在IGBT的使用過程中,存在電路失效的情況,而失效的原因通常多種多樣,其中一種就是當驅(qū)動電路工作頻率相對IGBT開關(guān)頻率不足時,導致的IGBT失效問題。只有對IGBT失效原因進
IGBT模塊對不間斷電源技術(shù)提供了技術(shù)保證,正在成為不間斷電源技術(shù)中的主流技術(shù)。在IGBT模塊電源技術(shù)中,對于電路的保護是非常必要的。本文就將對IGBT保護電路中的過流保護
隨著人們對電源及電子設(shè)備的功能要求越來越高,為各種設(shè)備提供電源時需要進行的改動就越來越多。IGBT就是其中一種,然而在實際的設(shè)計過程中,很多朋友經(jīng)常會遇到IGBT莫名其
全球先進電子元件分銷商世強日前與國際橋堆制造領(lǐng)軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協(xié)議,前者正式代理包括橋堆、二極管、電源模塊、可控硅、IGBT、MOS等在內(nèi)的新電元全線產(chǎn)品。 新 電元工業(yè)株式會社于1949年成立以來,主要
本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大,以驅(qū)動IGBT,保證IGBT的可靠工作,驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用
直流大功率電源是目前工業(yè)、照明等領(lǐng)域中不可或缺的重要組成部分,也是很多工程師的重點設(shè)計方向之一。此前我們曾經(jīng)分享過幾種穩(wěn)壓直流大功率電源的設(shè)計方案,也得到了各位
21ic訊 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品在175&
1引言隨著電力電子器件制造技術(shù)的發(fā)展,高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)損耗低及工作頻率高等特點,而越來越多地
逆變效率關(guān)系到設(shè)計的整體效率,因此很多設(shè)計者高度關(guān)注逆變效率。在逆變效率中,轉(zhuǎn)換效率的特點是其效率永遠小于1,這是因為逆變器內(nèi)部的逆變電路會產(chǎn)生一定損耗,由于產(chǎn)生
很多新手在接觸逆變效率時,都會對逆變效率與之流側(cè)輸入的功率關(guān)系產(chǎn)生疑惑。在本文中,小編將通過一個例子,為大家分析直流側(cè)輸入與逆變效率到底有沒有關(guān)系,是否輸入功率
英飛凌科技股份公司推出全新S5系列,進一步增強其IGBT的性能。全新推出的這個產(chǎn)品系列立足于超薄晶圓TRENCHSTOP™ 5 IGBT,專門針對開關(guān)頻率高達40kHz的工業(yè)設(shè)備的交流-直流電力轉(zhuǎn)換裝置而開發(fā)。這類工業(yè)設(shè)備主要包括光伏逆變器(PV)和不間斷電源(UPS)。 S5系列器件能夠滿足制造商實現(xiàn)不低于98%的系統(tǒng)效率級別,從而最大限度提高太陽能電池板的發(fā)電量,同時降低系統(tǒng)成本的需求。新產(chǎn)品系列更加堅固耐用,質(zhì)量更高,可幫助最終用戶將設(shè)備壽命延長至20年??傮w而言,新推出的IGBT產(chǎn)品系
引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有M
采用IGBT作開關(guān)元件時,逆變器電路采用率聯(lián)諧振逆變電路,如圖3-33所示。這種電路的設(shè)計和工作原理與用SCR作開關(guān)的電路相同。要注意的是,IGBT和VMOS的控制極脈沖寬度必須等
IGBT、續(xù)流二極管構(gòu)成的功率開關(guān)單元模塊電路(a)所示為單開關(guān)模塊;(b)所示為兩單元(半橋)模塊;(c)所示為H橋(單相橋)模塊;(d)所示為不對稱H橋模塊;(e)所示為三相橋(六單元或
IGBT在CO2氣體保護焊電源中的應(yīng)用電路圖
如今新能源汽車日益普及,但驅(qū)動汽車前進的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)國產(chǎn)化問題,一直困擾著國內(nèi)新能源汽車廠。昨天,上海先進半導體制造公司與深圳比亞迪微電子公司簽署戰(zhàn)
1 概述上海首批交流傳動地鐵車輛,現(xiàn)編號為 AC01/02 型電動列車,是上世紀90 年代末從德國 引進的先進的交流傳動車輛,其關(guān)鍵的核心部件 是采用當時先進的可關(guān)斷晶閘管GTO
下圖是應(yīng)用檢測IGBT集電極電壓的過流保護原理,采用軟降柵壓、軟關(guān)斷及降低工作頻率保護技術(shù)的短路保護電路
圖中是利用IGBT(V1)過流集電極電壓檢測和電流傳感器檢測的綜合保護電路,在短路時經(jīng)電流傳感器檢測短路電流,經(jīng)比較器IC1輸出的高電平使V3導通進行降柵壓,V2導通進行軟關(guān)斷。
由于逆變電源在電路中肩負著直流和交流之間的轉(zhuǎn)換,所以其安全性就顯得尤為重要。如果逆變電源出現(xiàn)短路的情況,那么就有可能出現(xiàn)燒毀的情況,想要有效避免短路情況的發(fā)生,