MOSFET
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IGBT的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域的核心器件，融合了MOSFET的電壓驅(qū)動特性與雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢，在變頻調(diào)速、新能源發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。其開關(guān)過程的動態(tài)特性直接決定了系統(tǒng)的效率、可靠性與電磁兼容性，深入理解這一過程是優(yōu)化電路設(shè)計的關(guān)鍵。
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一文搞懂三極管和MOSFET選型規(guī)范
在電子電路設(shè)計中，三極管和MOSFET是最常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)、穩(wěn)壓等電路。三極管是電流控制型器件，MOSFET是電壓控制型器件，兩者在特性和應(yīng)用場景上存在較大差異。如何根據(jù)電路需求選擇合適的三極管或MOSFET，直接影響電路的性能、效率和可靠性。
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最好的解析！開關(guān)電源MOS的8大損耗
開關(guān)電源的效率直接關(guān)系到能源利用率、散熱設(shè)計和產(chǎn)品可靠性，而MOS管作為開關(guān)電源的核心器件，其損耗占電源總損耗的40%-60%。深入理解MOS管的損耗機(jī)理，并針對性地進(jìn)行優(yōu)化，是提高開關(guān)電源效率的關(guān)鍵。MOS管的損耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、驅(qū)動損耗等八大類構(gòu)成，每類損耗都有其獨特的產(chǎn)生機(jī)理和優(yōu)化方向。
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東芝開始提供面向大電流車載直流有刷電機(jī)橋式電路的柵極驅(qū)動IC
中國上海，2026年1月29日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，開始提供適用于大電流車載直流有刷電機(jī)橋式電路的柵極驅(qū)動IC[1]——“TB9104FTG”。該器件適用于電動尾門、電動滑門和電動座椅等車身系統(tǒng)應(yīng)用。
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匯總MOSFET技術(shù)疑難
在電力電子領(lǐng)域，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)以其高速開關(guān)特性、低驅(qū)動功耗和易于集成的優(yōu)勢，成為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件。從智能手機(jī)的電源管理到電動汽車的逆變器，從數(shù)據(jù)中心服務(wù)器到航空航天控制系統(tǒng)，MOSFET的身影無處不在。然而，隨著應(yīng)用場景的不斷擴(kuò)展，其技術(shù)瓶頸逐漸顯現(xiàn)：高頻化帶來的開關(guān)損耗激增、耐壓能力與導(dǎo)通電阻的矛盾、高溫環(huán)境下的可靠性問題等，已成為制約行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素。
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英飛凌拓展 CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列，提供超低導(dǎo)通電阻和新型封裝
【2026年1月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出全新封裝的 CoolSiC? MOSFET 750V G2系列，旨在為汽車和工業(yè)電源應(yīng)用提供超高系統(tǒng)效率和功率密度。該系列現(xiàn)提供 Q-DPAK、D2PAK 等多種封裝，產(chǎn)品組合覆蓋在25°C情況下的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))值60 mΩ。
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專為12 V電池防反接設(shè)計的保護(hù)器件TPSMB非對稱瞬態(tài)抑制二極管
創(chuàng)新設(shè)計使系統(tǒng)能夠采用額定值較低的MOSFET或二極管，同時確?？煽康谋Ｗo(hù)功能，非常適合各種需要12V電池防反接保護(hù)的汽車應(yīng)用
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一文深入詳解IGBT開關(guān)過程
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件，憑借其高輸入阻抗、低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)變頻、可再生能源等領(lǐng)域。其開關(guān)過程直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。
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ROHM車載40V/60V MOSFET產(chǎn)品陣容中新增高可靠性小型新封裝產(chǎn)品
中國上海，2025年12月18日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓(40V/60V)MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封裝產(chǎn)品。
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了解齊納二極管和建立自己的測試儀
二極管在正向工作時具有小的電壓降(約0.2V至0.7V)。當(dāng)反向布線時，它們有很大的電壓降。流行的1N4001二極管的反向電壓為50V或更高，而1N4007二極管的反向電壓為1000V或更高。這意味著當(dāng)它們的反向擊穿電壓超過時，它們將開始傳導(dǎo)電流。
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安森美與佛瑞亞海拉深化戰(zhàn)略合作，共同推進(jìn)新一代電源技術(shù)發(fā)展
此次合作將帶來更智能的汽車電源解決方案，兼具卓越能效與優(yōu)化性能
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Littelfuse推出采用SMPD-X封裝的200 V、480 A超級結(jié)MOSFET
新型X4級器件在簡化熱設(shè)計，提高效率的同時減少了儲能、充電、無人機(jī)和工業(yè)應(yīng)用中零部件數(shù)量。
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Vishay推出MAACPAK PressFit封裝1200 V SiC MOSFET功率模塊，提高效率和可靠性
薄型器件適于中高頻應(yīng)用，節(jié)省空間，同時降低寄生電感，實現(xiàn)更潔凈的開關(guān)特性
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在電子系統(tǒng)中，MOSFET的應(yīng)用解析
在電子系統(tǒng)中，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為一種常用的開關(guān)器件，其開關(guān)過程中的電磁干擾(EMI)問題備受關(guān)注。
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大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于PI產(chǎn)品的62W三輸出定電壓反激式電源解決方案
2025年11月13日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于PI(Power Integrations)InnoMux?-2系列IMX2379F芯片的62W三輸出定電壓反激式電源解決方案。
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ROHM推出適用于AI服務(wù)器的寬SOA范圍5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
中國上海，2025年11月11日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封裝，非常適用于采用48VAI服務(wù)器的熱插拔電路*2，以及需要電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用。
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英飛凌擴(kuò)展其CoolSiC?產(chǎn)品系列，推出專為高功率與計算密集型應(yīng)用而設(shè)計的400V和440V MOSFET
【2025年10月24日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)通過增加頂部散熱(TSC)的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續(xù))和455V(瞬態(tài))的TOLL封裝新產(chǎn)品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計，涵蓋了AI服務(wù)器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機(jī)驅(qū)動、固態(tài)斷路器等領(lǐng)域。這款新產(chǎn)品可為這些關(guān)鍵系統(tǒng)提供所需的可靠性與性能。
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于ST產(chǎn)品的11KW AC/DC高壓電源和3KW DC/DC高壓轉(zhuǎn)低壓系統(tǒng)方案
2025年10月23日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半導(dǎo)體(ST)Stellar E1系列MCU、STGAP2SIC單柵極驅(qū)動器以及使用ST Gen3的1200V碳化硅MOSFET所設(shè)計的11KW AC/DC高壓電源和3KW DC/DC高壓轉(zhuǎn)低壓系統(tǒng)方案。
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英飛凌推出針對工業(yè)與消費類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7 功率MOSFET
【2025年10月22日, 德國慕尼黑訊】各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長對功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計思路為進(jìn)一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應(yīng)用場景為核心的設(shè)計理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出適用于工業(yè)與消費市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應(yīng)用產(chǎn)品組合。新OptiMOS? 7系列為各類工業(yè)與消費應(yīng)用場景提供了理想的解決方案，其產(chǎn)品涵蓋高性能開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動、RDS(ON)優(yōu)化等特定應(yīng)用領(lǐng)域。
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如何利用Arduino控制直流電機(jī)MOSFET速度
在本教程中，我們將學(xué)習(xí)如何使用MOSFET模塊控制直流電機(jī)速度。
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