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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點(diǎn)燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí)，往次世代10奈米級(jí)DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制

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2014-03-18

DRAM 三星 SK海力士三星電子
世界先進(jìn)買新廠，2季后貢獻(xiàn)業(yè)績

世界先進(jìn)(5347)已確定買下南科8寸晶圓廠，將可以加快擴(kuò)充總產(chǎn)能，初期每年約可增加40萬片晶圓產(chǎn)能，估計(jì)約2季時(shí)間轉(zhuǎn)換制程后，便可開始貢獻(xiàn)業(yè)績。世界先進(jìn)現(xiàn)有月產(chǎn)能13.9萬片規(guī)模，本季持續(xù)滿載。為快速擴(kuò)產(chǎn)，世

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2014-03-18

元件晶圓廠超高壓 DRAM
三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM

三星電子日前宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī)，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制。NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管構(gòu)

消費(fèi)電子
2014-03-13

GB DDR3 DRAM 三星電子
三星量產(chǎn)最先進(jìn)20nm 4Gb DDR3 DRAM

作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī)，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制

消費(fèi)電子
2014-03-13

GB DDR3 DRAM 三星
韓國積極引導(dǎo)半導(dǎo)體發(fā)展

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成壟斷局勢(shì)，市場集中度極高。三星和現(xiàn)代兩家公司主導(dǎo)了韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存部門中，三星電子占24.5%，現(xiàn)代占7.4%，而在DRAM方面則是三星電子占了32.2%，現(xiàn)代占12.8%。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品構(gòu)成

半導(dǎo)體
2014-03-10

半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 超大規(guī)模集成電路 DRAM
韓國積極引導(dǎo)半導(dǎo)體發(fā)展

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成壟斷局勢(shì)，市場集中度極高。三星和現(xiàn)代兩家公司主導(dǎo)了韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存部門中，三星電子占24.5%，現(xiàn)代占7.4%，而在DRAM方面則是三星電子占了32.2%，現(xiàn)代占12.8%。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品構(gòu)成

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2014-03-07

半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 超大規(guī)模集成電路 DRAM
傳高端LPDDR DRAM開始缺貨

3月5日消息，業(yè)內(nèi)知名爆料人士“手機(jī)晶片達(dá)人”在今天的微博上透露，雖然還處于淡季，但高端LPDDR DRAM開始缺貨。 “手機(jī)晶片達(dá)人”預(yù)測，今年需求旺季來臨時(shí)，內(nèi)存的供應(yīng)量將更不容樂觀。LPDDR(Low Power Double Da

消費(fèi)電子
2014-03-07

內(nèi)存 DDR PD DRAM
力成：3月起稼動(dòng)率看9成，今年?duì)I運(yùn)料逐季增

IC封測力成(6239)董事長蔡篤恭(見附圖)指出，今年1、2月間力成因工作天數(shù)較短，營運(yùn)偏淡，惟與Tessera的授權(quán)合約終止訴訟塵埃落定，力成將可全力沖刺業(yè)務(wù)，不僅要重返DRAM封測領(lǐng)域，包括邏輯IC、NAND Flash與晶圓凸塊

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2014-02-28

SSD NAND TE DRAM
記憶體市場翻身　封測廠華東否極泰來

記憶體專業(yè)封測廠華東科技總經(jīng)理于鴻祺指出，記憶體歷經(jīng)前幾年的大洗牌后市況大翻身，從2013年開始，無論是標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或特殊型如Mobile DRAM均呈現(xiàn)價(jià)揚(yáng)走勢(shì)，而NAND Flash的需求也穩(wěn)健成長，預(yù)估2014年對(duì)華東將是否極

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2014-02-24

NAND MOBILE DRAM
內(nèi)存市場翻身迎來機(jī)遇封測廠華東否極泰來

記憶體專業(yè)封測廠華東科技總經(jīng)理于鴻祺指出，內(nèi)存歷經(jīng)前幾年的大洗牌后市況大翻身，從2013年開始，無論是標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或特殊型如MobileDRAM均呈現(xiàn)價(jià)揚(yáng)走勢(shì)，而NANDFlash的需求也穩(wěn)健成長，預(yù)估2014年對(duì)華東將是否極泰來

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-02-24

內(nèi)存市場 MOBILE DRAM
LED業(yè)持續(xù)擴(kuò)張外資看好上游晶粒廠

隨著LED照明需求快速成長，瑞信證券出具最新研究報(bào)告表示，其看好LED這一波產(chǎn)業(yè)成長景況與DRAM業(yè)于1990~1995年隨PC滲透率拉升所推動(dòng)的榮景現(xiàn)象相似，即LED業(yè)目前正進(jìn)入擴(kuò)張期，而這個(gè)階段中將可見到LED產(chǎn)業(yè)

顯示光電
2014-02-22

LED LED照明 LED產(chǎn)業(yè) DRAM
應(yīng)用材料公司發(fā)布2014財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告

2014年2月12日，加州圣克拉拉——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)制造解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司于今日公布了截止于2014年1月26日的2014財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。2014財(cái)年第一季度，應(yīng)用材料公司的總訂單

半導(dǎo)體
2014-02-20

半導(dǎo)體應(yīng)用材料公司平板顯示 DRAM
應(yīng)用材料公司發(fā)布2014財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)制造解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司于今日公布了截止于2014年1月26日的2014財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。2014財(cái)年第一季度，應(yīng)用材料公司的總訂單額為22.9億美元，較去年第四季度增

消費(fèi)電子
2014-02-18

半導(dǎo)體應(yīng)用材料公司平板顯示 DRAM
三星25納米DRAM量產(chǎn) 4Q13的4GB均價(jià)高到34美元

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，

消費(fèi)電子
2014-02-18

4G GB DRAM 三星
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，

半導(dǎo)體
2014-02-17

內(nèi)存 DRAM 三星 SK海力士
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，

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2014-02-14

內(nèi)存 DRAM 三星 SK海力士
Intel重操舊業(yè)：晶體管級(jí)別看其eDRAM緩存

可能很多同學(xué)不知道，Intel成立初期不是做微處理器的，而是主營SRAM、DRAM等存儲(chǔ)芯片，只不過后來受到日本廠商的沖擊，才果斷轉(zhuǎn)型，成就了一番霸業(yè)。不過，Intel現(xiàn)在又有點(diǎn)重操舊業(yè)的架勢(shì)，Haswell處理器中有部分集成

智能硬件
2014-02-12

晶體管 Intel 電容 DRAM
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價(jià)勁揚(yáng)，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，

消費(fèi)電子
2014-02-12

內(nèi)存 DRAM 三星 SK海力士
金價(jià)走勢(shì) 牽動(dòng)封測廠毛利

國際金價(jià)走勢(shì)止跌反彈，牽動(dòng)第1季封測臺(tái)廠包括日月光、矽品和南茂等毛利率。截至1月17日，金價(jià)已連4周周線收紅，成為去年9月以來最長波段漲勢(shì)。跡象顯示實(shí)質(zhì)需求轉(zhuǎn)強(qiáng)，金價(jià)自去年12月31日的每盎司1182.27美元的6

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2014-02-03

存儲(chǔ)器 Flash SEMI DRAM
三星重新挑戰(zhàn)處理器市場將推三大“武器”

三星電子2013年在移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)市場發(fā)展受挫，為重新進(jìn)行挑戰(zhàn)，目前正積極集中事業(yè)力量。三星2013年初野心勃勃推出了Exynos5OCTA8核心行動(dòng)應(yīng)用處理器，因性能不夠完全，且不支援長期演進(jìn)技術(shù)升級(jí)版(LTE-A)等，未

半導(dǎo)體
2014-01-27

處理器 GB DRAM 三星

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DRAM

20納米DRAM制程戰(zhàn)火點(diǎn)燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

世界先進(jìn)買新廠，2季后貢獻(xiàn)業(yè)績

三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM

三星量產(chǎn)最先進(jìn)20nm 4Gb DDR3 DRAM

韓國積極引導(dǎo)半導(dǎo)體發(fā)展

韓國積極引導(dǎo)半導(dǎo)體發(fā)展

傳高端LPDDR DRAM開始缺貨

力成：3月起稼動(dòng)率看9成，今年?duì)I運(yùn)料逐季增

記憶體市場翻身　封測廠華東否極泰來

內(nèi)存市場翻身迎來機(jī)遇封測廠華東否極泰來

LED業(yè)持續(xù)擴(kuò)張外資看好上游晶粒廠

應(yīng)用材料公司發(fā)布2014財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告

應(yīng)用材料公司發(fā)布2014財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告

三星25納米DRAM量產(chǎn) 4Q13的4GB均價(jià)高到34美元

4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

Intel重操舊業(yè)：晶體管級(jí)別看其eDRAM緩存

4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚(yáng)，連創(chuàng)5季新高

金價(jià)走勢(shì) 牽動(dòng)封測廠毛利

三星重新挑戰(zhàn)處理器市場將推三大“武器”

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