-
羅姆加強(qiáng)GaN功率器件供應(yīng)能力
融合臺積公司工藝技術(shù)，在集團(tuán)內(nèi)部建立一體化生產(chǎn)體系
-
智能GaN降壓控制器設(shè)計——第2部分：配置和優(yōu)化
為了提供正確的死區(qū)時間延遲，傳統(tǒng)上是在控制器中內(nèi)置固定的預(yù)設(shè)延遲，或通過外部元件進(jìn)行一定程度的調(diào)整。這種調(diào)整需要充分考慮特定FET器件的特性，防止因過驅(qū)而造成損壞。這一調(diào)整過程可能非常耗時，而且難以準(zhǔn)確衡量。為了優(yōu)化導(dǎo)通和關(guān)斷擺率與延遲，必須高度重視測量技術(shù)。精確的測量能夠確保系統(tǒng)在實現(xiàn)最大功率輸出的同時，將損耗降至最低，并有效避免損壞開關(guān)元件。
-
智能GaN降壓控制器設(shè)計——第1部分：考慮因素和測量方法
同步轉(zhuǎn)換器的工作原理是交替切換控制開關(guān)和同步開關(guān)器件（通常是FET）的通斷狀態(tài)。這種操作的時序非常重要。如果關(guān)斷一個開關(guān)與接通另一個開關(guān)之間的延遲時間過長，效率就會受到影響。如果延遲時間不夠長，當(dāng)大量電流流過這對開關(guān)時，就可能發(fā)生所謂的“直通”現(xiàn)象。這會顯著降低效率，并可能損壞元器件。本文是關(guān)于智能GaN降壓控制器設(shè)計的兩篇文章中的第一篇，討論了所涉及的動態(tài)特性及其正確測量方法。
-
VisIC完成超億元B輪融資，現(xiàn)代汽車等最新參投
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia（統(tǒng)稱"HKMC"）作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧納2026年1月7日 /美通社/ -- 電動汽車氮化鎵（Ga...
-
VisIC完成超億元B輪融資，現(xiàn)代汽車等最新參投
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia(統(tǒng)稱“HKMC”)作為戰(zhàn)略投資者參投
-
VisIC宣布完成2,600萬美元B輪融資
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia（統(tǒng)稱“HKMC”）作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧納2025年12月11日 /美通社...
-
美國國際貿(mào)易委員會裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項專利侵權(quán)案中勝訴
【2025年12月3日, 德國慕尼黑訊】美國國際貿(mào)易委員會(ITC)裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司(FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY)擁有的一項氮化鎵(GaN)技術(shù)專利。此外，在初步裁定中，美國國際貿(mào)易委員會確認(rèn)，英飛凌在向該委員會提起的訴訟中所主張的兩項專利皆具有法律效力。本案的核心在于英諾賽科未經(jīng)授權(quán)使用英飛凌受專利保護(hù)的GaN技術(shù)。委員會最終裁決預(yù)計將于2026年4月2日發(fā)布，若這項初步裁決最終獲得確認(rèn)，將導(dǎo)致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進(jìn)口至美國。
-
Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源
Allegro 創(chuàng)新柵極驅(qū)動器助力工程師實現(xiàn)鈦金級效率和極佳功率密度，滿足嚴(yán)苛的 AI 和邊緣計算應(yīng)用需求
-
意法半導(dǎo)體集成化GaN反激式轉(zhuǎn)換器，簡化應(yīng)用設(shè)計，消除可聽噪聲
2025年11月17日，瑞士日內(nèi)瓦——意法半導(dǎo)體推出一系列GaN反激式轉(zhuǎn)換器，幫助開發(fā)者輕松研發(fā)和生產(chǎn)體積緊湊的高能效USB-PD充電器、快充和輔助電源。新系列轉(zhuǎn)換器在低負(fù)載條件下采用意法半導(dǎo)體專有技術(shù)，確保電源和充電器無聲運(yùn)行，為用戶帶來出色的使用體驗。
-
GAN技術(shù)在電機(jī)控制中的優(yōu)勢
較新的寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料氮化鎵 (GaN) 的引入代表功率電子行業(yè)在朝著這個方向發(fā)展，并且，隨著這項技術(shù)的商用程度不斷提高，其應(yīng)用市場正在迅猛增長。
-
GaNSiC功率器件應(yīng)用，高頻高效電路設(shè)計與熱管理挑戰(zhàn)
在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等高算力場景，功率電子器件正經(jīng)歷一場由傳統(tǒng)硅基向?qū)捊麕Р牧?GaN氮化鎵、SiC碳化硅)的革命性轉(zhuǎn)型。GaN與SiC憑借其獨(dú)特的物理特性，不僅重塑了功率器件的性能邊界，更對高頻電路設(shè)計與熱管理系統(tǒng)提出了全新挑戰(zhàn)。
-
功率半導(dǎo)體的極致演繹，英飛凌從晶圓、封裝、模塊、方案進(jìn)行全面技術(shù)創(chuàng)新
從工業(yè)數(shù)字化、到電動出行、再到現(xiàn)在的AI革命，離不開創(chuàng)新的能源技術(shù)驅(qū)動，尤其是以SiC/GaN為代表的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。而英飛凌憑借在該領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，牢牢把握這一趨勢。
-
GaN功率放大器測試全流程：負(fù)載牽引系統(tǒng)與熱阻抗的協(xié)同表征方法
在5G基站、衛(wèi)星通信及毫米波雷達(dá)等高頻應(yīng)用場景中，氮化鎵(GaN)功率放大器憑借其高功率密度、高效率及寬頻帶特性成為核心器件。然而，其測試流程面臨雙重挑戰(zhàn)：一方面需通過負(fù)載牽引系統(tǒng)優(yōu)化大信號參數(shù)，另一方面需精準(zhǔn)表征熱阻抗以避免器件失效。本文結(jié)合行業(yè)實踐案例，系統(tǒng)闡述負(fù)載牽引與熱阻抗協(xié)同測試的全流程方法。
-
GaN器件驅(qū)動芯片的選型指南：門極電荷匹配、傳輸延遲與抗干擾性測試
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻和超快開關(guān)速度，在高頻、高功率密度電源領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而，GaN器件的驅(qū)動電路設(shè)計面臨獨(dú)特挑戰(zhàn)：其門極電荷特性、傳輸延遲要求及抗干擾能力直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。本文從門極電荷匹配、傳輸延遲優(yōu)化及抗干擾性測試三個維度，結(jié)合典型應(yīng)用案例，系統(tǒng)闡述GaN驅(qū)動芯片的選型方法。
-
快充適配器設(shè)計，GaN器件在65W PD充電器中的高頻化與熱應(yīng)力平衡
在移動設(shè)備續(xù)航需求與充電效率矛盾日益突出，氮化鎵(GaN)憑借其高頻特性與熱穩(wěn)定性優(yōu)勢，成為65W PD快充適配器的核心材料。通過高頻化設(shè)計提升功率密度，同時通過熱應(yīng)力管理保障器件可靠性，GaN技術(shù)正在重新定義快充適配器的性能邊界。
-
羅姆攜眾多先進(jìn)解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai
中國上海，2025年9月11日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，將于9月24日～26日參加上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會(以下簡稱PCIM Asia Shanghai)。屆時，羅姆將展示其在工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域中卓越的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時，羅姆還將在現(xiàn)場舉辦技術(shù)研討會，分享其最新的電力電子解決方案。
-
GaN器件在AC-DC中的應(yīng)用，高頻化帶來的磁元件小型化與損耗分析
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其寬禁帶、高電子遷移率、高擊穿場強(qiáng)等特性，正在重塑AC-DC轉(zhuǎn)換器的技術(shù)格局。在高頻化趨勢下，GaN器件不僅推動了磁元件的小型化，還深刻改變了損耗分布與優(yōu)化策略，為消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、通信基站等領(lǐng)域的高效電源設(shè)計提供了關(guān)鍵支撐。
-
PoE硬件創(chuàng)新趨勢，氮化鎵（GaN）器件在高效供電中的應(yīng)用前景
在PoE(以太網(wǎng)供電)技術(shù)硬件創(chuàng)新已成為突破效率瓶頸、縮小設(shè)備體積的核心驅(qū)動力。其中，氮化鎵(GaN)器件憑借其高頻、高效、高耐壓的特性，正逐步替代傳統(tǒng)硅基器件，成為PoE供電模塊升級的關(guān)鍵方向。本文結(jié)合實際案例與測試數(shù)據(jù)，系統(tǒng)解析GaN器件在PoE高效供電中的應(yīng)用前景。
-
上下管開關(guān)對稱性的系統(tǒng)方法
摘要：半橋功率級是電力電子系統(tǒng)中的基本開關(guān)單元，應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器和D類功率放大器等電路設(shè)計中。本文介紹了一種系統(tǒng)方法，該方法利用預(yù)充電驅(qū)動電源方案和欠壓鎖定（UVLO）機(jī)制的控制策略，確保半橋電路中高邊和低邊開關(guān)的同步性。傳統(tǒng)的基于自舉電源的半橋驅(qū)動存在固有局限性，包括高邊和低邊驅(qū)動器之間電源的不對稱性，這會破壞開關(guān)的同步性和開關(guān)管的工作特性。本文通過詳細(xì)的電路設(shè)計和SPICE仿真驗證了該方法在改善開關(guān)同步性和可靠性方面的有效性，特別是對于GaN和SiC晶體管這種對驅(qū)動電壓范圍要求比較高的驅(qū)動更有應(yīng)用意義。
-
GaN基紫外LED封裝技術(shù)：熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑
在半導(dǎo)體照明與光電器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）基紫外LED憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢，如高發(fā)光效率、長壽命、小尺寸以及環(huán)保節(jié)能等，正逐漸成為紫外光源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而，在實際應(yīng)用中，GaN基紫外LED的性能表現(xiàn)仍受到封裝技術(shù)的制約，其中熱管理和出光效率是兩個關(guān)鍵問題。深入探究GaN基紫外LED封裝技術(shù)中的熱管理優(yōu)化與出光效率提升路徑，對于推動其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程具有重要意義。
- AMD 2026技術(shù)日4月2日登陸北京，21ic邀你來報名
- 《21ic技術(shù)洞察》系列欄目第二期：工業(yè)自動化中的AI視覺系統(tǒng)
- 歐姆龍電子樣品商城小程序來襲，找樣品不用等！現(xiàn)貨供應(yīng)+全場包郵
- Littelfuse應(yīng)用學(xué)習(xí)社第一期：打造更穩(wěn)定與安全的數(shù)據(jù)中心解決方案
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開發(fā)板來襲，申請領(lǐng)好禮
- 得捷芯聞解碼視頻研習(xí)站第五期：打造更安全、更智能、更舒適、高續(xù)航的駕乘體驗
- FPGA供電應(yīng)用遇挑戰(zhàn)？MPS高性能FPGA供電解決方案幫你破局
