MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎

2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。《今

電子設(shè)計自動化
2011-10-10

MOSFET Vishay TOP DC電源
Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于

功率器件
2011-10-10

器件 SILICONIX MOSFET Vishay
一種高效率AC/DC電源的設(shè)計

由于功率密度的增加，能量損耗的密度也更為集中。更高的效率就意味著更低的熱損耗。提高電源效率正在迅速成為提高功率密度時唯一可行的措施。本文討論的AC/DC電源，80%以上的效率就可以被視為高效率?，F(xiàn)在，市場上可

功率器件
2011-10-06

二極管 AC/DC MOSFET DC電源
兩種常見的MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計

由分立器件組成的驅(qū)動電路((如圖所示)，驅(qū)動電路工作原理如下：　　A.當(dāng)HS為高電平時，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電

功率器件
2011-09-23

電容電平驅(qū)動電路設(shè)計 MOSFET
集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM

工業(yè)控制
2011-09-20

集成控制器驅(qū)動器 MOSFET
低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計人員設(shè)計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品。　　便攜式產(chǎn)品(如手機、數(shù)碼照相機、

消費電子
2011-09-20

晶體管 CE PMU MOSFET
電動自行車控制器MOSFET驅(qū)動電路的設(shè)計

電動自行車具有環(huán)保節(jié)能，價格合適，無噪聲，便利等特點，因此，電動自行車成為當(dāng)今社會人們主要的代步工具。與此同時，消費者和商家對整車的質(zhì)量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤

功率器件
2011-09-20

電感驅(qū)動電路電動自行車控制器 MOSFET
高精度MOSFET設(shè)計技巧

隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的

模擬
2011-09-19

高精度電壓 BSP MOSFET
Blade封裝技術(shù)助力　低壓MOSFET效能升級

在綠色節(jié)能熱潮持續(xù)發(fā)燒與能源規(guī)范日趨嚴格等因素驅(qū)使下，市場對電源供應(yīng)系統(tǒng)的效率和功率密度的要求也不斷提升。為因應(yīng)此一發(fā)展趨勢，英飛凌(Infineon)已研發(fā)出采用新一代Blade封裝技術(shù)的低壓金屬氧化物場效電晶體(

模擬
2011-09-19

低壓封裝技術(shù) AD MOSFET
Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電

電源
2011-09-18

器件導(dǎo)通電阻 MOSFET Vishay
Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電

功率器件
2011-09-18

器件導(dǎo)通電阻 MOSFET Vishay
集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM

電源
2011-09-18

集成控制器驅(qū)動器 MOSFET
集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能 1 LM

功率器件
2011-09-18

集成控制器驅(qū)動器 MOSFET
低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計人員設(shè)計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機、數(shù)碼照相機、

功率器件
2011-09-17

晶體管 CE PMU MOSFET
高精度MOSFET設(shè)計技巧

隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的

電源
2011-09-17

高精度電壓 BSP MOSFET
高精度MOSFET設(shè)計技巧

隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的

功率器件
2011-09-17

高精度電壓 BSP MOSFET
IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

21ic訊國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內(nèi)

汽車電子
2011-09-14

器件導(dǎo)通電阻 BSP MOSFET
閘能科技朝高效率綠能產(chǎn)品應(yīng)用IC發(fā)展

綠能環(huán)保已成全球電子業(yè)發(fā)展趨勢，位于南港IC設(shè)計育成中心的IC設(shè)計新創(chuàng)公司閘能科技( Alfa-MOS Technology)，完成MOSFET、LED Driver、ESD等產(chǎn)品線的多項成果，符合手持裝置、LED燈源、LCD面板以及車載等電子系統(tǒng)在綠

消費電子
2011-09-14

IC IC設(shè)計 TECHNOLOGY MOSFET
開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實現(xiàn)的設(shè)計

電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關(guān)狀態(tài),硬開關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時,D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時不為零

電源
2011-09-13

電壓軟開關(guān) 推挽逆變器 MOSFET
開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實現(xiàn)的設(shè)計

電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關(guān)狀態(tài),硬開關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時,D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時不為零

功率器件
2011-09-13

電壓軟開關(guān) 推挽逆變器 MOSFET

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Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎

Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

一種高效率AC/DC電源的設(shè)計

兩種常見的MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

電動自行車控制器MOSFET驅(qū)動電路的設(shè)計

高精度MOSFET設(shè)計技巧

Blade封裝技術(shù)助力　低壓MOSFET效能升級

Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

高精度MOSFET設(shè)計技巧

高精度MOSFET設(shè)計技巧

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

閘能科技朝高效率綠能產(chǎn)品應(yīng)用IC發(fā)展

開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實現(xiàn)的設(shè)計

開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實現(xiàn)的設(shè)計

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