-
VisIC完成超億元B輪融資，現(xiàn)代汽車等最新參投
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬(wàn)美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia（統(tǒng)稱"HKMC"）作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧納2026年1月7日 /美通社/ -- 電動(dòng)汽車氮化鎵（Ga...
-
VisIC完成超億元B輪融資，現(xiàn)代汽車等最新參投
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬(wàn)美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia(統(tǒng)稱“HKMC”)作為戰(zhàn)略投資者參投
-
VisIC宣布完成2,600萬(wàn)美元B輪融資
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬(wàn)美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia（統(tǒng)稱“HKMC”）作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧納2025年12月11日 /美通社...
-
美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)裁定英飛凌在針對(duì)英諾賽科的一項(xiàng)專利侵權(quán)案中勝訴
【2025年12月3日, 德國(guó)慕尼黑訊】美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司(FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY)擁有的一項(xiàng)氮化鎵(GaN)技術(shù)專利。此外，在初步裁定中，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)確認(rèn)，英飛凌在向該委員會(huì)提起的訴訟中所主張的兩項(xiàng)專利皆具有法律效力。本案的核心在于英諾賽科未經(jīng)授權(quán)使用英飛凌受專利保護(hù)的GaN技術(shù)。委員會(huì)最終裁決預(yù)計(jì)將于2026年4月2日發(fā)布，若這項(xiàng)初步裁決最終獲得確認(rèn)，將導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國(guó)。
-
Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計(jì)，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源
Allegro 創(chuàng)新柵極驅(qū)動(dòng)器助力工程師實(shí)現(xiàn)鈦金級(jí)效率和極佳功率密度，滿足嚴(yán)苛的 AI 和邊緣計(jì)算應(yīng)用需求
-
意法半導(dǎo)體集成化GaN反激式轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)，消除可聽(tīng)噪聲
2025年11月17日，瑞士日內(nèi)瓦——意法半導(dǎo)體推出一系列GaN反激式轉(zhuǎn)換器，幫助開(kāi)發(fā)者輕松研發(fā)和生產(chǎn)體積緊湊的高能效USB-PD充電器、快充和輔助電源。新系列轉(zhuǎn)換器在低負(fù)載條件下采用意法半導(dǎo)體專有技術(shù)，確保電源和充電器無(wú)聲運(yùn)行，為用戶帶來(lái)出色的使用體驗(yàn)。
-
GAN技術(shù)在電機(jī)控制中的優(yōu)勢(shì)
較新的寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料氮化鎵 (GaN) 的引入代表功率電子行業(yè)在朝著這個(gè)方向發(fā)展，并且，隨著這項(xiàng)技術(shù)的商用程度不斷提高，其應(yīng)用市場(chǎng)正在迅猛增長(zhǎng)。
-
GaNSiC功率器件應(yīng)用，高頻高效電路設(shè)計(jì)與熱管理挑戰(zhàn)
在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等高算力場(chǎng)景，功率電子器件正經(jīng)歷一場(chǎng)由傳統(tǒng)硅基向?qū)捊麕Р牧?GaN氮化鎵、SiC碳化硅)的革命性轉(zhuǎn)型。GaN與SiC憑借其獨(dú)特的物理特性，不僅重塑了功率器件的性能邊界，更對(duì)高頻電路設(shè)計(jì)與熱管理系統(tǒng)提出了全新挑戰(zhàn)。
-
功率半導(dǎo)體的極致演繹，英飛凌從晶圓、封裝、模塊、方案進(jìn)行全面技術(shù)創(chuàng)新
從工業(yè)數(shù)字化、到電動(dòng)出行、再到現(xiàn)在的AI革命，離不開(kāi)創(chuàng)新的能源技術(shù)驅(qū)動(dòng)，尤其是以SiC/GaN為代表的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。而英飛凌憑借在該領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，牢牢把握這一趨勢(shì)。
-
GaN功率放大器測(cè)試全流程：負(fù)載牽引系統(tǒng)與熱阻抗的協(xié)同表征方法
在5G基站、衛(wèi)星通信及毫米波雷達(dá)等高頻應(yīng)用場(chǎng)景中，氮化鎵(GaN)功率放大器憑借其高功率密度、高效率及寬頻帶特性成為核心器件。然而，其測(cè)試流程面臨雙重挑戰(zhàn)：一方面需通過(guò)負(fù)載牽引系統(tǒng)優(yōu)化大信號(hào)參數(shù)，另一方面需精準(zhǔn)表征熱阻抗以避免器件失效。本文結(jié)合行業(yè)實(shí)踐案例，系統(tǒng)闡述負(fù)載牽引與熱阻抗協(xié)同測(cè)試的全流程方法。
-
GaN器件驅(qū)動(dòng)芯片的選型指南：門極電荷匹配、傳輸延遲與抗干擾性測(cè)試
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻和超快開(kāi)關(guān)速度，在高頻、高功率密度電源領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而，GaN器件的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)面臨獨(dú)特挑戰(zhàn)：其門極電荷特性、傳輸延遲要求及抗干擾能力直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。本文從門極電荷匹配、傳輸延遲優(yōu)化及抗干擾性測(cè)試三個(gè)維度，結(jié)合典型應(yīng)用案例，系統(tǒng)闡述GaN驅(qū)動(dòng)芯片的選型方法。
-
快充適配器設(shè)計(jì)，GaN器件在65W PD充電器中的高頻化與熱應(yīng)力平衡
在移動(dòng)設(shè)備續(xù)航需求與充電效率矛盾日益突出，氮化鎵(GaN)憑借其高頻特性與熱穩(wěn)定性優(yōu)勢(shì)，成為65W PD快充適配器的核心材料。通過(guò)高頻化設(shè)計(jì)提升功率密度，同時(shí)通過(guò)熱應(yīng)力管理保障器件可靠性，GaN技術(shù)正在重新定義快充適配器的性能邊界。
-
羅姆攜眾多先進(jìn)解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai
中國(guó)上海，2025年9月11日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，將于9月24日～26日參加上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)(以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia Shanghai)。屆時(shí)，羅姆將展示其在工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域中卓越的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時(shí)，羅姆還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦技術(shù)研討會(huì)，分享其最新的電力電子解決方案。
-
GaN器件在AC-DC中的應(yīng)用，高頻化帶來(lái)的磁元件小型化與損耗分析
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其寬禁帶、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等特性，正在重塑AC-DC轉(zhuǎn)換器的技術(shù)格局。在高頻化趨勢(shì)下，GaN器件不僅推動(dòng)了磁元件的小型化，還深刻改變了損耗分布與優(yōu)化策略，為消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、通信基站等領(lǐng)域的高效電源設(shè)計(jì)提供了關(guān)鍵支撐。
-
PoE硬件創(chuàng)新趨勢(shì)，氮化鎵（GaN）器件在高效供電中的應(yīng)用前景
在PoE(以太網(wǎng)供電)技術(shù)硬件創(chuàng)新已成為突破效率瓶頸、縮小設(shè)備體積的核心驅(qū)動(dòng)力。其中，氮化鎵(GaN)器件憑借其高頻、高效、高耐壓的特性，正逐步替代傳統(tǒng)硅基器件，成為PoE供電模塊升級(jí)的關(guān)鍵方向。本文結(jié)合實(shí)際案例與測(cè)試數(shù)據(jù)，系統(tǒng)解析GaN器件在PoE高效供電中的應(yīng)用前景。
-
上下管開(kāi)關(guān)對(duì)稱性的系統(tǒng)方法
摘要：半橋功率級(jí)是電力電子系統(tǒng)中的基本開(kāi)關(guān)單元，應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類功率放大器等電路設(shè)計(jì)中。本文介紹了一種系統(tǒng)方法，該方法利用預(yù)充電驅(qū)動(dòng)電源方案和欠壓鎖定（UVLO）機(jī)制的控制策略，確保半橋電路中高邊和低邊開(kāi)關(guān)的同步性。傳統(tǒng)的基于自舉電源的半橋驅(qū)動(dòng)存在固有局限性，包括高邊和低邊驅(qū)動(dòng)器之間電源的不對(duì)稱性，這會(huì)破壞開(kāi)關(guān)的同步性和開(kāi)關(guān)管的工作特性。本文通過(guò)詳細(xì)的電路設(shè)計(jì)和SPICE仿真驗(yàn)證了該方法在改善開(kāi)關(guān)同步性和可靠性方面的有效性，特別是對(duì)于GaN和SiC晶體管這種對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓范圍要求比較高的驅(qū)動(dòng)更有應(yīng)用意義。
-
GaN基紫外LED封裝技術(shù)：熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑
在半導(dǎo)體照明與光電器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）基紫外LED憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，如高發(fā)光效率、長(zhǎng)壽命、小尺寸以及環(huán)保節(jié)能等，正逐漸成為紫外光源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，GaN基紫外LED的性能表現(xiàn)仍受到封裝技術(shù)的制約，其中熱管理和出光效率是兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。深入探究GaN基紫外LED封裝技術(shù)中的熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑，對(duì)于推動(dòng)其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程具有重要意義。
-
英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
【2025年4月22日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。
-
亞馬遜一年助力兩百萬(wàn)人提升人工智能技能的關(guān)鍵洞察
亞馬遜云科技全球拓展賦能副總裁Maureen Lonergan 北京2025年4月21日 /美通社/ -- 掌握人工智能技能的人才對(duì)企業(yè)而言不再是奢侈資源，而是必需資源。然而，巨大的技能缺口成為諸多企業(yè)應(yīng)用人工智能技術(shù)的一大障礙。根據(jù)亞馬遜云科技與全球領(lǐng)先的科技咨詢公司Acce...
-
DB HiTek將參展PCIM 2025，加強(qiáng)歐洲市場(chǎng)推廣
…… 德國(guó)最大的功率半導(dǎo)體展會(huì)于紐倫堡舉行（5月6日至8日）…… 分享模擬與電源、專用CIS、SiC和GaN技術(shù)的最新進(jìn)展 韓國(guó)首爾2025年4月7日 /美通社/ -- 領(lǐng)先的8英寸晶圓代工企業(yè)DB HiTek將參加于當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月6...
- 是德科技創(chuàng)新技術(shù)峰會(huì)來(lái)襲，報(bào)名領(lǐng)好禮
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
- 得捷芯聞解碼視頻研習(xí)站第五期：打造更安全、更智能、更舒適、高續(xù)航的駕乘體驗(yàn)
- FPGA供電應(yīng)用遇挑戰(zhàn)？MPS高性能FPGA供電解決方案幫你破局
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第四期：網(wǎng)絡(luò)安全芯片，讓您的應(yīng)用系統(tǒng)無(wú)懈可擊
- “變現(xiàn)”指南：上傳資料獲三重紅包，親測(cè)有效！
- 《21ic技術(shù)洞察》系列欄目：AI芯紀(jì)元——AI加持，語(yǔ)?助?再進(jìn)化！
