
21ic訊 意法半導體、Soitec與CMP (Circuits Multi Projets®) 共同宣布,現(xiàn)在大學院校、研究實驗室和設計企業(yè)可通過CMP的硅中介服務使用意法半導體的CMOS 28納米全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)制程進行工程流片,意法
摘要在精密測量過程中,系統(tǒng)工程師們面臨的第一個挑戰(zhàn)便是如何選擇具備最佳性能的運算放大器以及安裝在其周圍的其他組件。這項工作很重要。在一些有空間限制的應用中,工程師們常常會尋求體積最小的封裝,但是這種小
德國艾爾芙特 – X-FAB Silicon Foundries,日前宣布為了MEMS的營運將在未來的三年投資5000萬美金以上在無塵室、新設備、研發(fā)與人員,這些投資也反映X-FAB意義深遠地聚焦在MEMS以因應預期中MEMS的成長。新品牌”X-FA
X-FAB Silicon Foundries近日宣布為了MEMS的營運將在未來的三年投資5000萬美金以上在無塵室、新設備、研發(fā)與人員,這些投資也反映X-FAB意義深遠地聚焦在MEMS以因應預期中MEMS的成長。新品牌”X-FAB MEMS Foundry”在
對數(shù)字頻率計數(shù)器來說,CMOS和TTL器件的連接降低了芯片總數(shù),提供1Hz解決方案將原來低于20Hz提高到50MHz。采用文中給出的10:1預定標器,將范圍擴大到大于300MHz,解決方案10Hz。
21ic訊 CMOS Sensor在汽車安全領域中越來越多不同的應用,現(xiàn)階段除了倒車攝影之外更多了許多不同功能,下圖是由Aptina 所提出的設計應用: 可分兩大項目:1. Scene Processing:應用如:1. LDW車軌偏移2. 車大燈的感應
3D鰭式晶體管(FinFET)是1種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管, 能讓芯片技術發(fā)展到10納米以下,晶圓代工業(yè)者若能擁有此技術,更能凸顯其優(yōu)勢與競爭力。 傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過閘門,只能選擇在閘門的一
RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案 RFaxis開始為智能手機和平板電腦用雙模Wi-Fi/藍牙、WLAN 11a/n/ac、無線音頻、ZigBee和智能能源/家庭自動化等市場批
RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案 RFaxis開始為智能手機和平板電腦用雙模Wi-Fi/藍牙、WLAN 11a/n/ac、無線音頻、ZigBee和智能能源/家庭自動化等市場批
RFaxis日前宣布,該公司將于2012年第四季度開始其第二代純CMOS射頻前端集成電路(RFeIC)的批量生產(chǎn)。新解決方案將服務于智能手機和平板電腦、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、無線音頻、智能能源和家庭自動化等快速發(fā)展的市場
RFaxis日前宣布,該公司將于2012年第四季度開始其第二代純CMOS射頻前端集成電路(RFeIC)的批量生產(chǎn)。新解決方案將服務于智能手機和平板電腦、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、無線音頻、智能能源和家庭自動化等快速發(fā)展的市場
21ic訊 RFaxis日前宣布,該公司將于2012年第四季度開始其第二代純CMOS射頻前端集成電路(RFeIC)的批量生產(chǎn)。新解決方案將服務于智能手機和平板電腦、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、無線音頻、智能能源和家庭自動化等快速發(fā)展
笙科電子(AMICCOM)自2005年11月作為聯(lián)笙電子的一個RF部門獨立出來之后,一直致力于專門從事CMOS制程的短距離無線通信RF芯片的研發(fā),借助管理層與技術團隊在RF領域數(shù)十年的經(jīng)驗和自有知識產(chǎn)權,該公司為客戶提供高
笙科電子(AMICCOM)自2005年11月作為聯(lián)笙電子的一個RF部門獨立出來之后,一直致力于專門從事CMOS制程的短距離無線通信RF芯片的研發(fā),借助管理層與技術團隊在RF領域數(shù)十年的經(jīng)驗和自有知識產(chǎn)權,該公司為客戶提供高
聯(lián)電6日宣布與意法半導體合作65nm CMOS影像感測器背面照度BSI技術。事實上,雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導體的前面照度式FSI制程,奠基于之前的成功經(jīng)驗,此次合作將更進一步擴展兩家公司的伙伴關
聯(lián)電6日宣布與意法半導體合作65nm CMOS影像感測器背面照度BSI技術。事實上,雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導體的前面照度式FSI制程,奠基于之前的成功經(jīng)驗,此次合作將更進一步擴展兩家公司的伙伴關
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)于SEMICON臺灣展會期間發(fā)表3D IC 技術趨勢與進展。聯(lián)電企業(yè)行銷總監(jiān)黃克勤表示,聯(lián)電克服開發(fā)初期制程問題,今年年底3D IC將進行產(chǎn)品級封裝與測試。他說明了聯(lián)電在3D IC方面的最新進展。聯(lián)電3D
CCD和CMOS是當前主要的兩項成像技術,它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景,就當前技術言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應依據(jù)適用環(huán)境和要求,合適選用CCD或CMOS技術,便能使圖像監(jiān)控達到預期的效果。另外,還可看到,
聯(lián)電 (2303)于今(6日)宣布,與意法半導體合作65 奈米 CMOS影像感測器背面照度BSI技術。事實上,雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導體的前面照度式FSI制程,奠基于之前的成功經(jīng)驗,此次合作將更進一步擴
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(6)日宣布,與意法半導體合作65奈米CMOS影像感測器背面照度BSI技術。雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導體的前面照度式FSI制程,奠基于之前的成功經(jīng)驗,此次合作將更進一步擴展