RAM

我要報(bào)錯(cuò)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫（刷新時(shí)除外），而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，即一旦斷電所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。[1]

韓版Galaxy S III登場(chǎng)：四核LTE2GB RAM

據(jù)韓國媒體最新消息，三星電子今日在韓國首爾召開發(fā)布會(huì)，正式在本土推出了四核旗艦Galaxy S III，此外，該公司還發(fā)布了世界首款的四核LTE手機(jī)——Galaxy S III LTE。與之前消息比較一致的是，韓版4G LTE的Galaxy S

消費(fèi)電子
2012-06-27

GB LTE RAM 四核
韓版Galaxy S III登場(chǎng)：四核LTE2GB RAM

據(jù)韓國媒體最新消息，三星電子今日在韓國首爾召開發(fā)布會(huì)，正式在本土推出了四核旗艦Galaxy S III，此外，該公司還發(fā)布了世界首款的四核LTE手機(jī)——Galaxy S III LTE。與之前消息比較一致的是，韓版4G LTE的Galaxy S

消費(fèi)電子
2012-06-27

GB LTE RAM 四核
成為公司核心員工必殺5招

5招讓你成為公司核心員工職場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)如戰(zhàn)場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)，還記得《穿普拉達(dá)的女王》中，那個(gè)總裁助理嗎?全年無休，卻因?yàn)橐淮涡⌒〉纳∽≡?，在住院期間職位被一個(gè)剛畢業(yè)的大學(xué)生所取代。當(dāng)然那個(gè)大學(xué)生也為之付出了很多努力，

充電吧
2012-06-26

IC MDASH RAM
全球PC市場(chǎng)增長乏力知名廠商謀轉(zhuǎn)型

在全球PC(個(gè)人電腦)市場(chǎng)增長日益乏力的背景下，作為知名PC廠商的戴爾正在謀求轉(zhuǎn)型。25日下午，戴爾(中國)服務(wù)總部在廈門落成。戴爾亞太及日本地區(qū)總裁、戴爾全球新興市場(chǎng)董事長閔毅達(dá)，將服務(wù)總部的落成視為戴爾&ldq

智能硬件
2012-06-26

戴爾 PC市場(chǎng) RAM
報(bào)告稱2017年摩洛哥移動(dòng)寬帶收入3.23億美元 LTE拉動(dòng)

北京時(shí)間6月26日早間消息（蔣均牧）據(jù)電信調(diào)研機(jī)構(gòu)Pyramid Research最新報(bào)告顯示，摩洛哥商用LTE業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)將于2014年開通，將幫助運(yùn)營商滿足日益增長的移動(dòng)寬帶業(yè)務(wù)需求，到2017年該國移動(dòng)寬帶業(yè)務(wù)收入規(guī)模將達(dá)3.23億

通信技術(shù)
2012-06-26

電信移動(dòng)寬帶 LTE RAM
成為公司核心員工必殺5招

成為公司核心員工必殺5招

嵌入式職業(yè)規(guī)劃
2012-06-24

IC MDASH RAM
與MCS51系列單片機(jī)相同的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)解析方案

MCS96系列單片機(jī)是一種16位字長，比MCS51系列單片機(jī)功能更全、性能更高的單片機(jī)，在儀器儀表、過程控制等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛。在采用MCS96系列單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)中，我們碰到一個(gè)難題：當(dāng)需要大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)，數(shù)據(jù)存

單片機(jī)
2012-06-20

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 51系列單片機(jī) MCS51 RAM
段式管理的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)解析方案

MCS96系列單片機(jī)是一種16位字長，比MCS51系列單片機(jī)功能更全、性能更高的單片機(jī)，在儀器儀表、過程控制等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛。在采用MCS96系列單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)中，我們碰到一個(gè)難題：當(dāng)需要大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)，數(shù)據(jù)存

單片機(jī)
2012-06-19

編程譯碼器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 RAM
FPGA的基本結(jié)構(gòu)

一、FPGA的基本結(jié)構(gòu)FPGA由6部分組成，分別為可編程輸入/輸出單元、基本可編程邏輯單元、嵌入式塊RAM、豐富的布線資源、底層嵌入功能單元和內(nèi)嵌專用硬核等。每個(gè)單元簡(jiǎn)介如下：1.可編程輸入/輸出單元（I/O單元）目前大

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-06-18

FPGA 寄存器可編程邏輯單元 RAM
日研發(fā)出新型混合SSD存儲(chǔ)體突破PC最大瓶頸

根據(jù)最近報(bào)道，一個(gè)來自日本中央大學(xué)的研究小組，成功發(fā)展出一種新型混合SSD存儲(chǔ)體，存儲(chǔ)和讀取速度比目前一般的固態(tài)存儲(chǔ)單元快11倍。不僅如此，這種新存儲(chǔ)體能耗比純NAND閃存低93%，壽命則延長了7倍。這種新型混合存

智能硬件
2012-06-17

PC SSD SD存儲(chǔ) RAM
頂級(jí)版Galaxy S III：四核2GB RAM

三星曾在先后在日本、加拿大和美國市場(chǎng)推出了高通S4雙核2GB RAM的Galaxy S III，而據(jù)國外最新消息，三星也將在韓國本土推出了比目前所有版本都更優(yōu)秀的GS3。據(jù)目前泄漏的一份內(nèi)部截圖可以看到，韓國版Galaxy S III也

消費(fèi)電子
2012-06-13

三星 GB RAM 四核
頂級(jí)版Galaxy S III：四核2GB RAM

三星曾在先后在日本、加拿大和美國市場(chǎng)推出了高通S4雙核2GB RAM的Galaxy S III，而據(jù)國外最新消息，三星也將在韓國本土推出了比目前所有版本都更優(yōu)秀的GS3。據(jù)目前泄漏的一份內(nèi)部截圖可以看到，韓國版Galaxy S III也

消費(fèi)電子
2012-06-13

三星 GB RAM 四核
羅馬尼亞或在2013年推出LTE網(wǎng)絡(luò)

北京時(shí)間6月5日上午消息（艾斯）來自Pyramid Research的最新研究報(bào)告顯示，預(yù)計(jì)羅馬尼亞將在2013年推出LTE網(wǎng)絡(luò)，到2017年，將會(huì)吸引約83萬LTE用戶。Pyramid Research聯(lián)合分析師Olena Kaplan指出，LTE技術(shù)競(jìng)拍預(yù)計(jì)將

通信技術(shù)
2012-06-05

寬帶 RESEARCH LTE網(wǎng)絡(luò) RAM
完備的中等功率電源管理方案

　圖一電路為一完備的電源管理方案，適用于PDA、手持式盤點(diǎn)機(jī)、POS 機(jī)等中等功率便攜式設(shè)備。該方案中，輸入為一不穩(wěn)定的直流（墻上適配器或其它AC-DC 轉(zhuǎn)換器）或2 節(jié)AA 電池，輸出主電壓3.3V/500mA。電路中還包括一

電源AC/DC
2012-06-04

適配器電源管理電路 RAM
探究最佳的結(jié)構(gòu)化ASIC設(shè)計(jì)方法

探究最佳的結(jié)構(gòu)化ASIC設(shè)計(jì)方法

嵌入式教程
2012-05-29

FPGA ASIC ASIC設(shè)計(jì) RAM
研究者開發(fā)出 ReRAM 硅芯片，速度可達(dá)普通閃存 100 倍

還記得我們之前報(bào)道過的ReRAM（可變電阻式記憶體）嗎？不記得的話也沒有關(guān)系，你只要知道兩點(diǎn)就行了：它的速度要遠(yuǎn)高于NAND型閃存；Elpida、夏普、松下這些廠商已經(jīng)將此項(xiàng)技術(shù)運(yùn)用到自己的芯片產(chǎn)品中去了。而最近來自

充電吧
2012-05-23

晶片芯片硅芯片 RAM
ReRAM研發(fā)成功

倫敦大學(xué)研究人員宣布，他們拿出了第一個(gè)純粹基于氧化硅的電阻RAM（ReRAM）內(nèi)存芯片。該芯片可以在室溫環(huán)境當(dāng)中正常工作，因此可以用在未來超快內(nèi)存上。ReRAM內(nèi)存芯片的基礎(chǔ)材料，在施加電壓情況下會(huì)改變電阻，使它們

智能硬件
2012-05-22

計(jì)算機(jī) 存儲(chǔ)空間內(nèi)存芯片 RAM
實(shí)時(shí)語音識(shí)別系統(tǒng)在家庭監(jiān)護(hù)機(jī)器人的實(shí)現(xiàn)

摘要：文中闡述的是家庭監(jiān)護(hù)機(jī)器人項(xiàng)目中語音識(shí)別系統(tǒng)設(shè)計(jì)的部分，通過DSP、DMA和ARM Cortex-A8的并行處理，利用雙緩沖的方法，在嵌入式Linux上實(shí)現(xiàn)了基于ATK的實(shí)時(shí)語音識(shí)別系統(tǒng)。文中對(duì)該系統(tǒng)的軟硬件進(jìn)行了設(shè)計(jì)。在

工業(yè)控制
2012-05-18

DSP 機(jī)器人語音識(shí)別系統(tǒng) RAM
實(shí)時(shí)語音識(shí)別系統(tǒng)在家庭監(jiān)護(hù)機(jī)器人的實(shí)現(xiàn)

摘要：文中闡述的是家庭監(jiān)護(hù)機(jī)器人項(xiàng)目中語音識(shí)別系統(tǒng)設(shè)計(jì)的部分，通過DSP、DMA和ARM Cortex-A8的并行處理，利用雙緩沖的方法，在嵌入式Linux上實(shí)現(xiàn)了基于ATK的實(shí)時(shí)語音識(shí)別系統(tǒng)。文中對(duì)該系統(tǒng)的軟硬件進(jìn)行了設(shè)計(jì)。在

數(shù)字電源
2012-05-16

DSP 機(jī)器人語音識(shí)別系統(tǒng) RAM
小米推出“青春版”低配手機(jī) 售價(jià)1499元[圖]

5月15日上午消息，小米公司今日宣布推出雙核1.2G “青春版”手機(jī)，采用雙核1.2G處理器、768M RAM，配置略低于此前版本，售價(jià)1499元。該款機(jī)型配置了主頻雙核1.2GHz的高通處理器、4英寸夏普屏、800萬像素?cái)z

通信技術(shù)
2012-05-15

雙核小米 RAM

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RAM

韓版Galaxy S III登場(chǎng)：四核LTE2GB RAM

韓版Galaxy S III登場(chǎng)：四核LTE2GB RAM

成為公司核心員工必殺5招

全球PC市場(chǎng)增長乏力知名廠商謀轉(zhuǎn)型

報(bào)告稱2017年摩洛哥移動(dòng)寬帶收入3.23億美元 LTE拉動(dòng)

成為公司核心員工必殺5招

與MCS51系列單片機(jī)相同的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)解析方案

段式管理的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)解析方案

FPGA的基本結(jié)構(gòu)

日研發(fā)出新型混合SSD存儲(chǔ)體突破PC最大瓶頸

頂級(jí)版Galaxy S III：四核2GB RAM

頂級(jí)版Galaxy S III：四核2GB RAM

羅馬尼亞或在2013年推出LTE網(wǎng)絡(luò)

完備的中等功率電源管理方案

探究最佳的結(jié)構(gòu)化ASIC設(shè)計(jì)方法

研究者開發(fā)出 ReRAM 硅芯片，速度可達(dá)普通閃存 100 倍

ReRAM研發(fā)成功

實(shí)時(shí)語音識(shí)別系統(tǒng)在家庭監(jiān)護(hù)機(jī)器人的實(shí)現(xiàn)

實(shí)時(shí)語音識(shí)別系統(tǒng)在家庭監(jiān)護(hù)機(jī)器人的實(shí)現(xiàn)

小米推出“青春版”低配手機(jī) 售價(jià)1499元[圖]

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