MOSFET
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匯總MOSFET技術(shù)疑難
在電力電子領(lǐng)域，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)以其高速開關(guān)特性、低驅(qū)動(dòng)功耗和易于集成的優(yōu)勢(shì)，成為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件。從智能手機(jī)的電源管理到電動(dòng)汽車的逆變器，從數(shù)據(jù)中心服務(wù)器到航空航天控制系統(tǒng)，MOSFET的身影無(wú)處不在。然而，隨著應(yīng)用場(chǎng)景的不斷擴(kuò)展，其技術(shù)瓶頸逐漸顯現(xiàn)：高頻化帶來(lái)的開關(guān)損耗激增、耐壓能力與導(dǎo)通電阻的矛盾、高溫環(huán)境下的可靠性問(wèn)題等，已成為制約行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素。
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英飛凌拓展 CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列，提供超低導(dǎo)通電阻和新型封裝
【2026年1月12日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出全新封裝的 CoolSiC? MOSFET 750V G2系列，旨在為汽車和工業(yè)電源應(yīng)用提供超高系統(tǒng)效率和功率密度。該系列現(xiàn)提供 Q-DPAK、D2PAK 等多種封裝，產(chǎn)品組合覆蓋在25°C情況下的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))值60 mΩ。
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專為12 V電池防反接設(shè)計(jì)的保護(hù)器件TPSMB非對(duì)稱瞬態(tài)抑制二極管
創(chuàng)新設(shè)計(jì)使系統(tǒng)能夠采用額定值較低的MOSFET或二極管，同時(shí)確保可靠的保護(hù)功能，非常適合各種需要12V電池防反接保護(hù)的汽車應(yīng)用
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一文深入詳解IGBT開關(guān)過(guò)程
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件，憑借其高輸入阻抗、低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)變頻、可再生能源等領(lǐng)域。其開關(guān)過(guò)程直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。
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ROHM車載40V/60V MOSFET產(chǎn)品陣容中新增高可靠性小型新封裝產(chǎn)品
中國(guó)上海，2025年12月18日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動(dòng)泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓(40V/60V)MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封裝產(chǎn)品。
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了解齊納二極管和建立自己的測(cè)試儀
二極管在正向工作時(shí)具有小的電壓降(約0.2V至0.7V)。當(dāng)反向布線時(shí)，它們有很大的電壓降。流行的1N4001二極管的反向電壓為50V或更高，而1N4007二極管的反向電壓為1000V或更高。這意味著當(dāng)它們的反向擊穿電壓超過(guò)時(shí)，它們將開始傳導(dǎo)電流。
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安森美與佛瑞亞海拉深化戰(zhàn)略合作，共同推進(jìn)新一代電源技術(shù)發(fā)展
此次合作將帶來(lái)更智能的汽車電源解決方案，兼具卓越能效與優(yōu)化性能
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Littelfuse推出采用SMPD-X封裝的200 V、480 A超級(jí)結(jié)MOSFET
新型X4級(jí)器件在簡(jiǎn)化熱設(shè)計(jì)，提高效率的同時(shí)減少了儲(chǔ)能、充電、無(wú)人機(jī)和工業(yè)應(yīng)用中零部件數(shù)量。
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Vishay推出MAACPAK PressFit封裝1200 V SiC MOSFET功率模塊，提高效率和可靠性
薄型器件適于中高頻應(yīng)用，節(jié)省空間，同時(shí)降低寄生電感，實(shí)現(xiàn)更潔凈的開關(guān)特性
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在電子系統(tǒng)中，MOSFET的應(yīng)用解析
在電子系統(tǒng)中，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為一種常用的開關(guān)器件，其開關(guān)過(guò)程中的電磁干擾(EMI)問(wèn)題備受關(guān)注。
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大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于PI產(chǎn)品的62W三輸出定電壓反激式電源解決方案
2025年11月13日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于PI(Power Integrations)InnoMux?-2系列IMX2379F芯片的62W三輸出定電壓反激式電源解決方案。
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ROHM推出適用于AI服務(wù)器的寬SOA范圍5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
中國(guó)上海，2025年11月11日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封裝，非常適用于采用48VAI服務(wù)器的熱插拔電路*2，以及需要電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用。
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英飛凌擴(kuò)展其CoolSiC?產(chǎn)品系列，推出專為高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的400V和440V MOSFET
【2025年10月24日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)通過(guò)增加頂部散熱(TSC)的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續(xù))和455V(瞬態(tài))的TOLL封裝新產(chǎn)品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，涵蓋了AI服務(wù)器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、固態(tài)斷路器等領(lǐng)域。這款新產(chǎn)品可為這些關(guān)鍵系統(tǒng)提供所需的可靠性與性能。
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于ST產(chǎn)品的11KW AC/DC高壓電源和3KW DC/DC高壓轉(zhuǎn)低壓系統(tǒng)方案
2025年10月23日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半導(dǎo)體(ST)Stellar E1系列MCU、STGAP2SIC單柵極驅(qū)動(dòng)器以及使用ST Gen3的1200V碳化硅MOSFET所設(shè)計(jì)的11KW AC/DC高壓電源和3KW DC/DC高壓轉(zhuǎn)低壓系統(tǒng)方案。
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英飛凌推出針對(duì)工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7 功率MOSFET
【2025年10月22日, 德國(guó)慕尼黑訊】各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長(zhǎng)對(duì)功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計(jì)思路為進(jìn)一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來(lái)了新的可能性。通過(guò)采用這種以具體應(yīng)用場(chǎng)景為核心的設(shè)計(jì)理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出適用于工業(yè)與消費(fèi)市場(chǎng)的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應(yīng)用產(chǎn)品組合。新OptiMOS? 7系列為各類工業(yè)與消費(fèi)應(yīng)用場(chǎng)景提供了理想的解決方案，其產(chǎn)品涵蓋高性能開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、RDS(ON)優(yōu)化等特定應(yīng)用領(lǐng)域。
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如何利用Arduino控制直流電機(jī)MOSFET速度
在本教程中，我們將學(xué)習(xí)如何使用MOSFET模塊控制直流電機(jī)速度。
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體積更小且支持大功率!ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
中國(guó)上海，2025年10月16日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品(TO-263-7L)相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS(儲(chǔ)能系統(tǒng))以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。
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東芝推出采用最新一代工藝[1]技術(shù)的100V N溝道功率MOSFET，助力提高工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源效率
中國(guó)上海，2025年9月25日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關(guān)電源等應(yīng)用，適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站使用的工業(yè)設(shè)備。產(chǎn)品于今日開始正式出貨。
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開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的RCD緩沖設(shè)計(jì)詳解
在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，MOSFET作為核心開關(guān)器件，其開關(guān)過(guò)程產(chǎn)生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）問(wèn)題直接影響系統(tǒng)可靠性。RCD（電阻-電容-二極管）緩沖電路通過(guò)鉗位電壓尖峰、抑制振蕩，成為保護(hù)MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)。本文從工作原理、參數(shù)設(shè)計(jì)、優(yōu)化策略三方面解析RCD緩沖電路的核心設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
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英飛凌推出75 mΩ工業(yè)級(jí)CoolSiC? 650 V G2系列MOSFET，適用于具備高功率密度需求的中功率應(yīng)用場(chǎng)景
【2025年9月22日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)宣布擴(kuò)展其 CoolSiC? 650 V G2 系列 MOSFET產(chǎn)品組合，新增 75 mΩ 規(guī)格型號(hào)，以滿足市場(chǎng)對(duì)更緊湊、更高功率密度系統(tǒng)的需求。該系列器件提供多種封裝選擇，包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此，該產(chǎn)品組合可同時(shí)支持頂部冷卻(TSC)與底部冷卻(BSC)兩種散熱方案，為研發(fā)人員的設(shè)計(jì)提供了高度靈活性。此類器件非常適用于中高功率等級(jí)的開關(guān)模式電源(SMPS)，可廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括AI服務(wù)器、可再生能源系統(tǒng)、電動(dòng)汽車及電動(dòng)汽車充電樁、人形機(jī)器人充電、電視機(jī)以及各類驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
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