拚FinFET聯(lián)電可能搶先臺(tái)積電
[導(dǎo)讀]在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起FinFET構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在2014年
在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。
盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起FinFET構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在2014年下半年便可采用20nmFinFET量產(chǎn)，這要比臺(tái)積電最新披露的時(shí)程提早一年。
聯(lián)電取得的FinFET授權(quán)是在矽晶圓上制造，而不是在絕緣層上覆矽(SOI)晶圓上，據(jù)一位發(fā)言人表示。這將使聯(lián)電能更快地引進(jìn)技術(shù)，并使用運(yùn)行20nm塊狀CMOS制程來(lái)量產(chǎn)。若能確保鰭已經(jīng)具備良好的矩形截面定義，就能更顯著地展現(xiàn)出性能的差異化，同時(shí)，未來(lái)在SOI晶圓上生產(chǎn)FinFET時(shí)也能進(jìn)一步改善漏電流性能。
在聯(lián)電第二季法說(shuō)會(huì)中，當(dāng)被問(wèn)到聯(lián)電準(zhǔn)備在2014年推出20nmFinFET時(shí)，聯(lián)電CEO孫世偉并沒(méi)有反駁。他接著表示，聯(lián)電的首次FinFET元件將以和20nm平面CMOS相同的20nm后段制程為基礎(chǔ)。他表示，許多公司都采取相同做法，但有些人將之定義為16或14nm制程。他進(jìn)一步指出，這實(shí)際上只是行銷手法罷了。
臺(tái)積電最近表示，其首個(gè)FinFET制程將會(huì)搭配16nm節(jié)點(diǎn)，而且可能會(huì)在2015年下半年量產(chǎn)。不過(guò)，臺(tái)積電也會(huì)在20nm后段制程中使用FinFET，因此，該公司的FinFET時(shí)程表可能還會(huì)有變數(shù)。
盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起FinFET構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在2014年下半年便可采用20nmFinFET量產(chǎn)，這要比臺(tái)積電最新披露的時(shí)程提早一年。
聯(lián)電取得的FinFET授權(quán)是在矽晶圓上制造，而不是在絕緣層上覆矽(SOI)晶圓上，據(jù)一位發(fā)言人表示。這將使聯(lián)電能更快地引進(jìn)技術(shù)，并使用運(yùn)行20nm塊狀CMOS制程來(lái)量產(chǎn)。若能確保鰭已經(jīng)具備良好的矩形截面定義，就能更顯著地展現(xiàn)出性能的差異化，同時(shí)，未來(lái)在SOI晶圓上生產(chǎn)FinFET時(shí)也能進(jìn)一步改善漏電流性能。
在聯(lián)電第二季法說(shuō)會(huì)中，當(dāng)被問(wèn)到聯(lián)電準(zhǔn)備在2014年推出20nmFinFET時(shí)，聯(lián)電CEO孫世偉并沒(méi)有反駁。他接著表示，聯(lián)電的首次FinFET元件將以和20nm平面CMOS相同的20nm后段制程為基礎(chǔ)。他表示，許多公司都采取相同做法，但有些人將之定義為16或14nm制程。他進(jìn)一步指出，這實(shí)際上只是行銷手法罷了。
臺(tái)積電最近表示，其首個(gè)FinFET制程將會(huì)搭配16nm節(jié)點(diǎn)，而且可能會(huì)在2015年下半年量產(chǎn)。不過(guò)，臺(tái)積電也會(huì)在20nm后段制程中使用FinFET，因此，該公司的FinFET時(shí)程表可能還會(huì)有變數(shù)。
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