CMOS
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2013年AMD或將啟用28nm CMOS芯片制造工藝
6月19日消息，據(jù)媒體報道，AMD公司高級副總裁兼首席技術官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變
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圖像傳感器CMOS和CCD優(yōu)劣勢的對比分析
據(jù)悉，隨著數(shù)字網(wǎng)絡攝像機的發(fā)展和普及，圖像傳感器正逐漸從CCD獨大向CCD和CMOS并舉的態(tài)勢轉變。先不去探討此觀點的正確性，下面筆者先參照上文中提及的圖像傳感器技術指標，來具體比較CCD和CMOS兩者的優(yōu)劣勢。據(jù)蘇州
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OLEDoS技術的發(fā)展趨勢與應用
以CMOS制程制造具備OLED發(fā)光源，以及可看透的半透明型的雙向微型顯示器，除了應用在駕駛的導航資訊提供、軍事的追蹤目標之外，也能運用作為微型投影的應用。來自德國Fraunhofer IPMS光電微系統(tǒng)研究所，所進行的HYPOL
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IMEC探討10nm以下制程的不同 CMOS技術將持續(xù)微縮
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru
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聯(lián)電與星國微電子開發(fā)CMOS影像感測器TSV技術
聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進行應用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術開發(fā)，透過這項技術，包括智慧手機、數(shù)位相機與個人平板電腦等行動電子產(chǎn)品，里面所采用的數(shù)百萬像素影像
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IMEC探討10nm以下制程變異，CMOS技術將持續(xù)微縮
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru
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一種新型高速CMOS全差分運算放大器設計
摘要：設計了一種基于流水線模／數(shù)轉換系統(tǒng)應用的低壓高速CMOS全差分運算放大器。該運放采用了折疊式共源共柵放大結構與一種新型連續(xù)時間共模反饋電路相結合以達到高速度及較好的穩(wěn)定性。設計基于SMIC 0．25μm CM
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IMEC探討10nm以下制程變異
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru
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聯(lián)電與新加坡合作開發(fā)新一代CMOS影像感測器TSV技術
聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)與新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research，A*Star)旗下之微電子研究院(Institute of Microelectronics，IME)日前共同宣布，雙方已協(xié)議合作進行應用于背面照度式
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驅動容性負載的動態(tài)功耗分析
邏輯電路每一次跳變，都要消耗超過它正常靜態(tài)功耗之外的額外的額外功率。當以一個恒定速率循環(huán)時，動態(tài)功耗等于功耗=周期頻率*每個周期額外的功率動態(tài)功耗最常見的兩個起因是負載電容和疊加的偏置電流。圖2.2說明了驅
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IMEC探討10nm以下制程變異
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru
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聯(lián)電攜手新加坡IME開發(fā)TSV技術CMOS應用
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research)旗下微電子研究院(Institute of Microelectronics, IME)今(5)日共同宣布，雙方已協(xié)議合作進行應用于背面照度式CMOS影像感測器
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采用CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設計
D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路，對脈沖信號的寬度進行識別
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高線性度CMOS調幅電路技術介紹
引言 本文采用±5V電源，設計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路，并且實現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好
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3GHz～5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設計
超帶寬UWB(Ultra-Wideband)技術具有抗干擾能力強、傳輸速率高、帶寬極寬、功耗傳輸?shù)偷葍?yōu)勢，近年來已成為國內外的研究熱點，并在短距離傳輸、高速無線LAN和成像處理等領域得到了廣泛應用[1]。不論在傳統(tǒng)的無線接收結
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愛德萬測試與惠瑞捷聯(lián)姻后，V93000、T2000產(chǎn)品再升級
2011年，日本愛德萬測試公司以11億美元的高額交易價收購了惠瑞捷公司，這無疑是半導體測試領域的頭等大事，此次聯(lián)姻也將愛德萬測試在原本的存儲器測試領域的優(yōu)勢擴展到SoC領域，產(chǎn)品線也更加全面與多元化，更具規(guī)模與
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手機相機采用CCD和CMOS的利與弊
CCD是電荷耦合組件（ChargeCoupledDevice）的簡稱，它內部的半導體材料能把光線轉變成電荷，轉換成數(shù)字信號壓縮以后保存起來就變成我們存儲卡中的照片了，中間的過程非常復雜，在這里我們不再詳解。CCD就像傳統(tǒng)相機的
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CCD的原理解析
說到CCD的尺寸，其實是說感光器件的面積大小，這里就包括了CCD和CMOS。感光器件的面積大小，CCD/CMOS面積越大，捕獲的光子越多，感光性能越好，信噪比越低。CCD/CMOS是數(shù)碼相機用來感光成像的部件，相當于光學傳統(tǒng)相
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Rfaxis公布面向WiFi移動手持設備的CMOS射頻前端技術突破
加州歐文--(美國商業(yè)資訊)--專注于為無線連接和蜂窩移動市場提供創(chuàng)新型新一代射頻解決方案的無晶圓半導體公司RFaxis宣布發(fā)布射頻前端技術白皮書《面向移動手持設備應用的CMOS Wi-Fi射頻前端 - 第一部》(CMOS Wi-Fi R
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Rfaxis公布面向Wi-Fi移動手持設備的CMOS射頻前端技術突破
專注于為無線連接和蜂窩移動市場提供創(chuàng)新型新一代射頻解決方案的無晶圓半導體公司RFaxis今天宣布發(fā)布射頻前端技術白皮書《面向移動手持設備應用的CMOS Wi-Fi射頻前端 - 第一部》(CMOS Wi-Fi RF Front-Ends for Mobil
