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IR 推出1200V Gen8 IGBT系列 提升工業(yè)應用的基準效率和耐用性
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺適用于符合行業(yè)標準的TO-247封裝，并
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Littelfuse推出額定值高達1700V和450A的模塊 擴充其IGBT產(chǎn)品
標準和定制解決方案可滿足嚴苛要求Littelfuse公司是全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴充其專為電機控制和逆變器應用設計的IGBT模塊功率半導體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛
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4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應用
制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對其性能進行了優(yōu)化 。這種芯片組的特點是導通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開通行為和高魯棒性的短路行為。在
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21ic新聞大爆炸：西班牙智能電表驚現(xiàn)漏洞
1、西班牙智能電表驚現(xiàn)漏洞 可導致大面積停電近來，研究人員發(fā)現(xiàn)西班牙所使用的智能電表中存在安全漏洞，此次西班牙電表中發(fā)現(xiàn)的安全漏洞可能允許黑客進行計費欺詐甚至關(guān)閉整個電路系統(tǒng)，造成大面積停電事件發(fā)生。原
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IR推出650V器件以擴充超高速溝道IGBT系列
適合工業(yè)用電機、焊接、太陽能、感應加熱和不間斷電源應用21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵
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國家智能電網(wǎng)項目首次采用國產(chǎn)高壓大功率IGBT芯片
集成電路(俗稱“芯片”)的研發(fā)應用，我國與發(fā)達國家存在較大差距。在電力領(lǐng)域，進口芯片一直處于壟斷強勢地位，長期以來，我國輸變電設備與配用電設備中的核心芯片進口產(chǎn)品分別占到95%和80%，芯片已經(jīng)成為
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MOSFET選擇策略詳解
在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是僅有的功率開關(guān)。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制
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日益壯大的ROHM最新功率元器件產(chǎn)品陣容
前言全球知名半導體制造商ROHM利用多年來在消費電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進面向工業(yè)設備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導體
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IR第八代IGBT技術(shù)平臺和IR3847 SupIRBuck榮獲 “2014中國年度電子成就獎”
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布旗下第八代 (Gen8) 1200V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺和IR3847 SupIRBuck大電流集成式穩(wěn)壓器榮膺業(yè)界聞名的&
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概述新一代場截止陽極短路IGBT
隨著功率電子和半導體技術(shù)的快速進步，各類電力電子應用都開始要求用專門、專業(yè)的半導體開關(guān)器件，以實現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通(NPT) IGBT相比，場截止(FS)
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大功率IGBT高頻逆變電焊機電路圖
大功率IGBT高頻逆變電焊機電路如下圖所示：
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IGBT 應用常見問題及解決方法
80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了GTR和MOSFET的優(yōu)點，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提
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IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關(guān)
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基于IGBT熱計算的最大化電源設計效用解決方案
計算大多數(shù)半導體器件結(jié)溫的過程廣為人知。通常情況下，外殼或引腳溫度已知。測量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計算外殼至結(jié)點的溫升
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如何判斷過流保護，還是短路保護？
通常，在電機驅(qū)動應用中需要很多不同類型的保護，包括保護功率晶體管、電機或系統(tǒng)的任何部件。變頻器的電流保護是其中至關(guān)重要的一項。它不僅能預防對功率晶體管的任何
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意法半導體推出1200V IGBT 使用壽命更長、更節(jié)能
意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數(shù)校正
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IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
【導讀】新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設備還是人才，我國
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汽車點火系統(tǒng)中對智能IGBT技術(shù)的需求探討
若從安裝在汽車分電器中的機械觸點技術(shù)算起，點火系統(tǒng)經(jīng)已走過一段很長的發(fā)展歷程。最新的點火IGBT、混合信號IC及封裝技術(shù)，使“線圈上開關(guān)”技術(shù)所允許的種種系統(tǒng)優(yōu)勢得以實現(xiàn)。因此，本文分析了汽車點火
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我國首批最先進IGBT產(chǎn)品在中國北車(601299)下線
【導讀】12月14日，具有世界最先進水平的首批最大功率IGBT產(chǎn)品在中國北車永濟電機公司成功下線，使企業(yè)成為世界第四個、國內(nèi)第一個能夠封裝6500V以上電壓等級IGBT的廠家。這標志著我國與世界發(fā)達國家站在同一技術(shù)平臺
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英飛凌中國全新子公司開業(yè)，滿足本地對創(chuàng)新型高能效解決方案持續(xù)增長的需求
【導讀】英飛凌科技股份有限公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）今日宣布其位于中國北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的全新子公司——英飛凌集成電路（北京）有限公司正式開業(yè)。新公司注冊資本1，500萬美元，將進一步加強公司對高能效
