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TrendForce集邦咨詢： 漲價效應帶動2025年第四季度 DRAM產業(yè)營收成長達29.4%
Feb. 26, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，由于AI應用由LLM模型訓練延伸至推理，推動CSPs業(yè)者的數(shù)據(jù)中心建置重心由AI Server延伸至General Server，進一步推動存儲器采購重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各類容量的RDIMM，積極釋出追加訂單，帶動Conventional DRAM的合約價大幅上漲，2025年第四季DRAM產業(yè)營收為535.8億美元，較上季度增加29.4%。
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TrendForce集邦咨詢: 2026年第一季度存儲器價格全面上漲，各類產品季增幅度將創(chuàng)歷史新高
Feb. 2, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲器產業(yè)調查，2026年第一季AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)加劇全球存儲器供需失衡，原廠議價能力有增無減，TrendForce集邦咨詢據(jù)此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產品價格季成長幅度，預估整體Conventional DRAM合約價將從一月初公布的季增55-60%，改為上漲90-95%，NAND Flash合約價則從季增33-38%上調至55-60%，并且不排除仍有進一步上修空間。
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人均64萬元！內存巨頭發(fā)放巨額年終獎
1月20日消息，全球內存瘋漲讓原廠賺得盆滿缽滿，紛紛給員工發(fā)放豐厚的年終獎。
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TrendForce集邦咨詢: AI運算架構升級推升存儲器市場產值有望于2027年再創(chuàng)高峰，預估年增率超過50%
Jan. 22, 2026 ---- 根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新研究，AI的創(chuàng)新帶來市場結構性變化，數(shù)據(jù)的存取量持續(xù)擴大，除了依賴高帶寬、大容量且低延遲的DRAM產品配置，以支撐大型模型參數(shù)存取、長序列推理與多任務并行運作之外，NAND Flash也是高速數(shù)據(jù)流動的關鍵基礎元件，因此存儲器已成為AI基礎架構中不可或缺的關鍵資源，更成為CSP的兵家必爭之地。在有限的產能之下必須達成更多的分配，帶動報價不斷上漲，連帶使得整體存儲器產業(yè)產值逐年創(chuàng)高，預估2026年達5,516億美元，2027年則將再創(chuàng)高峰達8,427億美元，年增53%。
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溢價太離譜！三星新一代筆記本直接漲價超3300元
1月20日消息，即便玩家們已經對2026年的電子產品普漲有了心理準備，但三星最新給出的定價策略依然讓人完全意想不到。
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TrendForce集邦咨詢: 美光收購力積電銅鑼晶圓廠，2027年全球DRAM供給或將上修
Jan. 19, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新DRAM產業(yè)調查，隨著Micron(美光科技)計劃以18億美元收購PSMC(力積電)在銅鑼的廠房(不含生產相關機器設備)，雙方將建立長期的DRAM先進封裝代工關系，此次合作將有利于Micron增添先進制程DRAM產能，并提升PSMC的成熟制程DRAM供應，預估2027年全球DRAM產業(yè)供給將有上修空間。
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Cadence 采用下一代低功耗 DRAM 和 Microsoft RAIDDR ECC 技術，為人工智能應用提供企業(yè)級可靠性
業(yè)界首款專為數(shù)據(jù)中心設計、采用 RAIDDR ECC 算法的 LPDDR5X IP 系統(tǒng)解決方案
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TrendForce集邦咨詢: 原廠產能傾向Server應用，2026年第一季度各類存儲器產品價格全面持續(xù)上漲
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉移先進制程、新產能至Server、HBM應用，以滿足AI Server需求，導致其他市場供給嚴重緊縮，預估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價將季增55-60%。NAND Flash則因原廠控管產能，和Server強勁拉貨排擠其他應用，預計各類產品合約價持續(xù)上漲33-38%。
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首款2nm芯片三星Exynos 2600沒有集成5G基帶：需要單獨外掛
12月23日消息，三星在本月推出了Exynos 2600，這是全球首款2nm手機芯片。不過三星做出了一個頗為反常的舉動—未在Exynos 2600中集成5G基帶，此舉可能是為了簡化應用處理器的制造流程。
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SRAM與DRAM的區(qū)別
在計算機和電子設備中，內存是數(shù)據(jù)存儲與訪問的核心組件，直接影響系統(tǒng)性能與效率。SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)和DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)作為兩種主流內存技術，各自占據(jù)獨特生態(tài)位。
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TrendForce集邦咨詢: DDR5高獲利放大產能排擠效應，2026年HBM3e定價動能同步轉強
Dec. 18, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，近期因存儲器市況呈現(xiàn)供不應求，帶動一般型DRAM(Conventional DRAM)價格急速攀升，盡管HBM3e受惠于GPU、ASIC訂單同步上修，價格也隨之走揚，但是預期未來一年HBM3e和DDR5的平均銷售價格(ASP)差距仍將明顯收斂。
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三星晶圓代工市場份額跌破7% 積極與AMD洽談2nm訂單
12月16日消息，據(jù)TrendForce最新調查，臺積電第三季度全球晶圓代工市占率攀升至71%的歷史新高，進一步鞏固了其行業(yè)霸主地位;而三星電子市占率則下降0.5個百分點至6.8%，位列第二，雙方差距持續(xù)擴大。
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TrendForce集邦咨詢: 預計2026年第一季度存儲器漲勢持續(xù)強勁，智能手機、筆電品牌啟動價格上修與規(guī)格降級
Dec. 11, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，由于預期2026年第一季存儲器價格將顯著上漲，全球終端產品面臨艱巨的成本考驗，智能手機、筆電產業(yè)上修產品價格、調降規(guī)格，銷量展望再度下修已難避免，資源優(yōu)勢將向少數(shù)龍頭品牌高度集中。
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三星、SK海力士、美光聯(lián)手放縱內存漲價！
12月4日消息，剛剛，美光又往內存漲價的“傷口”上狠狠撒了一把鹽。
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華邦電子推出先進 16nm 制程 8Gb DDR4 DRAM 專為工業(yè)與嵌入式應用而生
2025年12月3日，中國蘇州 — 全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產品采用華邦自有先進 16nm 制程技術，提供更高速度、更低功耗及更具成本效益的解決方案，適用于電視、服務器、網通設備、工業(yè)計算機及嵌入式應用等多元市場。
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三星、SK海力士拒絕擴大內存產量：賺錢優(yōu)先
12月2日消息，面對內存瘋狂漲價的局面，全球前兩大存儲巨頭三星、SK海力士卻拒絕擴大產量，而是以盈利考慮優(yōu)先。
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三星電子整合HBM技術路線 核心團隊并入DRAM開發(fā)體系
11月28日消息，據(jù)媒體報道，三星電子近期對其高帶寬存儲器(HBM)開發(fā)團隊進行了組織調整，撤銷原隸屬于半導體業(yè)務DS部門下的HBM開發(fā)團隊，相關人員整體并入DRAM開發(fā)室。這一變動引發(fā)市場對三星HBM業(yè)務推進節(jié)奏與內部協(xié)同效率的關注。
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TrendForce集邦咨詢: 2025年第三季度DRAM產業(yè)營收季增30.9%，達414億美元
Nov. 26, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合約價上漲、出貨量季增，且HBM出貨規(guī)模擴張，推升DRAM產業(yè)營收較前一季成長30.9%，達414億美元。
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市占率達34.8%！三星第三季度DRAM銷量重奪市場第一
11月20日消息，據(jù)媒體報道，三星電子于今年第三季度成功重返全球DRAM市場銷售額第一的位置，主要受益于高帶寬內存(HBM)出貨量的顯著增長以及通用DRAM產品價格的持續(xù)上漲，推動其銷售額創(chuàng)下歷史新高。
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內存價格瘋狂上漲！三星DDR5-5600 16GB三個月漲超300%
11月18日消息，隨著全球DRAM價格持續(xù)飆升，普通用戶不得不以高出往常兩倍的價格購買內存，不過三星大本營韓國的DIY市場漲幅則更為驚人。
