美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2025年12月3日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出兩種新型1200 V MOSFET功率模塊---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，提高汽車、能源、工業(yè)和通信系統(tǒng)中高頻應用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY038P120和VS-MPX075P120分別有四顆和六顆MOSFET的模塊，采用薄型MAACPAK PressFit封裝，是先進的碳化硅(SiC)技術和堅固的傳遞模塑結構的理想組合。

日前發(fā)布的功率模塊集成Vishay新一代SiC MOSFET與用于溫度感測的負溫度系數(NTC)熱敏電阻，以及具有低反向恢復時間的快速本征SiC二極管，從而降低開關損耗，提高效率，適用于光伏逆變器、電動(EV)和混合電動(HEV)汽車充電器、電機驅動器、焊機、DC/DC轉換器、UPS、暖通空調(HVAC)系統(tǒng)、大型電池儲能系統(tǒng)、通信電源等。

為提高可靠性，VS-MPY038P120和VS-MPX075P120采用堅固的傳遞模塑工藝技術，產品生命周期遠超市場上現有的傳統(tǒng)解決方案，同時增強熱阻性能。此外，器件高度低，有助于降低寄生電感和電磁干擾(EMI)，節(jié)省空間，實現更高效、更干凈的開關特性。模塊PressFit引腳矩陣排列符合行業(yè)標準布局，便于輕松替換現有設計中的競品解決方案，提高性能。

VS-MPY038P120采用全橋逆變器拓撲結構，導通電阻低至38 mW，+80 °C下連續(xù)漏極電流為35 A, 而VS-MPX075P120則采用三相逆變器拓撲結構，導通電阻為75 mW，連續(xù)漏極電流為18 A。兩種器件都具有低容值高速開關功能，最高工作結溫達+175 °C。功率模塊符合RoHS標準，無鹵素。