
本文組借鑒國外并行光互連鏈路的經(jīng)驗,應(yīng)用一維線陣結(jié)構(gòu)的SEED智能像素,將4×4 SEED智能像素制作成1×20 (4×5,一組冗余)線陣結(jié)構(gòu),設(shè)計適合的耦合方式,利用硅片的選擇腐蝕技術(shù),制作硅基光纖定位
描述:我們設(shè)計的智能尋徑小車主要由路徑檢測、轉(zhuǎn)向控制、電機驅(qū)動、車速檢測和電擁管理等 功能模塊以及軟件控制算法組成。小車以飛思卡爾公司的16位單片機MC9S12DG128B 為 核心控制器,根據(jù)黑色與白色反射率的不同.
現(xiàn)在,多款智能手機都采用了索尼的背照式CMOS圖像傳感器“ExmorR”。能夠以約為過去2倍的感光度及低噪聲拍攝高畫質(zhì)圖像,黃色框內(nèi)側(cè)為像素區(qū)域,其外側(cè)的黑色部分是配置電路的區(qū)域 索尼CMOS圖像傳感器被廣泛用于專
現(xiàn)在,多款智能手機都采用了索尼的背照式CMOS圖像傳感器“ExmorR”。能夠以約為過去2倍的感光度及低噪聲拍攝高畫質(zhì)圖像,黃色框內(nèi)側(cè)為像素區(qū)域,其外側(cè)的黑色部分是配置電路的區(qū)域 索尼CMOS圖像傳感器被廣泛用于專
全景攝像機發(fā)展至今已有十年有余,而真正的推廣卻是從近兩年才開始的。因其高昂的價格、復(fù)雜的圖像處理技術(shù)以及圖像校正后的低分辨率等因素的限制,全景攝像機并沒能像其他普通攝像機那樣進入大眾的生活,而是主要定
在用高于常見的電源電壓(如24V)設(shè)計邏輯電路時,可以結(jié)合使用標準邏輯系列與一只穩(wěn)壓器,通過電平轉(zhuǎn)換器做接口。另外,如果邏輯并不太復(fù)雜,速度也不是非常高,可以用分立元件建立門控電路,直接用當前電壓運行。分立
開機自檢時出現(xiàn)問題后會出現(xiàn)各種各樣的英文短句,短句中包含了非常重要的信息,讀懂這些信息可以自己解決一些小問題,可是這些英文難倒了一部分朋友,下面是一些常見的BIOS短句的解釋,大家可以參考一下。1.CMOS bat
關(guān)鍵字:CMOS LDO 限流功率半導(dǎo)體開發(fā)越來越趨向在器件支持的功能集中增添新的功能,從而提升電路設(shè)計靈活性。低壓降(LDO)穩(wěn)壓器的功能可增加的關(guān)鍵領(lǐng)域就是支持外部控制限
一、前言:早期的模擬開關(guān)大多工作于±20V 的電源電壓,導(dǎo)通電阻為幾百歐姆,主要用于模擬信號與數(shù)字控制的接口,近幾年,集成模擬開關(guān)的性能有了很大的提高,它們可工作在非常低的電源電壓,具有較低的導(dǎo)通電
世界晶圓代工業(yè)進入21世紀以來盡管有所起伏,但自2010年達到約300億美元的規(guī)模以后,將邁向連年上升的態(tài)勢,2011年增長6.4%,近320億美元,預(yù)計今年將加速成長15%,達約365億美元,并期望2018年可成長到630億美元,2
世界晶圓代工業(yè)進入21世紀以來盡管有所起伏,但自2010年達到約300億美元的規(guī)模以后,將邁向連年上升的態(tài)勢,2011年增長6.4%,近320億美元,預(yù)計今年將加速成長15%,達約365億美元,并期望2018年可成長到630億美元,2
十種方法:解決電腦出現(xiàn)的無法啟動故障
可植入、可消化、可互動、可互操作以及支持因特網(wǎng),這些醫(yī)療設(shè)備現(xiàn)在及未來獨特的需求都要求合適的IC工藝技術(shù)與封裝。本文將對醫(yī)療半導(dǎo)體器件采用的雙極性(bipolar)與CMOS工藝進行比較,并將對需要重點注意的部分封裝
如今主板的集成度越來越高,維修主板的難度也越來越大,往往需要借助專門的數(shù)字檢測設(shè)備才能完成。不過,有些主板常見故障并不需要專門的檢測設(shè)備,你自己即可動手解決,下面是一些最典型的主板故障維修實例,希望大
高清網(wǎng)絡(luò)高速球是在傳統(tǒng)模擬高速球的基礎(chǔ)上發(fā)展而來,在其基礎(chǔ)上,增加高清一體化機芯、視音頻編碼模塊、網(wǎng)絡(luò)接入模塊,即可構(gòu)成一個基本的網(wǎng)絡(luò)型高速球,實現(xiàn)高清影音數(shù)據(jù)和控制數(shù)據(jù)通過網(wǎng)絡(luò)這一介質(zhì)進行可靠傳輸。
基于單片機CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器引言汽車電子化程度現(xiàn)已成為國際衡量汽車先進水平的重要標準,也正是由于這個原因推動和刺激當前汽車電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展,各國都競相發(fā)展,不斷應(yīng)用高新技術(shù),提高汽車電氣化性能
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC),可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù),領(lǐng)先其競爭對手一步。盡管十年前,臺積電是最初發(fā)起FinFET構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM簽署的授權(quán)協(xié)議,最快在2014年
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC),可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù),領(lǐng)先其競爭對手一步。 盡管十年前,臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議,最快
主板常見故障分析及維修24例
3 仿真分析及具體設(shè)計結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計中,一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下:主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用,一般T=RC被設(shè)計為100ns-1000ns之間,而