全世界幾乎所有政府都在嘗試控制他們國家生產(chǎn)的電子產(chǎn)品產(chǎn)生的有害電磁干擾(EMI)(見圖1)。為了向用戶提供一定的保護和安全等級,政府都會制訂涉及電子產(chǎn)品設(shè)計的非常特殊的
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)的EMIF02-01OABRY是一款擁有高集成度的汽車BroadR-Reach®接口EMI噪聲抑制解決方案。這款EMI低帶通濾波器(low-pass filter)具有15kV符合ISO 10605標(biāo)準(zhǔn)的電涌保護功
什么是EMI?和EMS與EMC有什么區(qū)別?在電氣干擾領(lǐng)域有許多英文縮寫。這里所提EMI(Electro Magnetic Interference)直譯是電磁干擾。這是合成詞,我們應(yīng)該分別考慮“電磁&
目前對于許多流行的手機而言,手機的彩色LCD、OLED顯示屏或相機模塊CMOS傳感器等部件,都是通過柔性電路或長走線PCB與基帶控制器相連的,這些連接線會受到由天線輻射出的寄
在過去的一個世紀(jì)里,指紋識別已經(jīng)被運用到各個領(lǐng)域里,但其主要依賴于物理圖像的識別。近日,《Analytical Chemistry》期刊上的一篇研究報告指出,指紋所透露出的信息遠(yuǎn)比你想象的多,這其中包括氨基酸,可以通過它
目前,處理器性能的主要衡量指標(biāo)是時鐘頻率。絕大多數(shù)的集成電路 (IC) 設(shè)計都基于同步架構(gòu),而同步架構(gòu)都采用全球一致的時鐘。這種架構(gòu)非常普及,許多人認(rèn)為它也是數(shù)字電路
DSP技術(shù)在目前的芯片研發(fā)過程中得到了廣泛應(yīng)用,在之前的文章中,我們曾經(jīng)就DSP在EMIF接口中的應(yīng)用進行過簡要分析和探討。今天我們將會接著上一次的討論結(jié)果,來看一下DSP
是德科技公司(NYSE:KEYS)日前推出一款具有業(yè)界最高數(shù)據(jù)速率狀態(tài)模式(高達(dá) 4 Gb/s)、最高定時模式(10 GHz)和最深存儲深度(高達(dá) 400 MB)的邏輯分析儀模塊。是德科技還推出兩款 W4640A 系列 DDR4 BGA 內(nèi)插器,此內(nèi)插器
是德科技公司日前宣布推出專為符合標(biāo)準(zhǔn)的 MXE EMI 接收機設(shè)計的實時頻譜分析(RTSA)選件。通過添加 RTSA 到 MXE 接收機,測試實驗室可以對在電磁兼容性(EMC)一致性和預(yù)先一致性測試中的寬帶瞬態(tài)信號進行觀察和故障診
有媒體日前曝光了一張ARM移動處理器架構(gòu)路線圖的偷拍照,當(dāng)中包含了一個強大的處理器核心系列,代號Artemis,由10nm工藝制作。和目前最尖端的14nm芯片工藝相比,10nm預(yù)計會帶來更大幅度的能耗和能效比提升。搭載10nm
丹麥研究人員發(fā)現(xiàn),綠松色和藍(lán)色LED光療對于減緩嬰兒高膽紅素血癥(Hyperbilirubinemia,俗稱黃疸)同樣有效,這個發(fā)現(xiàn)最近刊于《Nature》期刊上。奧爾堡大學(xué)附設(shè)醫(yī)院(Aalbor
開關(guān)電源是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件并綜合電力變換技術(shù)、電子電磁技術(shù)、自動控制技術(shù)等的電力電子產(chǎn)品。因其具有功耗小、效率高、體積小、重量輕、工作穩(wěn)定、安全可靠以及穩(wěn)
開關(guān)電源是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件并綜合電力變換技術(shù)、電子電磁技術(shù)、自動控制技術(shù)等的電力電子產(chǎn)品。因其具有功耗小、效率高、體積小、重量輕、工作穩(wěn)定、安全可靠以及穩(wěn)
三菱在四年前曾經(jīng)展示過一款Tron電動概念車,不過在這四年里,似乎一直都沒有什么進一步的消息。而現(xiàn)在經(jīng)過多年的努力,三菱近日終于對外展示了旗下第三代的Emirai電動概念
全世界幾乎所有政府都在嘗試控制他們國家生產(chǎn)的電子產(chǎn)品產(chǎn)生的有害電磁干擾(EMI)(見圖1)。為了向用戶提供一定的保護和安全等級,政府都會制訂涉及電子產(chǎn)品設(shè)計的非常特殊的
一、引言MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損
摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點,提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。關(guān)鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3一
典型的精密運算放大(運放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講,用戶可能期望千兆赫水平的RF信號衰減到非常低的水平,因為它們遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了放大器的帶寬范圍。然而,實際情況并非如此。
隨著信號上升沿時間的減小及信號頻率的提高,電子產(chǎn)品的EMI問題越來越受到電子工程師的關(guān)注,幾乎60%的EMI問題都可以通過高速PCB來解決。以下是九大規(guī)則:規(guī)則一:高速信號走線屏蔽規(guī)則 在高速的PCB設(shè)計中,時鐘等關(guān)
和正壓版本 Cuk 轉(zhuǎn)換器都有相像的地方,正壓版本 Cuk 轉(zhuǎn)換器也具備低輸入和低輸出紋波。整合的升壓-降壓電感器 (或耦合電感器) 的總體尺寸與降壓-升壓模式單電感器類似。輸入紋波與 SEPIC 類似,但是輸出紋波小得多。電感器尺寸與 SEPIC 相同,但采用了單而不是雙開關(guān)節(jié)點 (熱環(huán)路更小),而且降低了復(fù)雜性,因為兩個繞組之間沒有耦合電容器。輸入和輸出紋波類似于 Cuk 轉(zhuǎn)換器的低輸入和低輸出紋波 (負(fù)輸出),但是繞組之間仍然沒有耦合電容器,而且最重要的是,無需以負(fù)壓為基準(zhǔn)的電路反饋架構(gòu)。正壓升壓-