關(guān)課題以及后CMOS器件技術(shù)（論文編號(hào)：8.1）。要想使CMOS晶體管的微細(xì)化能夠持續(xù)發(fā)展至極限水平，抑制短溝效應(yīng)、導(dǎo)入高遷移率

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2012-12-17

英特爾 BORDER CMOS器件 CMOS
Avago推出28nm CMOS 100G以太網(wǎng)/OTN物理層產(chǎn)品

21ic訊 Avago Technologies今天宣布推出支持以太網(wǎng)和光傳送網(wǎng)(Optical Transport Networking, OTN)的新Vortex Gearbox™系列物理層(PHY)產(chǎn)品，器件采用Avago經(jīng)驗(yàn)證的28nm CMOS SerDes串行/解串器技術(shù)，符合IEE

通信技術(shù)
2012-12-13

以太網(wǎng) OTN AVAGO CMOS
東芝推出新系列CMOS多功能門(mén)邏輯集成電路

21ic訊東芝公司推出了新系列的CMOS多功能門(mén)邏輯器件，支持5V系統(tǒng)，并采用了小型封裝，適用于移動(dòng)電話、智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)和數(shù)碼攝像機(jī)等移動(dòng)設(shè)備。多功能門(mén)邏輯集成電路讓用戶能夠根據(jù)輸入信號(hào)的處理狀態(tài)

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2012-12-12

集成電路東芝封裝 CMOS
中科院微電子所在22納米CMOS技術(shù)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展

近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在22納米CMOS關(guān)鍵技術(shù)先導(dǎo)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展，在國(guó)內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進(jìn)的高K/金屬柵模塊的22納米柵長(zhǎng)MOSFET，器件性能良好，達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先

消費(fèi)電子
2012-12-11

金屬微電子中科院 CMOS
什么是三維微電子機(jī)械系統(tǒng)（3D MEMS）？

微機(jī)電 (MEMS) 技術(shù)在電子產(chǎn)品中的地位愈來(lái)愈重要，不論是在汽車、工業(yè)、醫(yī)療或軍事上需要用到此類精密的元器件，在信息、通訊和消費(fèi)性電子等大眾的市場(chǎng)，也可以看到快速增長(zhǎng)的MEMS應(yīng)用。 MEMS本質(zhì)上是一種把微型機(jī)

工業(yè)控制
2012-12-07

組件微電子機(jī)械系統(tǒng) MEMS CMOS
各廠商爭(zhēng)打組合拳助推MEMS市場(chǎng)

MEMS是將微電子和機(jī)械結(jié)合在一起的一種技術(shù)，它的出現(xiàn)已有幾十年，但其真正發(fā)展是從二十世紀(jì)九十年代開(kāi)始。而最近幾年間，MEMS的發(fā)展可用“迅猛”來(lái)形容。市場(chǎng)調(diào)研公司Yole Developpement的研究報(bào)告指出，2012年全球

消費(fèi)電子
2012-12-07

意法半導(dǎo)體三軸加速度計(jì) MEMS CMOS
解析ADC不同類型數(shù)字輸出及挑戰(zhàn) — 全方位學(xué)習(xí)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)

ADC不同類型數(shù)字輸出深解在當(dāng)今的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)領(lǐng)域，ADC制造商主要采用三類數(shù)字輸出。這三種輸出分別是：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓差分信號(hào)(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。每類輸出均基于采樣速率、分辨率、

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2012-12-06

集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器 ADC CMOS
專家觀點(diǎn)：可顯著提升行動(dòng)晶片效能的FD-SOI制程

隨著智慧型手機(jī)功能最近不斷升級(jí)演化，消費(fèi)者的期望值日益攀升；速度更快的多核心高時(shí)脈頻率CPU、令人震撼的3D圖形、高解析多媒體和高速寬頻，現(xiàn)已成為高階手機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)配置。同時(shí)，消費(fèi)者還期望手機(jī)纖薄輕盈，電池續(xù)航

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2012-12-06

晶片泄漏電流 HP CMOS
新芯投6億美元擴(kuò)產(chǎn) 將成國(guó)內(nèi)最大高端芯片基地

（楚天都市報(bào)）昨日，武漢新芯對(duì)其擴(kuò)產(chǎn)調(diào)整項(xiàng)目進(jìn)行第二次環(huán)評(píng)公示。環(huán)評(píng)書(shū)顯示，武漢新芯擬投資6.35億美元，將其12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目產(chǎn)能擴(kuò)大一倍。 2006年，湖北省、武漢市、東湖高新區(qū)三級(jí)政府出資，成立武

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2012-12-05

中芯國(guó)際芯片集成電路芯片 CMOS

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CMOS

最新一代CMOS和CCD圖像傳感器

臺(tái)積電估Q1營(yíng)收僅減1-3%，毛利率43.5-45.5%

CMOS型555電路內(nèi)部電路

通訊晶片測(cè)試放緩，京元電/矽格上月?tīng)I(yíng)收降

中科院宣布成功開(kāi)發(fā)22nm MOSFET

DI CON盛會(huì)3月登陸北京

京元電明年資本支出增3成

中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

閱讀秘書(shū)／FinFET

中芯國(guó)際背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)取得突破進(jìn)展

中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

英特爾展望微細(xì)化極限和后CMOS

Avago推出28nm CMOS 100G以太網(wǎng)/OTN物理層產(chǎn)品

東芝推出新系列CMOS多功能門(mén)邏輯集成電路

中科院微電子所在22納米CMOS技術(shù)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展

什么是三維微電子機(jī)械系統(tǒng)（3D MEMS）？

各廠商爭(zhēng)打組合拳助推MEMS市場(chǎng)

解析ADC不同類型數(shù)字輸出及挑戰(zhàn) — 全方位學(xué)習(xí)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)

專家觀點(diǎn)：可顯著提升行動(dòng)晶片效能的FD-SOI制程

新芯投6億美元擴(kuò)產(chǎn) 將成國(guó)內(nèi)最大高端芯片基地

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