-
臺塑美光另組DRAM陣營 三強鼎立TMC困頓腹背受敵
DRAM整并計劃出現(xiàn)戲劇化發(fā)展，臺塑集團宣布，美光將全面移轉技術給臺塑集團旗下的華亞科、南亞科兩家DRAM廠，并公開表示不加入臺灣內存公司（TMC）。 美光和臺塑集團聯(lián)姻，徹底打亂了“經濟部”成立TMC，意圖整并國
-
PC、DRAM廠合約價僵持10周 DRAM廠背負巨額虧損展開反擊
4月上旬DRAM合約價再度持平，這已是DRAM合約價連續(xù)10周幾乎是紋風不動，近期DRAM廠和PCOEM大廠拉鋸戰(zhàn)升溫至最高點，由于全球DRAM價格持續(xù)低于現(xiàn)金成本，以全球每1季DDR2產出18億顆、每顆平均成本1.8~1.9美元計算，過
-
DRAM合約價 韓廠帶頭喊漲
韓國DRAM廠三星、海力士傳出擬調漲4月DRAM合約價，臺灣南科日前表示，近期減產效應明顯出現(xiàn)，加上市場需求大幅增加，已向客戶端提出希望4月上旬合約價調漲15%到20%，實際調漲多少還未定。海力士傳出調漲DRAM合約價10
-
美光CEO：美光沒有加入TMC的理由
受到芯片價格下滑影響，美國存儲器大廠美光科技本會計年度第二季財報，出現(xiàn)連9季虧損，但虧損幅度已縮小。針對近期沸沸揚揚的加盟TMC傳言，美光執(zhí)行長Steve Appleton日前直言，目前看不出有加入TMC的理由，他強調TMC
-
美光公司因其DRAM和NAND閃存技術創(chuàng)新獲半導體Insight獎
美光科技股份有限公司宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內領先的DRAM和NAND創(chuàng)新作為其第八屆Insight年度大獎的獲勝者。美光公司的32Gb、34納米的NAND閃存獲得“最具創(chuàng)新性工藝技術”獎，其1Gb、50納米
-
美光CEO：美光沒有加入TMC的理由
受到芯片價格下滑影響，美國存儲器大廠美光科技本會計年度第二季財報，出現(xiàn)連9季虧損，但虧損幅度已縮小。針對近期沸沸揚揚的加盟TMC傳言，美光執(zhí)行長Steve Appleton日前直言，目前看不出有加入TMC的理由，他強調TMC
-
臺積電資本支出解凍 耗資50億新臺幣采購設備
由于臺積電包括手機、無線、繪圖與FPGA(Field Programmable Gate Array)等4大主要芯片客戶，全數(shù)增加第2季訂單量，使得臺積電凍結已久的設備采購規(guī)畫，終于在近日解凍！臺積電近期大手筆耗資逾新臺幣50億元，向設備原
-
2009年DRAM市場位成長率下修至2.43%
全球DRAM產業(yè)歷經了長達兩年的景氣寒冬，大部分的DRAM廠面臨了現(xiàn)金吃緊與短期負債償還的問題，在現(xiàn)金壓力之下，集邦科技預估由于部份DRAM廠商直到年底產能率用率都將維持低于50%，因此2009年的位成長率將僅只有2.43%
-
三星預計存儲芯片供應將短缺
三星電子預期全球存儲芯片市場經過去年大幅減產後，將出現(xiàn)供應短缺。這呼應了認為這個受創(chuàng)產業(yè)不久將出現(xiàn)反轉的部份產業(yè)觀察家看法。三星存儲行銷業(yè)務美國副總裁艾利奧特(Jim Elliott)表示，他預期NAND快閃存儲(閃存
-
三星電子開始供貨采用50nm工藝制造的2Gbit DDR3方式DRAM模塊
韓國三星電子宣布，已經開始供貨配備了采用50nm工藝技術的DDR3方式2Gbit DRAM的DRAM模塊。共備有16GB的RIMM(Registered Inline Memory Module)和8GB的RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)等18款產品。主要面
-
海力士預言：DRAM廠四家將出局
南韓海力士半導體公司(Hynix)執(zhí)行長金鐘甲說，拜全球積極減產之賜，DRAM產業(yè)下半年可望好轉，但不認為第三季會出現(xiàn)缺貨情況，并預言年底前將有三至四家業(yè)者“出局”。金鐘甲26日在股東大會上說，海力士今年某一季將轉
-
臺灣力晶稱全球DRAM第三季起將供不應求
3月25日晚間消息，臺灣力晶半導體周三表示，在行業(yè)減產的情況下，全球庫存將在6月消化殆盡，預估第三季起將供不應求，而價格在第二季會慢慢回升。 力晶董事長黃崇仁在記者會中表示，2008年全球動態(tài)隨機存取記憶體(DR
