IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為兩種重要的半導體功率器件,在電力電子領域有著廣泛的應用。它們各自具有獨特的優(yōu)缺點,以下是對兩者優(yōu)缺點的詳細分析:
GBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。
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在電力電子技術的快速發(fā)展中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)作為關鍵的功率半導體器件,廣泛應用于電動/混合動力汽車、工業(yè)變頻器、太陽能逆變器等領域。這些應用領域對設備的可靠性和性能要求極高,因此,現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅動器必須具備高效的隔離功能和強大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅動器在提供隔離功能時的最大功率限制及其實現(xiàn)機制。
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IGBT的發(fā)展對于很多行業(yè)都有益,但是在相當長的一段時間里,IGBT的核心技術都被國外企業(yè)牢牢地把在手里?!昂诵募夹g之痛”依然橫亙在我們面前,在IGBT全球市場中,西門子旗下的子公司英飛凌占有率全面領先,IGBT分立器件和IGBT模塊的市占率分別為29.3%和 36.5%。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導體元件,在能源轉換和控制領域的作用日益凸顯。
如果正輸入電壓通過柵極,發(fā)射極保持驅動電路開啟。另一方面,如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負,則會關閉電路應用。
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隨著電子技術的提高,以及電子產(chǎn)品的發(fā)展,一些系統(tǒng)中經(jīng)常會需要負電壓為其供電。例如,在大功率變頻器,會使用負電壓為IGBT提供關斷負電壓