Flash

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

HOLTEK推出HT85F2280/70/60 8051 A/D Flash Type MCU系列

21ic訊 Holtek推出全新的8051 A/D Flash Type MCU的HT85F2280、HT85F2270、HT85F2260系列，全系列寬工作電壓范圍2.2V~5.5V，符合工業(yè)等級(jí)-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求，是一系列混合信號(hào)高性能MCU，使

單片機(jī)
2013-06-27

Flash HOLTEK MCU HT85F2280
擴(kuò)張嵌入式版圖　飛索啟動(dòng)購(gòu)并/多代工廠(chǎng)策略

飛索(Spansion)于2013年上半年接連展開(kāi)與武漢XMC和聯(lián)電分別達(dá)成32奈米(nm)和40奈米的晶圓代工合作協(xié)議，以及收購(gòu)富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)部門(mén)布

嵌入式動(dòng)態(tài)
2013-06-27

富士通嵌入式 Flash MCU
武漢“新芯”能成為亮點(diǎn)

沉默了一段時(shí)間之后的武漢“新芯“，近期又開(kāi)始顯聲。它的變化主要有兩個(gè)方面，更英文名為XMC，以及宣布與中芯國(guó)際之間已不再是姊妹公司關(guān)系。觀看EE Times采訪(fǎng)它的市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Walter Lange談話(huà)之后，發(fā)現(xiàn)該公司

模擬
2013-06-25

硅片芯片生產(chǎn)線(xiàn) Flash
武漢“新芯”能成為亮點(diǎn)

沉默了一段時(shí)間之后的武漢“新芯“，近期又開(kāi)始顯聲。它的變化主要有兩個(gè)方面，更英文名為XMC，以及宣布與中芯國(guó)際之間已不再是姊妹公司關(guān)系。觀看EE Times采訪(fǎng)它的市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Walter Lange談話(huà)之后，發(fā)現(xiàn)

模擬
2013-06-24

硅片芯片生產(chǎn)線(xiàn) Flash
北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商B/B值連續(xù)5個(gè)月逾1

5月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨(B/B)值為1.08，與4月持平，已連續(xù)5個(gè)月維持在1以上水準(zhǔn)。國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)指出，北美半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商5月的3個(gè)月平均訂單金額為13.2億美元，較4月11.7億美元增加12.

顯示光電
2013-06-21

半導(dǎo)體設(shè)備 NAND SEMI Flash
封測(cè)廠(chǎng)動(dòng)能穩(wěn)健日月光5月封測(cè)營(yíng)收創(chuàng)新高力成營(yíng)收也同升

IC封測(cè)日月光(2311-TW)今(7)日公布 5 月?tīng)I(yíng)收，封測(cè)營(yíng)收為124.1億元，較 4 月增加6.3%，較去年同期成長(zhǎng)12.2%，創(chuàng)下封測(cè)營(yíng)收歷史新高，合并營(yíng)收則達(dá)174.4億元，較 4 月成長(zhǎng)4.3%，較去年同期成長(zhǎng)11.5%；另一家封測(cè)廠(chǎng)力成

模擬
2013-06-09

DRAM 晶片 IC Flash
HOLTEK推出BS84xxxA-3系列新一代Flash觸控單片機(jī)

21ic訊 Holtek推出新一代內(nèi)建8通道的12-bit ADC的Flash觸控MCU BS84xxxA-3系列，此系列共有2顆，BS84B08A-3與BS84C12A-3分別支持8個(gè)及12個(gè)觸控按鍵，可應(yīng)用于溫度或其它電壓訊號(hào)量測(cè)等應(yīng)用，如溫控電茶壺、電陶爐、

單片機(jī)
2013-06-03

單片機(jī) BS84B08A Flash HOLTEK
HOLTEK推出BS83xxxA系列新一代Flash觸控單片機(jī)

21ic訊 Holtek推出新一代Flash觸控MCU BS83xxxA，除了保有上一代的優(yōu)點(diǎn)之外還比上一代觸控MCU更省電，觸控偵測(cè)的更新率更高，并且抗干擾的能力更好。在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段還提供了OCDS EV及新的Touch Key開(kāi)發(fā)平臺(tái)，使用簡(jiǎn)

單片機(jī)
2013-06-03

單片機(jī) BS83B08A Flash HOLTEK
常用Nor Flash操作

SST39VF160芯片介紹SST39VF160是一個(gè)1M×16的CMOS多功能FlashMPF器件，由SST特有的高性能SuperFlash技術(shù)制造而成(SuperFlash技術(shù)的分裂閘split-gate單元結(jié)構(gòu)和厚氧化物

嵌入式教程
2013-05-29

編程 ST CE Flash
100萬(wàn)次擦寫(xiě)！三星首創(chuàng)45nm嵌入式閃存

三星電子近日宣布，正在開(kāi)發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測(cè)試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。三星宣稱(chēng)，基于其45nm e

嵌入式動(dòng)態(tài)
2013-05-27

三星嵌入式閃存 5NM Flash
199元，800臺(tái)工程版PPBox今日被速搶

PPTV攜手華數(shù)傳媒合作推出了機(jī)頂盒產(chǎn)品PPBox，299元售價(jià)在業(yè)界引起了不小的轟動(dòng)。今日零點(diǎn)800臺(tái)工程版PPBox的網(wǎng)絡(luò)預(yù)售正式首發(fā)了，工程版的售價(jià)為199元，但僅過(guò)了3分鐘的時(shí)間，800臺(tái)PPBox就被速搶一空。

智能硬件
2013-05-21

內(nèi)存 BSP BOX Flash
全球首創(chuàng)45nm嵌入式閃存 100萬(wàn)次擦寫(xiě)！

三星電子近日宣布，正在開(kāi)發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測(cè)試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。三星宣稱(chēng)，基于其45nm eFlash的智能卡電路具備極高的可靠性、耐久性

模擬
2013-05-20

智能卡嵌入式閃存 5NM Flash
盛群低功耗LCD Flash MCU 滿(mǎn)足溫度與高抗雜訊要求

盛群推全新系列的TinyPower液晶(LCD)快閃記憶體(Flash)微控制器(MCU)，全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三個(gè)微控制器，符合工業(yè)上-40°C～85°C工作溫度與高抗雜訊之性能要求，且提供48～80接腳的不同封

單片機(jī)
2013-05-14

LCD 低功耗 Flash MCU
三星淡出microSD，NAND Flash供應(yīng)鏈再洗牌

近期內(nèi)存業(yè)界傳出三星電子(Samsung Electronics)將策略性淡出小型內(nèi)存卡microSD生產(chǎn)行列，未來(lái)僅針對(duì)少數(shù)幾家客戶(hù)以供應(yīng)Wafer方式，讓客戶(hù)自行生產(chǎn)并封裝 microSD成卡，至于三星既有資源將全數(shù)投注于eMMC、eMCP、固態(tài)

消費(fèi)電子
2013-05-10

三星 NAND MICROSD Flash
MSP430---FLASH 讀寫(xiě)

MSP430 FLASH型單片機(jī)的FLASH存儲(chǔ)器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段，其中信息存儲(chǔ)器SegmengA及SegmentB各有128字節(jié)，其他段有512字節(jié)。SegmentB的地址是：0x01000h到0x107F，SegmentA的地址是：0x01080h到0x010FFh。其

單片機(jī)
2013-05-09

MSP430 讀寫(xiě) SETUP Flash
Holtek全新TinyPowerTM LCD Flash MCU適合各應(yīng)用領(lǐng)域

Holtek推出全新系列的TinyPowerTM LCD Flash MCU，全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三個(gè)MCU，符合工業(yè)上-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求，且提供48 ~ 80-pin的不同封裝型式，搭配TinyPowerTM Flash

單片機(jī)
2013-05-06

LCD Flash HOLTEK MCU
因應(yīng)產(chǎn)業(yè)變化宇瞻以前瞻思考再創(chuàng)新局

今年智慧型手機(jī)、平板等行動(dòng)裝置快速成長(zhǎng)、DRAM及NAND Flash價(jià)格也不斷走高，整體景氣看旺，對(duì)于數(shù)位儲(chǔ)存市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，將會(huì)有很大的發(fā)展空間。然而也正因?yàn)橹腔凼謾C(jī)和平板裝置成為未來(lái)主流、亦隨著云端熱潮崛起，產(chǎn)業(yè)典

消費(fèi)電子
2013-05-03

DRAM 平板 NAND Flash
英飛凌與格羅方德共同開(kāi)發(fā)40nm嵌入式Flash制程

英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開(kāi)發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術(shù)。這項(xiàng)合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)的技術(shù)開(kāi)發(fā)，以及採(cǎi)用 40nm 製

消費(fèi)電子
2013-05-03

英飛凌嵌入式格羅方德 Flash
英飛凌與格羅方德共同開(kāi)發(fā)40nm嵌入式Flash制程

英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開(kāi)發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術(shù)。這項(xiàng)合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)的技術(shù)開(kāi)發(fā)，以及採(cǎi)用 40nm 製

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-05-03

英飛凌嵌入式格羅方德 Flash
HOLTEK推出HT66FB5x0 and HT68FB5x0 Full Speed USB Flash MCU系列

Holtek推出全新的A/D與I/O兩系列的Full Speed USB Flash MCU - HT66FB540、HT66FB550、HT66FB560與HT68FB540、HT68FB550、HT68FB560。HT66FB5x0與HT68FB5x0為Holtek新世代8-bit Flash USB MCU系列產(chǎn)品。Holtek提供高

測(cè)試測(cè)量
2013-05-02

SPEED Flash HOLTEK MCU

首頁(yè) 上一頁(yè) 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 下一頁(yè) 尾頁(yè)

Flash

HOLTEK推出HT85F2280/70/60 8051 A/D Flash Type MCU系列

擴(kuò)張嵌入式版圖　飛索啟動(dòng)購(gòu)并/多代工廠(chǎng)策略

武漢“新芯”能成為亮點(diǎn)

武漢“新芯”能成為亮點(diǎn)

北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商B/B值連續(xù)5個(gè)月逾1

封測(cè)廠(chǎng)動(dòng)能穩(wěn)健日月光5月封測(cè)營(yíng)收創(chuàng)新高力成營(yíng)收也同升

HOLTEK推出BS84xxxA-3系列新一代Flash觸控單片機(jī)

HOLTEK推出BS83xxxA系列新一代Flash觸控單片機(jī)

常用Nor Flash操作

100萬(wàn)次擦寫(xiě)！三星首創(chuàng)45nm嵌入式閃存

199元，800臺(tái)工程版PPBox今日被速搶

全球首創(chuàng)45nm嵌入式閃存 100萬(wàn)次擦寫(xiě)！

盛群低功耗LCD Flash MCU 滿(mǎn)足溫度與高抗雜訊要求

三星淡出microSD，NAND Flash供應(yīng)鏈再洗牌

MSP430---FLASH 讀寫(xiě)

Holtek全新TinyPowerTM LCD Flash MCU適合各應(yīng)用領(lǐng)域

因應(yīng)產(chǎn)業(yè)變化宇瞻以前瞻思考再創(chuàng)新局

英飛凌與格羅方德共同開(kāi)發(fā)40nm嵌入式Flash制程

英飛凌與格羅方德共同開(kāi)發(fā)40nm嵌入式Flash制程

HOLTEK推出HT66FB5x0 and HT68FB5x0 Full Speed USB Flash MCU系列

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(hù)(人)

熱門(mén)活動(dòng)

課程視頻