HOLTEK新推出BH67F2493阻抗與電化學(xué)MCU

Holtek持續(xù)優(yōu)化提升產(chǎn)品發(fā)展，新推出BH67F2493阻抗與電化學(xué)Flash MCU，具備高度集成、高精準(zhǔn)度、低噪聲等特點，相較于前代BH67F2476，最低工作電壓降低至1.8V，并提高程序ROM / EEPROM儲存容量，適用于血糖儀、二合一血糖血壓機、血紅素測試儀等產(chǎn)品。

EEPROM的基本概念

EEPROM是一種非易失性存儲器，允許通過電子方式擦除和重寫數(shù)據(jù)，而無需外部紫外線或高壓電源。

EEPROM 40周年：以廣受歡迎和久經(jīng)驗證的技術(shù)，持續(xù)滿足開發(fā)者的存儲需求

EEPROM是一項成熟的非易失性存儲(NVM)技術(shù)，其特性對當(dāng)今的尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體(ST)是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一，其連接安全產(chǎn)品部綜合市場業(yè)務(wù)線總監(jiān) Sylvain Fidelis在本文中介紹了NVM技術(shù)的核心優(yōu)勢，以及讓EEPROM成為當(dāng)前和未來工程師的首選存儲器的關(guān)鍵因素。

EEPROM：電可擦寫只讀存儲器的工作原理與技術(shù)解析(下)

EEPROM：電可擦寫只讀存儲器的工作原理與技術(shù)解析(上)

新系列串口EEPROM內(nèi)置唯一ID碼，適合設(shè)備識別、溯源和可持續(xù)性應(yīng)用

EEPROM 在電池耗完電的情況下，存儲的數(shù)據(jù)會不會丟失

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)憑借其獨特的存儲特性，被廣泛應(yīng)用于各類需要非易失性數(shù)據(jù)存儲的場景。從智能電表、工業(yè)控制系統(tǒng)到消費電子產(chǎn)品，EEPROM 承擔(dān)著存儲關(guān)鍵配置信息、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)以及用戶個性化設(shè)置等重要任務(wù)。然而，當(dāng)設(shè)備面臨電池耗完電的情況時，EEPROM 中存儲的數(shù)據(jù)是否會丟失，成為了眾多工程師、設(shè)備制造商以及用戶關(guān)心的焦點問題。要解答這一疑問，需深入了解 EEPROM 的工作原理、存儲機制以及在斷電情況下的行為表現(xiàn)。

多次讀取Flash/EEPROM：對壽命的影響及深入解析

在嵌入式系統(tǒng)和存儲設(shè)備領(lǐng)域，F(xiàn)lash和EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）因其非易失性存儲特性而被廣泛應(yīng)用。這些存儲設(shè)備能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)，對于需要長期保存配置參數(shù)、程序代碼或用戶數(shù)據(jù)的應(yīng)用來說至關(guān)重要。然而，關(guān)于多次讀取這些存儲器是否會影響其壽命的問題，一直困擾著許多開發(fā)者。本文將深入探討多次讀取Flash/EEPROM對壽命的影響，以及背后的技術(shù)原理。

MSPM0單片機在指定Flash地址開辟模擬EEPROM

在嵌入式系統(tǒng)中，諸如變頻器和伺服驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用，乃至CD播放器等眾多消費電子產(chǎn)品，都需要保存最近的用戶設(shè)置，在下次上電后加載使用。如果使用MCU內(nèi)置Flash，一般擦寫次數(shù)限制在10k次，無法滿足壽命和耐久性要求，所以只能通過外置EEPROM實現(xiàn)。

S32DS上帶有FreeRTOS的仿真EEPROM不工作的解決方案

在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中，EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)常用于存儲需要持久保存的數(shù)據(jù)。然而，當(dāng)在S32DS(一款常用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的集成開發(fā)環(huán)境)上結(jié)合FreeRTOS(一個實時操作系統(tǒng))進(jìn)行開發(fā)時，可能會遇到仿真EEPROM不工作的問題。本文將針對這一問題進(jìn)行詳細(xì)分析，并提供相應(yīng)的解決方案。

意法半導(dǎo)體非易失性存儲器取得突破，率先在業(yè)界推出串行頁EEPROM

2022 年 6 月 30 日，中國—— 依托在串行EEPROM技術(shù)領(lǐng)域的積累和沉淀，意法半導(dǎo)體率先業(yè)界推出了串行頁EEPROM (Serial Page EEPROM)。這款全新類別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨步業(yè)界，前所未有。意法半導(dǎo)體新的串行頁EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當(dāng)?shù)臅r候增加16Mbit 和 8Mbit 產(chǎn)品。

存儲器的分類及其介紹

單片機的存儲器可分為程序存儲器（ROM）和數(shù)據(jù)存儲器（RAM）。

EEPROM和flash這樣講，早就懂了！

▼點擊下方名片，關(guān)注公眾號▼存儲器分為兩大類：RAM和ROM。RAM就不講了，主要討論ROM。ROM最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了PROM，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類文明不斷進(jìn)步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每...

基于Modbus協(xié)議的線性霍爾傳感器編程器設(shè)計

摘要：英飛凌公司推出的TLE4997是一款全新的可編程線性霍爾傳感器。該傳感器經(jīng)過專門設(shè)計，可滿足需要精確角度和位置檢測的汽車級產(chǎn)品的苛刻要求。文中簡要介紹了該傳感器的主要特性，然后論述了其編程方法，最后給出了該傳感器編程器的軟硬件設(shè)計方案。

EEPROM數(shù)據(jù)丟失的原因與對策

單片機在掉電時，電壓低過一定的值。執(zhí)行程序代碼出錯或是程序指針跑飛。剛好執(zhí)行EEPORM 寫入操作，才會出現(xiàn)所說的EEPROM 數(shù)據(jù)丟失!就算是外置EEPROM 在低于正常工作電壓，進(jìn)行寫入操作，也會出現(xiàn)這種情況!

EEPROM和Flash，一對好兄弟

存儲器分為兩大類： ram 和 rom ，r am就不講了，主要討論rom。

EEPROM和FLASH，NAND FLASH和NOR FLASH有什么區(qū)別？

EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的ROM來講的。但是今天已經(jīng)存在多種EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。

如何看EEPROM芯片手冊（以AT24CXX為例）

今天給小伙伴們整理了USB接口的類型，帶圖片說明，好辨識！

3.5ms超高速寫入、支持125℃工作的EEPROM“BR24H-5AC系列”

~電子設(shè)備出廠前的初始數(shù)據(jù)寫入時間可減少30%~

基于MSP430顱內(nèi)出血檢測設(shè)備的研制策略

P430顱內(nèi)出血檢測設(shè)備的研制策略 1 引言 在中國有許多因創(chuàng)傷性顱腦損傷的患者急需搶救，但相當(dāng)一部分顱內(nèi)出血患者因未能及時診斷，延誤了搶救和治療時機．因而出現(xiàn)腦血腫或腦疝后壓