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內(nèi)存瘋閃存噴 存儲業(yè)界漲勢深度分析
9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已
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DRAM價格再攻新高點！ 力晶想為瑞晶贖身
日系DRAM制造大廠爾必達(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導權(quán)，讓瑞晶成為名符其實的日系公司，惟存儲器業(yè)者透露，當初力晶因為債務問題，將瑞晶持股賣給爾必達時，設下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回
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DRAM價格再攻新高點 力晶想為瑞晶贖身
日系DRAM制造大廠爾必達(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導權(quán)，讓瑞晶成為名符其實的日系公司，惟存儲器業(yè)者透露，當初力晶因為債務問題，將瑞晶持股賣給爾必達時，設下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回
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新技術(shù)導入 封測角色更吃重
趁著DRAM價格直線飆漲之際，全球DRAM廠已展開50奈米微縮大作戰(zhàn)，新制程與過去相較最大的不同，就是DRAM將首度導入浸潤式微影（immersion lithography）及銅制程導線（copper interconnect）等兩大新技術(shù)。 由于技
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爭議不斷的TMC政策是該檢討了
在金融海嘯、全球經(jīng)濟不景氣期間，由劉內(nèi)閣所推出的半導體業(yè)整并計劃，最近又出現(xiàn)了新的變化。由于當局規(guī)劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達合作，引起美商美光公司不悅，狀告美國參議員，聲言這是不公平競爭，將要求美
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茂德努力與爾必達、臺灣創(chuàng)新內(nèi)存合作
美林證券最新出爐的報告，茂德股價慘跌，技術(shù)遲遲沒有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來制作 1GB，采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(Elpida) 65納米的技術(shù)，但是這項協(xié)議還在洽談之中，目前
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宣明智：TIMC營運計畫不變 朝利基型市場挺進
TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注，然美光(Micron)透過美國政府和WTO施壓，引發(fā)外界認為TIMC投資爾必達 (Elpida)的計畫是否會生變?宣明智5日認為，此事與TIMC成立規(guī)畫和投資爾必達的計畫之間沒有關(guān)連性，不明
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爾必達的臺灣子公司9月季度扭虧為盈
日本PC 存儲芯片企業(yè)爾必達存儲公司(TYO:6665) 表示，因動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格上揚，其下屬的生產(chǎn)公司臺灣瑞晶電子公司已在7-9月扭虧為盈。預計瑞晶本季度的凈利潤將達到近10億日元，這是瑞晶五個季度以來第一
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溫度自適應性DRAM刷新時鐘電路
動態(tài)存儲器(DRAM)需要通過刷新來保持內(nèi)部的數(shù)據(jù)。為降低存儲器刷新過程的電路功耗，設計一種具有溫度自適應特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閾值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結(jié)構(gòu)，提出一種具有溫度自適應特性的刷新時鐘電路，使存儲器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢符合動態(tài)存儲器的刷新要求。仿真實驗結(jié)果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時刷新的前提下，有效地降低了其刷新過程中的功耗。
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制程差距擴大 臺灣DRAM廠隱憂
臺灣DRAM大廠南科（2408）宣布8億股現(xiàn)金增資計劃，預計籌措100億元以上資金，全數(shù)投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現(xiàn)貨價格已站上每顆2美元，時間點來得比預期早，國內(nèi)DRAM廠暫時度過最艱困的時刻，但三星半
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三星半導體部門第3季營業(yè)利益重回1兆韓元
三星電子(Samsung Electronics)半導體部門可望再創(chuàng)2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關(guān)業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。
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IC資本支出依然謹慎 供應收緊價格上漲
分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應收緊，價格可能隨之上漲，但可能會發(fā)生其他不可預料的結(jié)果。IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)
