Emulex公司日前宣布任命Perry Mulligan為其運(yùn)營(yíng)高級(jí)副總裁。Mulligan在全球運(yùn)營(yíng)、供應(yīng)鏈管理、信息技術(shù)和采購(gòu)領(lǐng)域擁有超過(guò)30年的豐富經(jīng)驗(yàn),他的加盟將進(jìn)一步強(qiáng)化公司運(yùn)營(yíng)。Mulligan將全面負(fù)責(zé)Emulex公司的各方面運(yùn)營(yíng)
有助于提供尺寸更小、效率更高的電源芯片產(chǎn)品,適用范圍涉及電信、工業(yè)設(shè)備、汽車電子等21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開(kāi)始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(kāi)(Normally-off),相比于
日前,英國(guó)普萊塞半導(dǎo)體(plesseysemiconductors)宣布推出其基于硅基氮化鉀制造平臺(tái)的產(chǎn)品。新產(chǎn)品在420ma的條件下可以提供350mw的輻射功率。早在今年4月,普萊思就宣布將推出可論證硅基氮化鎵技術(shù)的pl111010led產(chǎn)品,
SiC企業(yè)不斷增多,成本不斷下降一文中,作者根津在開(kāi)篇寫(xiě)道:“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?!边@是因?yàn)椋S著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布,在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上,這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)
21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司今天發(fā)布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器,為快速增長(zhǎng)的有線電視基礎(chǔ)構(gòu)架提供了優(yōu)異的性能。TriQuint新型氮化鎵單片微波集成電路 (MMIC) 放大器提供高增益 (24 dB) 以及卓越的復(fù)合失真
歐司朗照明公司(OsramLichtAG)上周五宣布其與(母公司)西門(mén)子之間的分拆已正式生效,新公司將作為一家純粹的照明公司啟動(dòng)上市。另外,該公司還宣布其股票將于7月8號(hào)在法蘭克福證券交易所和慕尼黑證券交易所開(kāi)始公開(kāi)
極特先進(jìn)科技公司(GT Advanced Technologies)(NASDAQ:GTAT)與Soitec(NYSE Euronext:SOI)日前宣布了一項(xiàng)開(kāi)發(fā)及許可協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,GT將開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和商業(yè)化大容量多晶圓HVPE系統(tǒng)。這一HVPE系統(tǒng)將用于生產(chǎn)LED或其他高
日前,英國(guó)普萊塞半導(dǎo)體(plessey semiconductors)宣布推出其基于硅基氮化鉀制造平臺(tái)的產(chǎn)品。新產(chǎn)品在420ma的條件下可以提供350mw的輻射功率。早在今年4月,普萊思就宣布將推出可論證硅基氮化鎵技術(shù)的pl111010led產(chǎn)品
茂碩電源本周三晚間發(fā)布公告,公司于2013年7月2日與全球著名燈具制造商Closed Join Stock Co-operation Optogan(以下簡(jiǎn)稱”O(jiān)PT”)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,OPT公司把茂碩作為電源首要、主要供應(yīng)商,電源項(xiàng)目首選茂碩,茂碩
7月3日晚間公告,公司7月2日與Closed Join Stock Co-operation Optogan(簡(jiǎn)稱OPT)簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議。OPT公司擬把茂碩作為電源首要、主要供應(yīng)商,電源項(xiàng)目首選茂碩,同時(shí)茂碩為OPT公司提供最優(yōu)戰(zhàn)略合作價(jià)格,并在電源
[據(jù)固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年6月26日?qǐng)?bào)道]隨著軍事應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)GaN器件市場(chǎng),其商業(yè)應(yīng)用已經(jīng)形成,這將幫助加速GaN市場(chǎng)增長(zhǎng)。美國(guó)戰(zhàn)略預(yù)測(cè)公司最近發(fā)布的《2012~2017年GaN微電子市場(chǎng)》總結(jié)說(shuō),2012年整個(gè)GaN微電子器件市場(chǎng)
21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體,日前發(fā)布了15款新型氮化鎵( GaN )放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產(chǎn)品為通訊系統(tǒng)提供了性能、尺寸和耐用性的優(yōu)勢(shì)。TriQuint公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺指出由于TriQuint的工藝和產(chǎn)品
[據(jù)固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年6月26日?qǐng)?bào)道]隨著軍事應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)GaN器件市場(chǎng),其商業(yè)應(yīng)用已經(jīng)形成,這將幫助加速GaN市場(chǎng)增長(zhǎng)。美國(guó)戰(zhàn)略預(yù)測(cè)公司最近發(fā)布的《2012~2017年GaN微電子市場(chǎng)》總結(jié)說(shuō),2012年整個(gè)GaN微電子器件市場(chǎng)
今年硅基氮化鎵(GaN-on-Si)基板市場(chǎng)發(fā)展急凍。去年5月底,普瑞光電(Bridgelux)與東芝(Toshiba)風(fēng)光宣布,共同成功開(kāi)發(fā)出基于8吋GaN-on-Si基板技術(shù)的發(fā)光二極體(LED)晶片,該元件採(cǎi)用350毫安培(mA)電流,電
“在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域早晚也會(huì)被亞洲勢(shì)力趕超”。日本某功率半導(dǎo)體技術(shù)人員感到了危機(jī)感。這是因?yàn)椋A(yù)見(jiàn)到未來(lái)市場(chǎng)的增長(zhǎng),中國(guó)大陸、韓國(guó)以及臺(tái)灣的企業(yè)和大學(xué)等加快了該領(lǐng)域的研究開(kāi)發(fā)速度。1998年將功率IC部門(mén)出售
EPC9107 演示板展示如何使用具備高開(kāi)關(guān)頻率的氮化鎵功率晶體管以縮小尺寸及提高電源轉(zhuǎn)換效率宜普公司在二零一三年五月宣布推出全功能降壓電源轉(zhuǎn)換演示板(EPC9107)。該板展示
歐盟擬取消漫游費(fèi)的新聞再次誘發(fā)了國(guó)內(nèi)用戶對(duì)運(yùn)營(yíng)商的不滿。6月16日上午消息,歐盟委員會(huì)本周在比利時(shí)布魯塞爾進(jìn)行了投票,同意結(jié)束在歐盟內(nèi)部對(duì)語(yǔ)音、短信和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)漫游費(fèi)的收取,從而創(chuàng)造統(tǒng)一的歐盟電信市場(chǎng)。此消
美國(guó)Navigant Research研究機(jī)構(gòu)(原派克研究所)近日發(fā)布報(bào)告稱,2020年全球電動(dòng)汽車(包括純電動(dòng)和插電式混合動(dòng)力)年銷量將達(dá)到300萬(wàn)輛。Navigant Research的報(bào)告結(jié)論主要基于去年全球電動(dòng)汽車增長(zhǎng)率高達(dá)150%,不過(guò)當(dāng)年
矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板技術(shù)發(fā)展添變數(shù)。囿于大尺寸GaN-on-Si晶圓制造良率遲遲無(wú)法提升,不少LED磊晶廠已開(kāi)始考慮降低投資金額,或轉(zhuǎn)而投入技術(shù)門(mén)檻較低的功率元件應(yīng)用市場(chǎng),讓原本備受期待的GaN-on-Si LED發(fā)展前