根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)所發(fā)表的最新內(nèi)存市場報告指出,上周DRAM現(xiàn)貨報價受到三星停電事件影響而短暫走高,但后續(xù)追價力道不強,使得部份庫存較多的分銷商反手殺出手中的庫存。集邦表示,DDR2 eTT報價在上周五(1
美國加州圣克拉拉市和韓國利川——2007年8月13日——Z-RAM® 高密度存儲知識產(chǎn)權(IP)開發(fā)商Innovative Silicon Inc(ISi),與海力士(Hynix)半導體有限公司(韓國證券期貨交易所:HynixSemi)今日宣布:海力士已經(jīng)
SEMI發(fā)布預測認為,盡管內(nèi)存價格急劇下跌,但今后對300mm晶圓生產(chǎn)設施的投資仍將持續(xù)。08年底,全球300mm晶圓的生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍。SEMI認為,產(chǎn)能擴大的原因是增加了25家新開工的300mm晶圓半導體工廠。
主要DRAM內(nèi)存芯片供應商Q2收入大幅下降
芯片市場低迷造成07半導體設備市場難有起色
全球內(nèi)存芯片廠商第二季度財報慘淡