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ROHM發(fā)布搭載新型SiC模塊的三相逆變器參考設(shè)計!
中國上海，2026年3月5日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，在官網(wǎng)發(fā)布了搭載EcoSiC?品牌SiC塑封型模塊“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack?”的三相逆變器電路參考設(shè)計“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。設(shè)計者可利用此次發(fā)布的參考設(shè)計數(shù)據(jù)制作驅(qū)動電路板，與ROHM的SiC模塊組合使用，可縮減實際設(shè)備評估的設(shè)計周期。
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氮化鎵“攻入”汽車主驅(qū)深水區(qū)：VisIC如何用D型技術(shù)顛覆SiC的行業(yè)共識？
在第三代半導(dǎo)體的版圖中，行業(yè)似乎早已形成了一種“默契共識”——碳化硅（SiC）主導(dǎo)電動汽車高壓主驅(qū)，氮化鎵（GaN）則局限于消費快充與車載OBC等輔助電源領(lǐng)域——牽引逆變器，是SiC的絕對專屬領(lǐng)地。然而，VisIC的GaN將會改寫這一格局，在80-350kW的大功率主驅(qū)逆變器中，氮化鎵不僅能做高壓，而且在效率、可靠性與系統(tǒng)成本上，正展現(xiàn)出超越碳化硅的巨大潛力。
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Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業(yè)能源管理技術(shù)新征程
2026年01月13日，比利時泰森德洛·哈姆——全球微電子工程公司Melexis宣布，其創(chuàng)新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進(jìn)的功率半導(dǎo)體模塊制造商利普思(Leapers)選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標(biāo)志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新與系統(tǒng)優(yōu)化上的深度融合，共同致力于推動汽車與工業(yè)能源管理領(lǐng)域的發(fā)展。
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VisIC完成超億元B輪融資，現(xiàn)代汽車等最新參投
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia（統(tǒng)稱"HKMC"）作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧納2026年1月7日 /美通社/ -- 電動汽車氮化鎵（Ga...
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TrendForce集邦咨詢: 2025年第三季度電動車SiC逆變器裝機量創(chuàng)單季新高，滲透率上升至18%
Jan. 9, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，受惠于新能源車[注1]市場成長，2025年第三季全球電動車[注2]牽引逆變器總裝機量達(dá)835萬臺，年增22%。純電動車(BEV)及插電混合式電動車(PHEV)為主要動能來源，裝機成長率分別為36%和13.6%。
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愛普科技擴大S-SiCap?技術(shù)應(yīng)用版圖 滿足AI與HPC新需求
新竹2025年12月17日 /美通社/ -- 全球客制化存儲芯片解決方案設(shè)計公司愛普科技今日宣布，S-SiCapTM（Stack Silicon Capacitor）產(chǎn)品線持續(xù)深化技術(shù)布局，聚焦AI服務(wù)器與高性能計算（HPC）的整合挑戰(zhàn)。S-SiCapTM產(chǎn)品線涵蓋分離式硅電容（...
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VisIC宣布完成2,600萬美元B輪融資
VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia（統(tǒng)稱“HKMC”）作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧納2025年12月11日 /美通社...
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破局固態(tài)斷路器應(yīng)用，安森美SiC JFET因何成為最優(yōu)解
斷路器是一種用于保護電路免受過電流、過載及短路損壞的器件。機電式斷路器 (EMB) 作為業(yè)界公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)器件，包含兩個獨立觸發(fā)裝置：一個是雙金屬片，響應(yīng)速度較慢，由過電流觸發(fā)跳閘；另一個則是電磁裝置，響應(yīng)速度較快，由短路觸發(fā)啟動。EMB 擁有設(shè)定好的跳閘電流（通常為固定值），具備瞬時跳閘（電磁觸發(fā)）和延時跳閘（熱觸發(fā)/雙金屬片觸發(fā)）兩種特性，可穩(wěn)妥可靠地應(yīng)對短路與過載情況。
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EliteSiC柵極驅(qū)動器匹配全指南：關(guān)鍵設(shè)計要點解析
本指南旨在針對各類高功率主流應(yīng)用，提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動器的專業(yè)指導(dǎo)，同時探索減少導(dǎo)通損耗與功率損耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在導(dǎo)通和關(guān)斷過程中的電壓與電流效率。
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Vishay推出MAACPAK PressFit封裝1200 V SiC MOSFET功率模塊，提高效率和可靠性
薄型器件適于中高頻應(yīng)用，節(jié)省空間，同時降低寄生電感，實現(xiàn)更潔凈的開關(guān)特性
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三安碳化硅芯片成功上車，攜手理想開啟戰(zhàn)略合作新篇章
長沙2025年11月28日 /美通社/ -- 近日，三安光電旗下的湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡稱"湖南三安"）在長沙隆重舉行以"全‘芯'力量，共赴理想"為主題的三安碳化硅芯片上車儀式。此次活動不僅是對湖南三安車規(guī)級碳化硅芯片在性能、可...
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800V高壓平臺“破局”：從SiC器件到扁線電機，全鏈路升級如何實現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航300公里？
當(dāng)新能源汽車駛?cè)搿案邏簳r代”，一場關(guān)于充電效率的革命正以摧枯拉朽之勢重塑行業(yè)格局。2025年，800V高壓平臺滲透率從2022年的2.5%飆升至15%，主流車型充電時間壓縮至12分鐘，部分技術(shù)標(biāo)桿甚至實現(xiàn)“充電5分鐘續(xù)航300公里”的突破。這一跨越式發(fā)展的背后，是SiC功率器件、扁線電機、電池?zé)峁芾淼热溌芳夹g(shù)的協(xié)同進(jìn)化，共同編織出一張覆蓋充電、驅(qū)動、熱管理的技術(shù)網(wǎng)絡(luò)。
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三安半導(dǎo)體攜技術(shù)洞見亮相CPEEC & CPSSC 2025賦能高效能源未來
深圳2025年11月12日 /美通社/ -- 11月7日至10日，中國電源領(lǐng)域規(guī)模最大、影響力最廣的行業(yè)盛會——CPEEC & CPSSC 2025在深圳寶安國際會展中心舉辦。三安光電旗下湖南三安半導(dǎo)體（以下簡稱"三安半導(dǎo)體"）作為國內(nèi)碳化硅...
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體積更小且支持大功率!ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
中國上海，2025年10月16日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品(TO-263-7L)相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS(儲能系統(tǒng))以及要求扁平化設(shè)計的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。
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GaNSiC功率器件應(yīng)用，高頻高效電路設(shè)計與熱管理挑戰(zhàn)
在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等高算力場景，功率電子器件正經(jīng)歷一場由傳統(tǒng)硅基向?qū)捊麕Р牧?GaN氮化鎵、SiC碳化硅)的革命性轉(zhuǎn)型。GaN與SiC憑借其獨特的物理特性，不僅重塑了功率器件的性能邊界，更對高頻電路設(shè)計與熱管理系統(tǒng)提出了全新挑戰(zhàn)。
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功率半導(dǎo)體的極致演繹，英飛凌從晶圓、封裝、模塊、方案進(jìn)行全面技術(shù)創(chuàng)新
從工業(yè)數(shù)字化、到電動出行、再到現(xiàn)在的AI革命，離不開創(chuàng)新的能源技術(shù)驅(qū)動，尤其是以SiC/GaN為代表的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。而英飛凌憑借在該領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，牢牢把握這一趨勢。
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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度
【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應(yīng)用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。未來，客戶可同時從英飛凌與羅姆采購兼容封裝的產(chǎn)品，既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求，亦可輕松實現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升客戶在設(shè)計與采購環(huán)節(jié)的便利性。
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AC-DC電源中SiC MOSFET與超結(jié)MOSFET的對比選型：開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的權(quán)衡分析
在AC-DC電源設(shè)計領(lǐng)域，功率器件的選型直接影響系統(tǒng)效率、體積與成本。隨著第三代半導(dǎo)體材料的突破，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低損耗特性，逐漸在高壓、高頻場景中替代傳統(tǒng)硅基器件。而超結(jié)(Super Junction, SJ)MOSFET作為硅基器件的升級方案，通過電荷平衡結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了高耐壓與低導(dǎo)通電阻的平衡。本文將從開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的權(quán)衡視角，結(jié)合實際案例與實驗數(shù)據(jù)，深入分析兩種器件的技術(shù)特性與選型策略。
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ROHM推出二合一SiC模塊“DOT-247”，可實現(xiàn)更高的設(shè)計靈活性和功率密度
中國上海，2025年9月22日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時還能實現(xiàn)更高的設(shè)計靈活性和功率密度。
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羅姆攜眾多先進(jìn)解決方案和技術(shù)亮相2025 PCIM Asia Shanghai
中國上海，2025年9月11日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布，將于9月24日～26日參加上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會(以下簡稱PCIM Asia Shanghai)。屆時，羅姆將展示其在工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域中卓越的SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)。同時，羅姆還將在現(xiàn)場舉辦技術(shù)研討會，分享其最新的電力電子解決方案。
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