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臺積電16納米FinFET制程明年到來

臺積電在10月16日的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nmFinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴們表示，用

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2012-10-23

臺積電 FINFET USB IP
臺積電16納米FinFET制程明年到來

臺積電在10月16日的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nmFinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴們表示，用

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2012-10-23

臺積電 FINFET USB IP
臺積電制定20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖

臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nmFinFET的雙重圖形技術(shù)對晶片設(shè)計人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺積電的發(fā)展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nmFinFET制程。

電子設(shè)計自動化
2012-10-19

臺積電 FINFET USB IP
臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nmFinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴們

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2012-10-19

ARM 臺積電 FINFET USB
臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴

電子設(shè)計自動化
2012-10-18

ARM 臺積電 FINFET USB
臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

臺積電(TSMC)在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。臺積電與其合

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2012-10-18

ARM 臺積電 FINFET USB
GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?

日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關(guān)問題進行了解讀。 XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)

消費電子
2012-10-12

DM GLOBALFOUNDRIES FINFET
GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎？

日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁MichaelNoonen近日接受媒體訪問，對有關(guān)問題進行了解讀。XM是eXtremeMobility的縮寫，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正

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2012-10-11

Intel DM GLOBALFOUNDRIES FINFET
GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎？

日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關(guān)問題進行了解讀。XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它

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2012-10-11

Intel DM GLOBALFOUNDRIES FINFET
Globalfoundries的14nm節(jié)點僅「小幅微縮」

GlobalFoundries打算在2014年開始量產(chǎn)14XMFinFET制程，該制程旨在降低功耗，但就尺寸來看，與20nm平面塊狀矽CMOS制程相比，新制程所能減小的晶片尺寸非常少，甚至根本沒有減少。Globalfoundries下一代制程名為XM ，意

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2012-10-11

節(jié)點 AN GLOBALFOUNDRIES FINFET
緊咬臺積電不放格羅方德后年量產(chǎn)14nm

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將于2014年量產(chǎn)14nm方案。為與臺積電爭搶下一波行動裝置晶片制造商機，GLOBALFOUNDRIES將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3DFinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計明年客戶即可開始投片，后年則可望大

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2012-10-10

格羅方德 GLOBALFOUNDRIES 臺積電 FINFET
緊咬臺積電不放格羅方德后年量產(chǎn)14nm

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將于2014年量產(chǎn)14奈米(nm)方案。為與臺積電爭搶下一波行動裝置晶片制造商機，GLOBALFOUNDRIES將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3D FinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計明年客戶即可開始投片，后年則

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2012-10-09

格羅方德 GLOBALFOUNDRIES 臺積電 FINFET
格羅方德跟臺積電有拚

晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）來臺嗆聲，全球營銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Michael Noonen表示，已正式推出結(jié)合14納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程的14nm-XM技術(shù)，協(xié)助客戶加快行動裝置芯片上市時間。格羅方德指出

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2012-10-01

晶體管格羅方德臺積電 FINFET
挑戰(zhàn)臺積電！格羅方德強攻行動市場14奈米明年試產(chǎn)

GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)近期持續(xù)展現(xiàn)挑戰(zhàn)臺積電(2330-TW)與英特爾(INTC-US)的企圖心。該公司宣稱，3D FinFET導(dǎo)入的14奈米元件將于明年導(dǎo)入試產(chǎn)，直接跳過28奈米，要與臺積電所稱的20奈米SoC應(yīng)用互別苗頭，并鎖定行

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2012-09-29

恩智浦格羅方德臺積電 FINFET
GF：3D FinFET技術(shù)領(lǐng)先臺積電

晶圓代工大廠格羅方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鰭式晶體管（FinFET）導(dǎo)入的14納米元件，預(yù)計2013年試產(chǎn)，2014年量產(chǎn)，“已可直接與英特爾競爭”，技術(shù)層次更領(lǐng)先臺積電半個世代。格羅方德由微

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2012-09-29

晶圓代工格羅方德臺積電 FINFET
3D FinFET電晶體大幅減低電流流失 GlobalFoundries 14nm-XM制程架構(gòu)

針對行動裝置市場，提供更細小的面積空間以及減低所需功耗，讓行動裝置體積得以減少，以及延長電池續(xù)航行力，半導(dǎo)體廠商 GlobalFoundries 日前宣布將采用 14nm-XM 制程架構(gòu)，并首次引入 3D FinFET 電晶體，為立體 (S

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2012-09-26

電流電晶體 GLOBALFOUNDRIES FINFET
GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備FinFET晶體管架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖

電子設(shè)計自動化
2012-09-24

晶體管移動設(shè)備 GLOBALFOUNDRIES FINFET
GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術(shù)線路

消費電子
2012-09-24

晶體管移動設(shè)備 GLOBALFOUNDRIES FINFET
GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術(shù)線路

消費電子
2012-09-24

晶體管移動設(shè)備 GLOBALFOUNDRIES FINFET
GF推出用于下一代移動設(shè)備晶體管架構(gòu)

中國上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術(shù)將為客戶展現(xiàn)三維 “FinFET”晶體管的性能和功耗優(yōu)勢，不僅風(fēng)

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2012-09-24

晶體管移動設(shè)備 GLOBALFOUNDRIES FINFET

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臺積電16納米FinFET制程明年到來

臺積電16納米FinFET制程明年到來

臺積電制定20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖

臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?

GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎？

GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎？

Globalfoundries的14nm節(jié)點僅「小幅微縮」

緊咬臺積電不放格羅方德后年量產(chǎn)14nm

緊咬臺積電不放格羅方德后年量產(chǎn)14nm

格羅方德跟臺積電有拚

挑戰(zhàn)臺積電！格羅方德強攻行動市場14奈米明年試產(chǎn)

GF：3D FinFET技術(shù)領(lǐng)先臺積電

3D FinFET電晶體大幅減低電流流失 GlobalFoundries 14nm-XM制程架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備FinFET晶體管架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)

GF推出用于下一代移動設(shè)備晶體管架構(gòu)

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