ICInsight認(rèn)為,作為拉動(dòng)DRAM需求的主要?jiǎng)恿Φ拇笠?guī)模數(shù)據(jù)中心服務(wù)器出貨量已經(jīng)開始緩解,同時(shí)PC市場(chǎng)的疲軟和貿(mào)易戰(zhàn)的不確定因素,將會(huì)使得DRAM市場(chǎng)在2019陷入停滯甚至衰退,他們初步預(yù)測(cè)其將會(huì)縮減1%。
NAND Flash方面,威剛認(rèn)為,在價(jià)格及新技術(shù)逐步成熟驅(qū)動(dòng)下,預(yù)期2019年SSD市場(chǎng)滲透率及使用容量都將大幅提升。
對(duì)于存儲(chǔ)器價(jià)格的看法,陳慶文表示,下半年NAND Flash價(jià)格開始轉(zhuǎn)跌,緊接著DRAM現(xiàn)貨價(jià)也開始下跌,進(jìn)入第四季度之后,DRAM合約價(jià)也跟進(jìn)下跌,拖累DRAM模組跌幅擴(kuò)大,明年兩大存儲(chǔ)器產(chǎn)品跌勢(shì)難擋,DRAM價(jià)格恐將下跌30%,NAND Flash跌幅將較DRAM更為擴(kuò)大。
MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經(jīng)開始,一直持續(xù)到現(xiàn)在,正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。與此形成鮮明對(duì)比的是,前一段時(shí)間不斷漲價(jià)的DRAM開始走下坡路了!據(jù)集邦咨詢的最新報(bào)告,第四季DRAM合約價(jià)二次下修,2019年第一季跌幅持續(xù)擴(kuò)大。
韓國(guó)智庫(kù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)研究院(KERI)創(chuàng)新成長(zhǎng)部負(fù)責(zé)人Lee Sang-ho說:“如果芯片出口崩潰,韓國(guó)經(jīng)濟(jì)將遭受重創(chuàng)?!彼硎具@種情況不一定會(huì)發(fā)生,但認(rèn)為隨著經(jīng)濟(jì)對(duì)半導(dǎo)體出口的依賴加深,這凸顯出尋求替代成長(zhǎng)引擎的迫切。
受到價(jià)格停滯的影響外,三星客戶的投資也開始趨緩,這讓三星開始調(diào)整第四季的位元成長(zhǎng)率(Bit Growth)預(yù)期值,最壞的可能是把DRAM的預(yù)期值調(diào)整為0%。
全球頂級(jí)資產(chǎn)管理公司已出清三星的持股,但仍看好半導(dǎo)體行業(yè),只是轉(zhuǎn)投臺(tái)積電的股票。
此前有報(bào)道稱10月份DRAM內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格終于降價(jià)了,4GB及8GB內(nèi)存模組降幅約為10%,預(yù)計(jì)2019年還會(huì)再降20%,內(nèi)存市場(chǎng)將迎來拐點(diǎn)。不過今年Q4季度即便內(nèi)存降價(jià),前三個(gè)季度的內(nèi)存依然是上漲,所
歷經(jīng)9個(gè)季度的價(jià)格走揚(yáng),DRAM價(jià)格今年第4季起開始反轉(zhuǎn)走跌,結(jié)束產(chǎn)業(yè)的上升循環(huán)。展望明年,南亞科、華邦電與威剛均看好新應(yīng)用將會(huì)持續(xù)推升DRAM需求動(dòng)能,對(duì)明年產(chǎn)業(yè)發(fā)展并未太過悲觀看待,且南亞科與威剛認(rèn)為,明年DRAM價(jià)格將持穩(wěn)緩跌,華邦電則點(diǎn)出未來2、3季為觀察產(chǎn)業(yè)后市的關(guān)鍵時(shí)期。
DRAM和NAND芯片的平均售價(jià)(ASP)將在今年第四季度持續(xù)下跌。該公司還預(yù)計(jì),2019年這兩類產(chǎn)品的平均售價(jià)與今年相比,也將會(huì)有大幅下降。
中芯國(guó)際日前發(fā)出警語(yǔ),指出行業(yè)的復(fù)蘇期預(yù)計(jì)要到 2019 年第 2 季,暗示目前行業(yè)正在“過冬期”,然而公司從上到下仍是積極拼業(yè)績(jī)、搶訂單,從 CO-CEO 趙海軍在 11 月初身體力行親自赴臺(tái)灣拜訪 IC 設(shè)計(jì)客戶,展現(xiàn)積極決心!
SK海力士15日發(fā)布二代10納米16Gb DDR5的DRAM,成為全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)當(dāng)中第一家開發(fā)出適用DDR5規(guī)格的DRAM,并預(yù)計(jì)從2020年正式投入量產(chǎn)。
DDR5是繼DDR4的之后,新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,應(yīng)用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機(jī)器學(xué)習(xí)上,擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%,數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。
對(duì)于內(nèi)存的價(jià)格走勢(shì),創(chuàng)見公司董事長(zhǎng)Peter Shu也在采訪中提到DRAM內(nèi)存與NAND閃存一樣出現(xiàn)了供過于求的局面,未來一年價(jià)格還要繼續(xù)下滑。此外,他還提到中國(guó)大陸的內(nèi)存創(chuàng)業(yè)公司在未來兩三年內(nèi)不太可能在全球DRAM市場(chǎng)占據(jù)一席之地,不過NAND廠商在2019-2020年間可望成為行業(yè)的一部分。
聯(lián)華電子表示,聯(lián)華電子的DRAM技術(shù)基礎(chǔ)里的元件設(shè)計(jì),是完全不同于美光公司的設(shè)計(jì)。簡(jiǎn)而言之,聯(lián)華電子開發(fā)的記憶胞架構(gòu)是3x2布局的儲(chǔ)存單元,這與美光公司的2x3布局的儲(chǔ)存單元是完全不同的。這和美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象相反。
美國(guó)商務(wù)部周一發(fā)布命令禁止美國(guó)公司向中國(guó)芯片制造商福建金華集成電路有限公司出售設(shè)備、軟件和材料,稱該公司對(duì)美國(guó)國(guó)家安全構(gòu)成威脅。商務(wù)部表示,福建金華集成電路即將在中國(guó)南方城市福建的DRAM工廠接近完工
消息,昨天,美國(guó)商務(wù)部以威脅美國(guó)國(guó)家安全為由宣布制裁中國(guó)福建晉華集成電路有限公司,美國(guó)公司被禁止向后者出售軟件、技術(shù)及產(chǎn)品。根據(jù)中國(guó)制造2025計(jì)劃,中國(guó)政府計(jì)劃發(fā)展生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體的能力,福建晉華(J