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貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET為各類電源應(yīng)用提供更好的支持
2022年6月9日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購(gòu))的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用。
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電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：線性方案中的 SiC MOSFET
SiC MOSFET 在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作。然而，了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的，這可能發(fā)生在驅(qū)動(dòng)器發(fā)生故障的情況下，或者出于某些目的，當(dāng)設(shè)計(jì)者編程時(shí)會(huì)發(fā)生這種情況。
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智能能源時(shí)代的 SiC
隨著硅達(dá)到功率器件的理論性能限制，電力電子行業(yè)一直在向?qū)拵恫牧?WBG) 過(guò)渡?；谔蓟?(SiC) 和氮化鎵技術(shù)的 WBG 功率半導(dǎo)體器件提供的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)可提高應(yīng)用性能，包括：低漏電流、顯著降低的功率損耗、更高的功率密度、更高的工作頻率以及耐受更高工作溫度的能力. 使用比純硅等效器件更小的器件尺寸，所有這些都是可能的。穩(wěn)健性和更高的可靠性是其他重要屬性，從而提高了設(shè)備的總預(yù)期壽命和運(yùn)行穩(wěn)定性。
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ATFX2022年第二季《交易者雜志》正式上線
（全球TMT2022年4月30日訊）近期，匯集2022年第二季度展望的ATFX《交易者雜志》正式上線，分析師團(tuán)隊(duì)從專業(yè)的視角為投資者提供內(nèi)容詳盡的深度行情解讀。此次《交易者雜志》的全球分析團(tuán)隊(duì)更大強(qiáng)大。ATFX不但再次添加了兩位中東和北非市場(chǎng)分析師Mohamed Nabawy和...
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安森美將在PCIM Europe 2022展示高能效方案
USB-C電源套件包(Power Bundle)、第7代1200 V IGBT和二極管以及首款TOLL封裝的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件簡(jiǎn)化高能效電源方案的設(shè)計(jì)
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羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal成立25周年
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆集團(tuán)旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡(jiǎn)稱“SiCrystal”)迎來(lái)了成立25周年紀(jì)念日。
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寬帶隙 (WBG) 材料在電源應(yīng)用的前景
寬帶隙 (WBG) 材料逐漸在電源管理和其他應(yīng)用的成本效益分析中幸存下來(lái)，電動(dòng)汽車可能會(huì)推動(dòng)采用成本高但性能更高的碳化硅，并按降序排列氮化鎵器件。使用 WBG 半導(dǎo)體可產(chǎn)生超過(guò) 95% 的潛在效率，大大擴(kuò)展范圍。 功率轉(zhuǎn)換器是利用可再生能源進(jìn)行運(yùn)輸和工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵組件。為了促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)所需的進(jìn)步，可以選擇基于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的新型 WBG 半導(dǎo)體技術(shù)。
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SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事
在過(guò)去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國(guó)英飛凌的肖特基二極管的形式問(wèn)世。隨之而來(lái)的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門(mén)現(xiàn)在有望超過(guò) 40 億美元。 2010 年，當(dāng)總部位于美國(guó)的 EPC 交付其超快速開(kāi)關(guān)晶體管時(shí)，GaN 首次驚艷了整個(gè)行業(yè)。市場(chǎng)采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達(dá)到 10 億美元。
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英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日，德國(guó)慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動(dòng)汽車等大趨勢(shì)的推動(dòng)下，電力消耗日益增加。與此同時(shí)，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢(shì)并滿足相關(guān)市場(chǎng)需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動(dòng)汽車快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電池化成等。
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如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場(chǎng)份額，并將其持續(xù)擴(kuò)大？
ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場(chǎng)份額；并且在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了襯底技術(shù)收購(gòu)、產(chǎn)能投資，擁有了全生產(chǎn)鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領(lǐng)域獲得成功的原因，如何保持領(lǐng)先的未來(lái)戰(zhàn)略規(guī)劃，以及對(duì)于整個(gè)寬禁帶器件行業(yè)的前景解讀。
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一文解讀！搶占寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的戰(zhàn)略制高點(diǎn)！
2021年9月5日，由保定市人民政府和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦的“2021白石山第三代半導(dǎo)體峰會(huì)”在保定市淶源成功召開(kāi)。中國(guó)工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽(yù)院長(zhǎng)、中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)特邀副會(huì)長(zhǎng)屠海令線上參加并致辭，指出發(fā)展第三代半導(dǎo)體要做好頂層設(shè)計(jì)，研發(fā)和生產(chǎn)并重。本文長(zhǎng)聯(lián)半導(dǎo)體為您介紹如何搶占寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
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車規(guī)級(jí)SiC供應(yīng)商桑德斯，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)1200V 25mΩ SiC MOS空白
2021年12月9日，桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)達(dá)成協(xié)議，授權(quán)世強(qiáng)代理旗下碳化硅(SiC)、二級(jí)管等產(chǎn)品代理。
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通過(guò)SiC技術(shù)電機(jī)逆變器實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車行駛里程拓展的承諾
目前有兩大因素影響著車輛運(yùn)輸和半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)。行業(yè)正在擁抱令人振奮的新方法，即以清潔的電力驅(qū)動(dòng)我們的汽車，同時(shí)重新設(shè)計(jì)支撐電動(dòng)汽車(EV)子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，以最大程度地提高功效比，進(jìn)而增加電動(dòng)汽車的行駛里程。
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環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
搭配電動(dòng)車市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)，近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開(kāi)始布局切入功率半導(dǎo)體國(guó)際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。
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即刻報(bào)名 | 直播啦！先進(jìn)汽車電子方案大薈萃
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們隨著汽車功能電子化、自動(dòng)駕駛、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的快速進(jìn)展，汽車的發(fā)展可謂一日千里，正在改變個(gè)人交通的界限。如何使汽車更輕、續(xù)航更遠(yuǎn)、實(shí)現(xiàn)更高級(jí)別的自動(dòng)駕駛并提升先進(jìn)安全?安森美(onsemi)的智能電源和智能感知技術(shù)和方案提供“相輔相成”的力量和最先...
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第三代半導(dǎo)體潮起，我國(guó)GaN射頻市場(chǎng)迎何機(jī)遇？
第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場(chǎng)份額。國(guó)產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。
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意法半導(dǎo)體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！中國(guó)，2021年10月19日意法半導(dǎo)體的?STGAP2SiCSN?是為控制碳化硅MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的PWM控制。SiC功率技術(shù)被廣泛用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，SiC驅(qū)動(dòng)器ST...
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴(kuò)充寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品
工業(yè)級(jí)650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開(kāi)始供貨。還將計(jì)劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級(jí)部件
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羅姆獲選為UAES的SiC功率解決方案優(yōu)先型供應(yīng)商
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）獲選為中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡(jiǎn)稱“UAES”）的SiC功率解決方案優(yōu)先型供應(yīng)商。
- 是德科技創(chuàng)新技術(shù)峰會(huì)來(lái)襲，報(bào)名領(lǐng)好禮
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