DRAM

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華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)

2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺系DRAM廠忙著搶錢擴大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計再募資超過新臺幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計2010年資本支出上看450億元，與同為臺塑集團的南亞科合計資

電子設(shè)計自動化
2009-12-31

DRAM 晶圓廠 DDR3 Windows
力成毛利率可望提升

美國封裝專利業(yè)者Tessera控告國內(nèi)外DRAM業(yè)者侵權(quán)案，美國國際貿(mào)易委員會（ITC）終判Tessera敗訴，原本有付Tessera權(quán)利金的封測廠力成科技（6239）指出，若未來不需要再繳交權(quán)利金予Tessera，力成代工價格將更具優(yōu)勢，

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2009-12-31

TE SE TC DRAM
海力士調(diào)高資本支出規(guī)模逼近華亞科

國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息，韓國大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出，預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元，相當于12.7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一調(diào)高

消費電子
2009-12-30

半導(dǎo)體三星海力士 DRAM
DDR3注定要奪取DRAM王座

2009年即將結(jié)束，DDR2作為DRAM市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它

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2009-12-30

制造工藝 ISUPPLI DRAM DDR3
海力士調(diào)高資本支出規(guī)模逼近華亞科

國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息，韓國大廠海力士（Hynix）宣布調(diào)高2010年資本支出，預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1。5兆韓元，相當于12。7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一

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2009-12-30

半導(dǎo)體三星海力士 DRAM
臺灣當局續(xù)推DRAM再造研擬產(chǎn)業(yè)再生立法

臺灣“經(jīng)濟部長”施顏祥29日表示，若“立法院”三讀通過否決“國發(fā)基金”投資DRAM再造，“經(jīng)濟部”已研擬三個替代方案，包括由民間資金投資、橫向整合、參考日本產(chǎn)業(yè)再生法，建立法制基礎(chǔ)，繼續(xù)推動DRAM產(chǎn)業(yè)的再造。

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2009-12-30

DRAM
DRAM內(nèi)存芯片2010年將嚴重缺貨廠商受益

由于消費者需求增長，以及企業(yè)進入PC更換周期，2010年下半年DRAM內(nèi)存將嚴重缺貨。 2009年，DRAM芯片價格在大部分時間內(nèi)都呈增長趨勢，因為受經(jīng)濟低迷影響許多廠商都削減了產(chǎn)量，只是在剛剛過去的兩個月內(nèi)趨于穩(wěn)定。

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2009-12-30

內(nèi)存芯片 PC EXCHANGE DRAM
基于當代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計

1、引言當代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的帶寬，本文就如何設(shè)計一種符合當代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲器控制器進行研究。本文第二部分介紹當代D

工業(yè)控制
2009-12-29

存儲器 BSP 控制器設(shè)計 DRAM
NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)

根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均

智能硬件
2009-12-29

閃存芯片 NAND閃存 GB DRAM
硅晶圓漲崇越臺勝科樂

半導(dǎo)體硅晶圓價格「漲」聲響起，崇越（5434）已順勢調(diào)高售價一成，明年第一季再漲5%，持續(xù)推升獲利；臺勝科（3532）產(chǎn)線沖上滿載，朝轉(zhuǎn)盈之路邁進，明年第一季跟進漲價，對明年前三季市況看法樂觀。全球前兩大半導(dǎo)

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2009-12-29

半導(dǎo)體晶圓代工硅晶圓 DRAM
2010年下半年存儲器芯片供給料出現(xiàn)短缺

行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦存儲芯片或?qū)⒃诿髂晗掳肽瓿霈F(xiàn)供應(yīng)不足，因消費者需求升溫，且公司將開始進行推遲了的電腦更新工作。 DRAMeXchange周四預(yù)計，明年個人電腦出貨量將增長13%，其中筆記本增長22。5%至

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2009-12-28

電腦存儲器芯片 EXCHANGE DRAM
三星成臺灣科技業(yè)公敵前十大科技公司均拼不過

臺灣《商業(yè)周刊》日前撰文稱，三星像糖果也像毒藥，從來沒有一刻像今日，它能夠全面影響臺灣的電子科技股，讓張忠謀、郭臺銘與施崇棠等人，都必須找出一套抗星策略。臺灣前十大科技公司拼不過一家三星電子，三星已成

電子設(shè)計自動化
2009-12-28

索尼三星英特爾 DRAM
DDR3將成主流，后段封測廠設(shè)備將跟著升級

全球最大美國消費性電子展CES即將在明年1月7日到10日登場，芯片龍頭廠英特爾將在展中推出新架構(gòu)Nehalem、Westmere、以筆記計算機為主的Atom系列的處理器及芯片組，并全面支持DDR3，將推升DDR3成為明年度主流產(chǎn)品。由

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2009-12-26

封裝測試機 DRAM DDR3
2010年下半年內(nèi)存芯片將會嚴重短缺

據(jù)國外媒體報道，行業(yè)跟蹤公司DRAMeXchange認為，隨著消費者需要更多的容量和企業(yè)開始更換電腦，計算機內(nèi)存芯片在明年下半年將可能會短缺。由于受到經(jīng)濟衰退影響，內(nèi)存芯片廠商減少生產(chǎn)能力和資本開支，引起內(nèi)存芯

消費電子
2009-12-25

內(nèi)存芯片 BSP EXCHANGE DRAM
海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-KapKim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010

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2009-12-25

海力士 NANDFLASH FLASH芯片 DRAM
DRAMeXchange：2010年下半年存儲器芯片供給料出現(xiàn)短缺

行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦存儲芯片或?qū)⒃诿髂晗掳肽瓿霈F(xiàn)供應(yīng)不足，因消費者需求升溫，且公司將開始進行推遲了的電腦更新工作。 DRAMeXchange周四預(yù)計，明年個人電腦出貨量將增長13%，其中筆記本增長22。5%至

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2009-12-25

電腦存儲器芯片 EXCHANGE DRAM
2010年下半年內(nèi)存芯片將會嚴重短缺

據(jù)國外媒體報道，行業(yè)跟蹤公司DRAMeXchange認為，隨著消費者需要更多的容量和企業(yè)開始更換電腦，計算機內(nèi)存芯片在明年下半年將可能會短缺。由于受到經(jīng)濟衰退影響，內(nèi)存芯片廠商減少生產(chǎn)能力和資本開支，引起內(nèi)存芯

智能硬件
2009-12-25

芯片廠商內(nèi)存芯片 EXCHANGE DRAM
DDR3時代來臨封測受惠最大

英特爾將在明年初美國消費性電子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組，可望推動DDR3在明年登上市場主流位置。國內(nèi)外DRAM廠主流產(chǎn)品線已由70奈米DDR2快速轉(zhuǎn)進50奈米DDR3，隨

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2009-12-25

處理器封裝 DRAM DDR3
京元電、硅格爆發(fā)力強

看好明年封測景氣回溫，京元電明年營收有機會挑戰(zhàn)歷史新高。圖為京元電董事長李金恭。記者何易霖／攝影二線封測廠接單熱，京元電（2449）第三季轉(zhuǎn)盈后，本季業(yè)績持續(xù)向上，明年營收將挑戰(zhàn)2007年的歷史新高

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2009-12-25

芯片晶圓代工 MSC DRAM
2010年DRAM制造商資本支出將猛增80%

據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測，2010年DRAM制造商資本支出總額將達到78.5億美元，較2009年的43億美元增長80%。雖然增長迅猛，但較2007年的214億美元還是有一定差距?！　?011年和2012年全球DRAM制造商資本支出預(yù)算將達到100億

智能硬件
2009-12-24

EXCHANGE DRAM

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DRAM

華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)

力成毛利率可望提升

海力士調(diào)高資本支出規(guī)模逼近華亞科

DDR3注定要奪取DRAM王座

海力士調(diào)高資本支出規(guī)模逼近華亞科

臺灣當局續(xù)推DRAM再造研擬產(chǎn)業(yè)再生立法

DRAM內(nèi)存芯片2010年將嚴重缺貨廠商受益

基于當代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計

NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)

硅晶圓漲崇越臺勝科樂

2010年下半年存儲器芯片供給料出現(xiàn)短缺

三星成臺灣科技業(yè)公敵前十大科技公司均拼不過

DDR3將成主流，后段封測廠設(shè)備將跟著升級

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2010年下半年內(nèi)存芯片將會嚴重短缺

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