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開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件

關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器碳化硅(SiC)進(jìn)入21世紀(jì)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展，這需要我國(guó)電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開(kāi)

功率器件
2012-09-10

開(kāi)關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器碳化硅 SIC
昭和電工將SiC外延晶圓產(chǎn)能提高到2.5倍

昭和電工于2012年8月30日宣布，將功率半導(dǎo)體器件用4英寸SiC外延晶圓（也叫磊晶）的產(chǎn)能提高到了原來(lái)的2.5倍。采用SiC的功率半導(dǎo)體器件有利于減小逆變器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的尺寸，降低損耗，因此器件廠商都在積極開(kāi)發(fā)

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2012-09-03

晶圓基板功率半導(dǎo)體器件 SIC
DENSO傳研發(fā)次世代半導(dǎo)體材料SiC晶圓 2年后量產(chǎn)

日經(jīng)新聞23日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球汽車(chē)零組件巨擘DENSO已攜手昭和電工、日本新能源暨產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)共同研發(fā)出環(huán)保車(chē)高性能晶片用次世代半導(dǎo)體材料「碳化矽(SiC)晶圓」。報(bào)導(dǎo)指出，和現(xiàn)行矽晶圓相比，SiC晶圓結(jié)晶困

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2012-08-24

晶片晶圓半導(dǎo)體材料 SIC
功率半導(dǎo)體采用新型材料更能符合節(jié)能需求

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)

消費(fèi)電子
2012-08-08

功率半導(dǎo)體 GAN 碳化硅 SIC
功率半導(dǎo)體采用新型材料更能符合節(jié)能需求

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)

消費(fèi)電子
2012-08-08

功率半導(dǎo)體 GAN 碳化硅 SIC
功率半導(dǎo)體采用新型材料，更能符合節(jié)能需求

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)

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2012-08-07

功率半導(dǎo)體 GAN 碳化硅 SIC
組件小型化，滿(mǎn)足混合動(dòng)力汽車(chē)需求

值此石油價(jià)格及環(huán)保意識(shí)高漲之際，采用新能源的車(chē)輛開(kāi)發(fā)備受關(guān)注，但是受限于技術(shù)進(jìn)展及配套措施，中國(guó)大陸的混合動(dòng)力汽車(chē)及純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量仍然偏少。根據(jù)中國(guó)大陸汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，今年一季度中國(guó)大陸國(guó)

消費(fèi)電子
2012-08-07

羅姆組件混合動(dòng)力汽車(chē) SIC
組件小型化，滿(mǎn)足混合動(dòng)力汽車(chē)需求

值此石油價(jià)格及環(huán)保意識(shí)高漲之際，采用新能源的車(chē)輛開(kāi)發(fā)備受關(guān)注，但是受限于技術(shù)進(jìn)展及配套措施，中國(guó)大陸的混合動(dòng)力汽車(chē)及純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量仍然偏少。根據(jù)中國(guó)大陸汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，今年一季度中國(guó)大陸國(guó)

消費(fèi)電子
2012-08-07

羅姆組件混合動(dòng)力汽車(chē) SIC
GaN發(fā)展勢(shì)頭迅猛提前達(dá)到10億美元市場(chǎng)規(guī)模

雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬(wàn)美元的資金（主要投向美國(guó)Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）

消費(fèi)電子
2012-08-06

功率器件硅基 GAN SIC
GaN發(fā)展勢(shì)頭迅猛提前達(dá)到10億美元市場(chǎng)規(guī)模

雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬(wàn)美元的資金（主要投向美國(guó)Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）

消費(fèi)電子
2012-08-06

功率器件硅基 GAN SIC
GaN發(fā)展將比預(yù)想更早形成10億美元市場(chǎng)

即使目前只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬(wàn)美元的資金(主要投向美國(guó)Transphorm公司)。使用GaN的器件能夠給消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、照明器具及IT(信息通信)設(shè)備

顯示光電
2012-08-06

功率器件 EPC GAN SIC
Yole 預(yù)估2012年功率半導(dǎo)體規(guī)模將達(dá)200億美元

市調(diào)機(jī)構(gòu) Yole Developpement 指出，包括分立式半導(dǎo)體、模塊和IC在內(nèi)的功率組件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估2012年將達(dá)到200億美元。這些產(chǎn)品可滿(mǎn)足新興的混合動(dòng)力車(chē)應(yīng)用，以及從太陽(yáng)能逆變器到照明、加熱器等多種應(yīng)用，產(chǎn)品范圍從幾

消費(fèi)電子
2012-08-03

功率半導(dǎo)體組件 GAN SIC
Yole 預(yù)估2012年功率半導(dǎo)體規(guī)模將達(dá)200億美元

市調(diào)機(jī)構(gòu) Yole Developpement 指出，包括分立式半導(dǎo)體、模塊和IC在內(nèi)的功率組件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估2012年將達(dá)到200億美元。這些產(chǎn)品可滿(mǎn)足新興的混合動(dòng)力車(chē)應(yīng)用，以及從太陽(yáng)能逆變器到照明、加熱器等多種應(yīng)用，產(chǎn)品范圍從幾

消費(fèi)電子
2012-08-03

功率半導(dǎo)體組件 GAN SIC
潛力無(wú)限，GaN市場(chǎng)2013年起飛

導(dǎo)讀：自2011年以來(lái)，50-250伏特(V)負(fù)載點(diǎn)(Point-of-load)及高階功率元件的市場(chǎng)需求不斷高漲，而目前新的GaN元件規(guī)格已能符合此一耐壓區(qū)間，將借更優(yōu)異的材料特性，快速在市場(chǎng)上崛起。雖然氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體(Pow

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2012-07-31

元件 SIM GAN SIC
Yole：2012年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)200億美元

市調(diào)機(jī)構(gòu)YoleDeveloppement指出，包括分立式半導(dǎo)體、模組和IC在內(nèi)的功率元件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估2012年將達(dá)到200億美元。這些產(chǎn)品可滿(mǎn)足新興的混合動(dòng)力車(chē)應(yīng)用，以及從太陽(yáng)能逆變器到照明、加熱器等多種應(yīng)用，產(chǎn)品范圍從幾伏

半導(dǎo)體
2012-07-31

元件功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體市場(chǎng) SIC
日本鐵路致力于高效節(jié)能采用LED SiC新型半導(dǎo)體

受東日本大地震和少子老齡化等影響，日本鐵路行業(yè)的業(yè)務(wù)環(huán)境正在發(fā)生巨變。本站將分兩次介紹鐵路技術(shù)第一線的情況。首先是為實(shí)現(xiàn)節(jié)能而采取的舉措。日本的鐵路行業(yè)如今處在劇烈的環(huán)境變化之中。對(duì)節(jié)能要求嚴(yán)格是重大

顯示光電
2012-07-13

半導(dǎo)體 LED 鐵路 SIC
品牌DNA成就羅姆在半導(dǎo)體行業(yè)的影響力

在近期廣東省計(jì)劃三年內(nèi)普及LED公共照明的利好政策下，6月的廣州照明展無(wú)疑成為最大的關(guān)注話題。作為亞洲最大規(guī)模的照明展覽會(huì)，為期4天的廣州照明展吸引了國(guó)內(nèi)外知名展商的踴躍報(bào)名。業(yè)界知名的半導(dǎo)體制造商羅姆(RO

消費(fèi)電子
2012-07-10

羅姆半導(dǎo)體行業(yè) DNA SIC
USB的芯片互連標(biāo)準(zhǔn)SSIC正式推出

USB的芯片互連標(biāo)準(zhǔn)SSIC正式推出

嵌入式動(dòng)態(tài)
2012-06-26

USB 芯片 GROUP SIC
英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列

21ic訊 — 在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國(guó)際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地

廠商動(dòng)態(tài)
2012-06-20

FET ICT LSI SIC
英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件

21ic訊在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國(guó)際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這個(gè)

功率器件
2012-06-17

FET ICT LSI SIC

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SIC

開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件

昭和電工將SiC外延晶圓產(chǎn)能提高到2.5倍

DENSO傳研發(fā)次世代半導(dǎo)體材料SiC晶圓 2年后量產(chǎn)

功率半導(dǎo)體采用新型材料更能符合節(jié)能需求

功率半導(dǎo)體采用新型材料更能符合節(jié)能需求

功率半導(dǎo)體采用新型材料，更能符合節(jié)能需求

組件小型化，滿(mǎn)足混合動(dòng)力汽車(chē)需求

組件小型化，滿(mǎn)足混合動(dòng)力汽車(chē)需求

GaN發(fā)展勢(shì)頭迅猛提前達(dá)到10億美元市場(chǎng)規(guī)模

GaN發(fā)展勢(shì)頭迅猛提前達(dá)到10億美元市場(chǎng)規(guī)模

GaN發(fā)展將比預(yù)想更早形成10億美元市場(chǎng)

Yole 預(yù)估2012年功率半導(dǎo)體規(guī)模將達(dá)200億美元

Yole 預(yù)估2012年功率半導(dǎo)體規(guī)模將達(dá)200億美元

潛力無(wú)限，GaN市場(chǎng)2013年起飛

Yole：2012年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)200億美元

日本鐵路致力于高效節(jié)能采用LED SiC新型半導(dǎo)體

品牌DNA成就羅姆在半導(dǎo)體行業(yè)的影響力

USB的芯片互連標(biāo)準(zhǔn)SSIC正式推出

英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列

英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件

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