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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片，保護功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC 和 GaN晶體管柵極驅(qū)動
L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓撲結(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。
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羅姆發(fā)布2022財年財報，銷售額連續(xù)兩年創(chuàng)新高
計劃在SiC業(yè)務(wù)領(lǐng)域累計投資5,100億日元，將產(chǎn)能提高35倍。2027財年將挑戰(zhàn)2,700億日元的銷售額
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適用于運輸領(lǐng)域的SiC：設(shè)計入門
在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。
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ST的半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略：加大第三代半導(dǎo)體垂直整合，與客戶長期雙贏
對于ST而言，芯片設(shè)計和制造同樣重要。ST在制造上的戰(zhàn)略規(guī)劃正在逐步實施，將會幫助其實現(xiàn)200億美元營收和2027碳中和兩大目標(biāo)。
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Microchip推出全新MPLAB? SiC電源模擬器，助力客戶在設(shè)計階段測試SiC電源解決方案
基于PLECS的工具可在將設(shè)計實現(xiàn)為硬件之前，快速評估針對各種電源開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的解決方案
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實現(xiàn)業(yè)內(nèi)超小的RonA，ROHM第4代SiC MOSFET提高易用性和高可靠性
當(dāng)下消費電子領(lǐng)域正在遭受了行業(yè)凜冬，波及到了半導(dǎo)體上下游的各大廠商。然而對以工業(yè)和汽車電子作為主要業(yè)務(wù)模塊的芯片廠商而言，仍取得了非常不錯的成績，并且有著繼續(xù)增長的前景預(yù)期。這是因為汽車電子的需求仍增長旺盛，而工業(yè)又是高附加值的穩(wěn)定賽道，因此受到全球經(jīng)濟環(huán)境的影響較小。ROHM就是在這樣的下行周期中仍保持高速增長的芯片廠商之一，整個集團2022年上半財年銷售額約和130億人民幣左右，全年預(yù)計銷售額250～260億人民幣左右。
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SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事以及以后發(fā)展的預(yù)測
在過去的幾十年里，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進步以發(fā)展、行業(yè)接受度的提高和有望帶來數(shù)十億美元的收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，該行業(yè)有望超過 40 億美元。
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SiC 半導(dǎo)體功率器件對能源效率的重要性
電力電子新技術(shù)的發(fā)展已將工業(yè)市場引向其他資源以優(yōu)化能源效率。硅和鍺是當(dāng)今用于生產(chǎn)半導(dǎo)體的兩種主要材料。損耗和開關(guān)速度方面的有限發(fā)展已將技術(shù)引向新的寬帶隙資源，例如碳化硅 (SiC)。
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ATFX上線開年最強《交易者雜志》
上海2023年2月14日 /美通社/ -- 步入2023年第一個季度，市場依然在震蕩中前行。作為一家全球領(lǐng)先的金融科技經(jīng)紀(jì)商，ATFX為了給全球客戶提供具有前瞻性的分析報告，分析師團隊早已密切關(guān)注金融市場動態(tài)，結(jié)合各國經(jīng)濟狀態(tài)，以及美聯(lián)儲的加息步伐，深挖第一季度機遇的《交易者雜志...
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Onsemi：使用SIC等功率器件為碳中和做出的貢獻
為可再生能源提供動力以創(chuàng)造更美好的明天，因此，不僅是 GaN 和 SiC 等寬帶隙半導(dǎo)體，還有圍繞電力電子、智能電網(wǎng)、微電網(wǎng)、宏觀電網(wǎng)、人工智能的多種技術(shù)，都將支持這種擴展。我們作為技術(shù)社區(qū)和工程師的責(zé)任是采取行動做某事，所以我們每個人都應(yīng)該邁出第一步。因此，我們不僅對個人負責(zé)，而且對組織負責(zé)。那么阻礙零碳和低碳能源更廣泛部署的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸是什么?你認為生產(chǎn)太陽能電池板等的所謂稀有材料的競爭?
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Soitec 看到了采用 SmartSiC 晶圓的電動汽車中的巨大機遇
道路運輸?shù)碾姎饣瘜τ趯崿F(xiàn)歐盟的脫碳和氣候變化目標(biāo)至關(guān)重要。對碳化硅襯底的需求經(jīng)歷了巨大的增長，法國絕緣體上硅 (SOI) 晶圓供應(yīng)商 Soitec 開發(fā)了 SmartSiC 技術(shù)，以加速 SiC 在電動汽車中的采用。
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碳化硅與硅在汽車市場大動干戈
在今天的汽車市場，SiC已經(jīng)成為最具活力的技術(shù)之一，設(shè)計導(dǎo)入機會很多，其滲透率正在快速增長。那么，在EV/HEV系統(tǒng)中，SiC的最大應(yīng)用場景在哪里？BEV被認為是汽車電氣化的終極目標(biāo)，因此意味著可持續(xù)的商機。而且其中的牽引逆變器、蓄電池和電動機是體現(xiàn)不同主機廠車輛技術(shù)性能的三個關(guān)鍵區(qū)別因素。
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通過基于 SiC 的改進中性支路最大限度地減少電動汽車充電器的二階紋波和直流電容
電動汽車技術(shù)是汽車行業(yè)的未來，電池和快速充電系統(tǒng)的不斷快速發(fā)展。在不犧牲充電時間的情況下，研發(fā)工作正在進行中，以確保電池的尺寸更小，并且在充電時間內(nèi)的功耗最小。
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英飛凌大中華區(qū)首次線上舉辦生態(tài)創(chuàng)新峰會，推動低碳化、數(shù)字化
上海2022年12月15日 /美通社/ -- 2022年12月14日-15日，英飛凌科技（中國）有限公司成功在線舉辦了以“數(shù)字智能、低碳未來” 為主題的OktoberTech?英飛凌生態(tài)創(chuàng)新峰會。OktoberTech?是英飛凌主辦的全球性年度創(chuàng)新峰會，旨在展示前瞻性技術(shù)，推動低...
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SiC-MOSFET終端區(qū)對開關(guān)損耗的物理分析
盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在大功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的相關(guān)因素，因為高帶隙在高溫、電壓和頻率下的操作方面具有優(yōu)勢。硅的帶隙為 1.12 eV，而碳化硅的帶隙值高 3 倍，為 3.2 eV，因此性能和效率更高，開關(guān)頻率更高，總占位面積更小。
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【重磅】2022年第二十屆TOP10 POWER電源產(chǎn)品獎公布！
經(jīng)過全網(wǎng)數(shù)千次的工程師投票和21ic編輯緊張的審評，2022年度第二十屆Top10 Power電源產(chǎn)品獎結(jié)果已經(jīng)出爐！
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SiC半導(dǎo)體需求增加，博格華納投資Wolfspeed
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，因SiC半導(dǎo)體需求增加，近日博格華納向半導(dǎo)體制造商Wolfspeed投資5億美元確保SiC產(chǎn)能。
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安森美的制勝之道
“過去兩年，確實因為疫情關(guān)系遇到了挑戰(zhàn)，但是安森美也是抓住了很大的機遇，盡最大可能助力客戶取得成功?！卑采揽偛眉媸紫瘓?zhí)行官(CEO) Hassane El-Khoury在媒體會如是總結(jié)到。
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PCIM 上各家公司的最新SiC 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
UnitedSiC(現(xiàn)為 Qorvo)發(fā)布了其下一代 1200-V SiC FET 系列，聲稱其導(dǎo)通電阻具有行業(yè)領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)。新型 UF4C/SC 系列?1200-V 第 4 代 SiC FET 針對電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器以及焊機、不間斷電源中的主流 800-V 總線架構(gòu)用品和感應(yīng)加熱應(yīng)用。
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KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作開發(fā)下一代電車應(yīng)用GaN技術(shù)
KYOCERA AVX和VisIC Technologies擴大合作，開展下一代電動汽車應(yīng)用GaN技術(shù)開發(fā) 耐斯茲敖那、以色列和薩爾茨堡和奧地利2022年10月27日 /美通社/ -- 結(jié)合KYOCERA AVX在分立和模塊封裝方面...
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