MOSFET,全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它由金屬、氧化物(如SiO?或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成,具有三個(gè)主要電極:源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為兩種重要的半導(dǎo)體功率器件,在電力電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)缺點(diǎn),以下是對(duì)兩者優(yōu)缺點(diǎn)的詳細(xì)分析:
GBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
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在電力電子技術(shù)的快速發(fā)展中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車、工業(yè)變頻器、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的可靠性和性能要求極高,因此,現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器必須具備高效的隔離功能和強(qiáng)大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在提供隔離功能時(shí)的最大功率限制及其實(shí)現(xiàn)機(jī)制。
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IGBT的發(fā)展對(duì)于很多行業(yè)都有益,但是在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里,IGBT的核心技術(shù)都被國(guó)外企業(yè)牢牢地把在手里?!昂诵募夹g(shù)之痛”依然橫亙?cè)谖覀兠媲埃贗GBT全球市場(chǎng)中,西門子旗下的子公司英飛凌占有率全面領(lǐng)先,IGBT分立器件和IGBT模塊的市占率分別為29.3%和 36.5%。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件,在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。
如果正輸入電壓通過(guò)柵極,發(fā)射極保持驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)啟。另一方面,如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負(fù),則會(huì)關(guān)閉電路應(yīng)用。
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