日本黄色一级经典视频|伊人久久精品视频|亚洲黄色色周成人视频九九九|av免费网址黄色小短片|黄色Av无码亚洲成年人|亚洲1区2区3区无码|真人黄片免费观看|无码一级小说欧美日免费三级|日韩中文字幕91在线看|精品久久久无码中文字幕边打电话

GAN

我要報錯

  • Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

    新增產(chǎn)品確保了Nexperia持續(xù)擁有業(yè)內(nèi)廣泛的GaN FET產(chǎn)品類型

  • CGD 官宣突破100kW以上技術(shù)，推動GaN挺進(jìn)超100億美元的電動汽車逆變器市場

    2025年3月11日 英國劍橋 -無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices(CGD)開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵(GaN)技術(shù)滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組合在同一個模塊或集成功率管理器件(IPM)中，最大限度地提高了效率，為昂貴的碳化硅(SiC)解決方案提供了具有成本效益的替代方案。

  • 英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測報告》：GaN將在多個行業(yè)達(dá)到應(yīng)用臨界點，進(jìn)一步提高能源效率

    【2025年2月26日, 德國慕尼黑訊】在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內(nèi)的所有相關(guān)半導(dǎo)體材料大幅推動低碳化和數(shù)字化領(lǐng)域的發(fā)展。

  • 安全為本：亞馬遜云科技進(jìn)一步擴展多因素驗證 強化統(tǒng)一安全管理

    北京2025年2月11日 /美通社/ -- 亞馬遜云科技從一開始就將安全為本的原則融入進(jìn)其服務(wù)的構(gòu)建中，包括為客戶設(shè)置高標(biāo)準(zhǔn)的默認(rèn)安全功能。在賬戶安全的眾多要素中，強大的身份驗證是賬戶安全的基礎(chǔ)組成部分。多因素驗證（MFA）是防止未經(jīng)授權(quán)人員訪問系統(tǒng)或數(shù)據(jù)的最簡單且有效的方法之一...

  • 垂直GAN晶體管技術(shù)發(fā)展的進(jìn)步

    氮化鎵(GAN)電源設(shè)備正在看到在一系列低至中型應(yīng)用程序中的使用量增加，包括移動設(shè)備電源適配器，數(shù)據(jù)中心電源和電子示波器。通常使用側(cè)向高電子遷移式晶體管(HEMT)。將GAN功率設(shè)備的應(yīng)用范圍擴展到更高的電壓和功率可能需要使用受青睞的垂直幾何形狀。在本文中，我們將總結(jié)日本大阪大學(xué)的一組對GAN基板和垂直設(shè)備工藝流以及其物理和電氣表征的工作。

    電源
    2025-02-10
    GAN HEMT

  • Changan Automobile使用Navitas Technology推出了首個基于GAN的OBC

    Changan Automobile介紹了它聲稱是世界上第一個基于硝酸鹽(GAN)的商業(yè)鍍鍍金(GAN)的機載充電器(OBC)技術(shù)平臺，該平臺集成到新推出的Qiyuan E07電動汽車中。該國最古老的汽車制造商之一已經(jīng)實施了Navitas半導(dǎo)體的高功率GAN設(shè)備，以提高車輛充電系統(tǒng)的功率密度和效率。

    電源
    2025-02-10
    GAN OBC

  • 2025年企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者必知的生成式AI技能與教育趨勢

    亞馬遜云科技培訓(xùn)與認(rèn)證副總裁Maureen Lonergan 北京2025年1月20日 /美通社/ -- 2024年，生成式AI再度成為科技領(lǐng)域的焦點。各界人士紛紛熱議，試圖理清生成式AI對業(yè)務(wù)的影響。展望2025年，隨著生成式AI逐漸從概念驗證步入生產(chǎn)階段，更多企業(yè)正試用生成...

  • 邁向更綠色的未來：GaN技術(shù)的變革性影響

    過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長[1]。

  • 使用雙向 GaN 開關(guān)實現(xiàn)單級功率轉(zhuǎn)換

    英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術(shù)，代表了電力電子領(lǐng)域的一項非凡創(chuàng)新，特別是在實現(xiàn)單級功率轉(zhuǎn)換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設(shè)計的轉(zhuǎn)換器，與傳統(tǒng)兩級方法相比具有顯著優(yōu)勢。

    電源
    2024-12-22
    CoolGaN HEMT GaN

  • SiC和GaN的可靠性

    近年來，電力電子應(yīng)用中越來越多地從硅轉(zhuǎn)向碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。在過去的十年中，后者已被委托給SiC和GaN半導(dǎo)體，這無疑為電氣化和強勁的未來鋪平了道路。由于其固有特性，寬帶隙半導(dǎo)體在許多電力應(yīng)用中正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。硅現(xiàn)在已經(jīng)風(fēng)光無限，其應(yīng)用的可靠性一直非常高?，F(xiàn)在，有必要驗證這兩種新型半導(dǎo)體從長遠(yuǎn)來看是否可以提供相同的安全前景，以及它們在未來是否對設(shè)計人員來說是可靠的。

    電源
    2024-12-22
    SiC GaN

  • 貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書 探討基于GaN的電力電子器件的優(yōu)勢

    2024年12月3日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。

  • 德州儀器擴大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍

    德州儀器采用當(dāng)前先進(jìn)的 GaN 制造技術(shù)，現(xiàn)啟用兩家工廠生產(chǎn) GaN 功率半導(dǎo)體全系列產(chǎn)品 新聞亮點： 德州儀器增加了 GaN 制造投入，將兩個工廠的 GaN 半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。 德州儀器基于 GaN 的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。 憑借德州儀器品類齊...

  • 雙向GaN功率IC有何用途？

    雙向 GaN 電源 IC 適用于各種應(yīng)用，從電機驅(qū)動器和可再生能源逆變器到 USB 充電器、便攜式電子設(shè)備、電動自行車等。本文介紹了雙向 GaN 開關(guān)的應(yīng)用可能性示例。

    電源
    2024-10-20
    HEMT GaN

  • SiC 和 GaN 器件如何老化？

    碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)因其在許多高功率領(lǐng)域優(yōu)于硅 (Si) 的性能而聞名，包括其高效率和高開關(guān)頻率。然而，與單晶硅不同，SiC 和 GaN 具有獨特的設(shè)計和應(yīng)用問題，工程師在將這些技術(shù)用于設(shè)計時需要解決這些問題。

    汽車電子
    2024-10-13
    老化 SiC GaN

  • 常見 ACDC 電源拓?fù)渲械凸β?GaN 的優(yōu)勢

    消費者需要為其日常攜帶的各種電子設(shè)備提供便攜式、快速且高效的充電器。隨著越來越多的電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向USB Type-C?充電器，對可用于為任何設(shè)備充電的緊湊型電源適配器的需求正在迅速增加。

    電源
    2024-09-17
    ACDC GaN

  • 提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時間

    在工業(yè)電機驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換中采用寬帶隙 (WBG) 功率器件可以顯著提高系統(tǒng)效率和功率密度，并提供其他優(yōu)勢，例如更少的可聽噪聲和更快的切換帶來的更精確的控制。在這些應(yīng)用中，降低轉(zhuǎn)換損耗是實現(xiàn)凈零碳足跡以應(yīng)對氣候變化的關(guān)鍵部分，因為電機驅(qū)動器占總用電量的 60%。在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。

  • GaN微型顯示器可以徹底改變神經(jīng)外科手術(shù)

    一種基于在 Qromis 的 QST 基板上生長的氮化鎵的新設(shè)備已被設(shè)計出來，旨在為神經(jīng)外科醫(yī)生提供關(guān)鍵的術(shù)中數(shù)據(jù)，以改善決策。這種先進(jìn)的薄膜將電極網(wǎng)格與發(fā)光二極管 (LED) 結(jié)合在一起，以在手術(shù)過程中實時顯示和跟蹤大腦活動。這對于確保安全切除腫瘤和癲癇組織等腦部缺陷非常重要。

  • 基于 GaN 的 PFC可以提高 HVAC 熱泵效率

    許多國家/地區(qū)都普遍使用燃?xì)夂腿加湾仩t以及熔爐來為住宅和商業(yè)室內(nèi)空間提供空間和水加熱。可以替代這些基于化石燃料的系統(tǒng)的電熱泵被視為空間和水加熱應(yīng)用中脫碳的關(guān)鍵要素。在本文中，我們將總結(jié)一個可用于為熱泵供電的功率校正因子 (PFC) 級參考設(shè)計示例。德州儀器 (TI) 的這個參考設(shè)計使用基于氮化鎵 (GaN) 的 PFC來提高功率轉(zhuǎn)換效率，并提供了一個如何使用寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體的示例例如碳化硅(SiC)和GaN可以進(jìn)一步激勵日常能源需求的電氣化。

    電源
    2024-09-09
    PFC GaN

  • 集成電路 p 柵極 GaN HEMT 中的柵極過壓穩(wěn)定性

    功率轉(zhuǎn)換器中使用的氮化鎵 (GaN) 器件具有多種優(yōu)勢，包括更高的效率、功率密度和高頻開關(guān)。橫向 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件在此類應(yīng)用中實現(xiàn)了強勁的市場增長。這種本質(zhì)上為耗盡模式的器件的柵極驅(qū)動具有挑戰(zhàn)性，有許多解決方案可以將其轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)健的增強模式操作。

    電源
    2024-09-09
    HEMT GaN

  • 寬帶隙半導(dǎo)體組裝和測試解決方案

    全球功率半導(dǎo)體市場包括分立元件、模塊和集成電路，服務(wù)于汽車、工業(yè)和消費電子領(lǐng)域。為了利用電氣化趨勢，Carsem 密切關(guān)注日益增長的電動汽車(EV) 和可再生能源產(chǎn)品領(lǐng)域。