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緊追臺積電格羅方德推14奈米結(jié)合20奈米LPM

不讓臺積電(2330-TW)(TSM-US)專美于前。GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)今(21)日宣布推出專為成長快速的行動市場所設(shè)計的新技術(shù)14nm-XM，加速其頂尖的發(fā)展藍(lán)圖并采優(yōu)化新世代行動裝置的FinFET電晶體架構(gòu)；并結(jié)合將量產(chǎn)的2

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2012-09-21

臺積電格羅方德 FINFET GLOBALFOUNDRIES
臺積電2013年將采用FinFET技術(shù) 打造16/10nm制程

臺積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun

電子設(shè)計自動化
2012-09-12

先進(jìn)制程 EUV 臺積電 FINFET
先進(jìn)制程沖第一臺積電16/10nm搶先開火

臺積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-10

先進(jìn)制程 EUV 臺積電 FINFET
先進(jìn)制程沖第一臺積電16/10奈米搶先開火

臺積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-08

先進(jìn)制程 EUV 臺積電 FINFET
先進(jìn)制程沖第一臺積電16/10nm搶先開火

臺積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-07

先進(jìn)制程 EUV 臺積電 FINFET
先進(jìn)制程沖第一臺積電16/10奈米搶先開火

臺積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-07

先進(jìn)制程 EUV 臺積電 FINFET
臺積電20奈米將量產(chǎn) 股價息缺口即將完封

重量級權(quán)值股臺積電(2330-TW)(TSM-US)昨收84.0元，這近兩個月來漫長的填息之路只差2毛距離，股價即將完封除息缺口。而費半指數(shù)昨收跌0.85%，臺積電ADR重挫0.21%。針對臺積電技術(shù)新進(jìn)展，臺積電研發(fā)副總林本堅表示，2

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2012-09-05

Intel ASML 臺積電 FINFET
臺積電18吋晶圓2018量產(chǎn)

臺灣國際半導(dǎo)體展（SEMICON Taiwan）今（5）日開幕，18吋晶圓成為市場焦點，臺積電營運副總經(jīng)理王建光昨（4）日出席半導(dǎo)體展前記者會時表示，臺積電已做好導(dǎo)入18吋晶圓規(guī)劃，預(yù)計2018年量產(chǎn)，屆時導(dǎo)入的技術(shù)將以10奈

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2012-09-05

晶圓 EUV 臺積電 FINFET
臺積電20奈米將量產(chǎn)股價息缺口即將完封

重量級權(quán)值股臺積電(2330-TW)(TSM-US)昨收84.0元，這近兩個月來漫長的填息之路只差2毛距離，股價即將完封除息缺口。而費半指數(shù)昨收跌0.85%，臺積電ADR重挫0.21%。針對臺積電技術(shù)新進(jìn)展，臺積電研發(fā)副總林本堅表示，2

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2012-09-05

Intel ASML 臺積電 FINFET
世界代工業(yè)的發(fā)展和成本提高

世界晶圓代工業(yè)進(jìn)入21世紀(jì)以來盡管有所起伏，但自2010年達(dá)到約300億美元的規(guī)模以后，將邁向連年上升的態(tài)勢，2011年增長6.4%，近320億美元，預(yù)計今年將加速成長15%，達(dá)約365億美元，并期望2018年可成長到630億美元，2

消費電子
2012-08-20

節(jié)點 CMOS TRANSISTOR FINFET
世界代工業(yè)的發(fā)展和成本提高

世界晶圓代工業(yè)進(jìn)入21世紀(jì)以來盡管有所起伏，但自2010年達(dá)到約300億美元的規(guī)模以后，將邁向連年上升的態(tài)勢，2011年增長6.4%，近320億美元，預(yù)計今年將加速成長15%，達(dá)約365億美元，并期望2018年可成長到630億美元，2

消費電子
2012-08-20

節(jié)點 CMOS TRANSISTOR FINFET
左擁臺積右抱GF　ARM忙擴事業(yè)版圖

繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

消費電子
2012-08-17

ARM IP 格羅方德 FINFET
左擁臺積右抱GF　ARM忙擴事業(yè)版圖

繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

消費電子
2012-08-17

ARM IP 格羅方德 FINFET
左擁臺積右抱GF　ARM忙擴事業(yè)版圖

繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

單片機
2012-08-16

ARM IP 格羅方德 FINFET
ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技術(shù)

GLOBALFOUNDRIES和 ARM 近日宣布已簽訂了一份多年期協(xié)議，旨在為采用GLOBALFOUNDRIE 20納米與FinFET工藝的 ARM 處理器設(shè)計提供優(yōu)化的系統(tǒng)級芯片 (SoC) 解決方案。該協(xié)議將進(jìn)一步拓展雙方長期合作關(guān)系，并將合作領(lǐng)域擴

消費電子
2012-08-15

ARM IP FINFET GLOBALFOUNDRIES
ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技術(shù)

GLOBALFOUNDRIES和 ARM 近日宣布已簽訂了一份多年期協(xié)議，旨在為采用GLOBALFOUNDRIE 20納米與FinFET工藝的 ARM 處理器設(shè)計提供優(yōu)化的系統(tǒng)級芯片 (SoC) 解決方案。該協(xié)議將進(jìn)一步拓展雙方長期合作關(guān)系，并將合作領(lǐng)域擴

消費電子
2012-08-15

ARM IP FINFET GLOBALFOUNDRIES
ARM與芯片工廠合伙攻關(guān)20nmFinFET工藝

ARM、GlobalFoundries今天聯(lián)合宣布達(dá)成多年合作協(xié)議，將會攜手致力于ARM SoC處理器在GlobalFoundries 20nm工藝和FinFET技術(shù)上的優(yōu)化制造，同時還會在Mali圖形核心方面加強合作。芯片（圖片來源于驅(qū)動之家）

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2012-08-15

芯片 ARM FINFET GLOBALFOUNDRIES
左擁臺積右抱GF　ARM忙擴事業(yè)版圖

繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

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2012-08-15

ARM IP 格羅方德 FINFET
左擁臺積右抱格羅方德ARM忙擴事業(yè)版圖

繼日前與臺積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

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2012-08-15

ARM IP 格羅方德 FINFET
inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在

消費電子
2012-08-14

聯(lián)電 FET 臺積電 FINFET

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FINFET

緊追臺積電格羅方德推14奈米結(jié)合20奈米LPM

臺積電2013年將采用FinFET技術(shù) 打造16/10nm制程

先進(jìn)制程沖第一臺積電16/10nm搶先開火

先進(jìn)制程沖第一臺積電16/10奈米搶先開火

先進(jìn)制程沖第一臺積電16/10nm搶先開火

先進(jìn)制程沖第一臺積電16/10奈米搶先開火

臺積電20奈米將量產(chǎn) 股價息缺口即將完封

臺積電18吋晶圓2018量產(chǎn)

臺積電20奈米將量產(chǎn)股價息缺口即將完封

世界代工業(yè)的發(fā)展和成本提高

世界代工業(yè)的發(fā)展和成本提高

左擁臺積右抱GF　ARM忙擴事業(yè)版圖

左擁臺積右抱GF　ARM忙擴事業(yè)版圖

左擁臺積右抱GF　ARM忙擴事業(yè)版圖

ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技術(shù)

ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技術(shù)

ARM與芯片工廠合伙攻關(guān)20nmFinFET工藝

左擁臺積右抱GF　ARM忙擴事業(yè)版圖

左擁臺積右抱格羅方德ARM忙擴事業(yè)版圖

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