MOSFET
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D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基
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羅姆實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝并開始量產(chǎn)
21IC訊 日本半導體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗低，可靠性高，在各種應
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巧用示波器的計算功能分析熱插拔電路
盡管數(shù)字示波器是電路實驗室中最常見的儀器，但有些功能可能并不為人所熟知，數(shù)字示波器的計算功能就是其中之一。其實利用數(shù)字示波器的計算功能可以簡化對熱插拔和負載切換電路的分析。本篇應用筆記將介紹如何利用示
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LED驅(qū)動器基本拓撲的設(shè)計挑戰(zhàn)
在考慮使用LED驅(qū)動器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負載的恒定電流源的拓撲時，將LED應用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應用。輸入最高為50W，
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MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計
目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
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MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計
目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
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高效高可靠LED燈具設(shè)計的五個忠告
2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會進一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)
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LED驅(qū)動器基本拓撲的設(shè)計挑戰(zhàn)
在考慮使用LED驅(qū)動器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負載的恒定電流源的拓撲時，將LED應用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應用。輸入最高為50W，
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LED驅(qū)動器基本拓撲的設(shè)計挑戰(zhàn)
在考慮使用LED驅(qū)動器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負載的恒定電流源的拓撲時，將LED應用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應用。輸入最高為50W，
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LED驅(qū)動器基本拓撲的設(shè)計挑戰(zhàn)
在考慮使用LED驅(qū)動器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負載的恒定電流源的拓撲時，將LED應用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應用。輸入最高為50W，
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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高效高可靠LED燈具設(shè)計的五個忠告
2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會進一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)
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高效高可靠LED燈具設(shè)計的五個忠告
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響
0 引言近幾年，隨著電子消費產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流
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華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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JFET-MOSFET耳機電路圖
一款性能極佳的JFET-MOSFET耳機電路圖 JFET-MOSFET耳機電路圖
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尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響
0 引言近幾年，隨著電子消費產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流
