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搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開(kāi)始量產(chǎn)
中國(guó)上海，2025年9月10日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)與德國(guó)大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(tuán)(總部位于德國(guó)赫爾佐根奧拉赫，以下簡(jiǎn)稱“舍弗勒”)宣布，作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑，舍弗勒開(kāi)始量產(chǎn)搭載羅姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國(guó)大型汽車制造商設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。
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e絡(luò)盟全面開(kāi)售 Nexperia 廣泛新品組合
中國(guó)上海，2025 年9月9日 — Nexperia 每年增加 800 多種新產(chǎn)品類型。2024 年，僅模擬和電源管理應(yīng)用便推出了超過(guò) 70 種新部件。為支持 Nexperia 產(chǎn)品擴(kuò)展，e絡(luò)盟緊跟其不斷擴(kuò)大的產(chǎn)品組合，擴(kuò)充了自身的庫(kù)存產(chǎn)品型號(hào)范圍，以便更精準(zhǔn)的服務(wù)全球工程師。
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X-FAB現(xiàn)推出GaN-on-Si代工服務(wù)
XG035 dMode工藝將提供MPW、原型設(shè)計(jì)及量產(chǎn)服務(wù)
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拆解安森美核心光伏方案：從器件到系統(tǒng)，全面推動(dòng)能效提升
太陽(yáng)能逆變器種類豐富，可按類型（集中式、組串式、微型）或終端應(yīng)用場(chǎng)景（住宅、商業(yè)、公用事業(yè)）進(jìn)行劃分。目前，組串式逆變器因具備靈活性高、易于安裝的特點(diǎn)而應(yīng)用最為廣泛。隨著功率器件的不斷迭代升級(jí)，單臺(tái)逆變器的功率水平與功率密度持續(xù)提升，而單價(jià)和尺寸卻不斷下降，這使其成為太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。
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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
-三款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度-
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Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二極管在提高效率的同時(shí)增強(qiáng)電絕緣性
這些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封裝，提供了低電容電荷和3.2 mm的較大最小爬電距離
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開(kāi)啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門|魯歐智造第三屆用戶大會(huì)成功舉辦
7月18日，由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園、北航確信可靠性聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦的第三屆用戶大會(huì)在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會(huì)以“開(kāi)啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門”為主題，吸引了來(lái)自全國(guó)各地的300余名行業(yè)專家、企業(yè)代表及技術(shù)精英齊聚北京。
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奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日：攜手譜寫汽車電子技術(shù)新篇章
中國(guó)上海，2025年7月8日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，與中國(guó)知名OEM廠商奇瑞汽車股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日”圓滿落幕。奇瑞汽車股份有限公司執(zhí)行副總裁 高新華博士、羅姆高級(jí)執(zhí)行官 阪井 正樹(shù)等多位高層領(lǐng)導(dǎo)出席本次活動(dòng)。雙方技術(shù)專家及供應(yīng)鏈核心伙伴齊聚一堂，共話汽車電子前沿技術(shù)，致力于為未來(lái)智慧出行注入強(qiáng)勁創(chuàng)新動(dòng)力。
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基于SiC的熔絲保護(hù)高壓電氣系統(tǒng)
在減少排放和實(shí)現(xiàn)凈零目標(biāo)的前進(jìn)道路上，碳化硅技術(shù)將在可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這些應(yīng)用可以通過(guò)在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器）或增強(qiáng)現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達(dá)到更高的電壓并提高效率。隨著越來(lái)越多的應(yīng)用集成電氣系統(tǒng)，對(duì)電路保護(hù)的需求至關(guān)重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設(shè)計(jì)人員正在實(shí)施更強(qiáng)大的電路保護(hù)方法。僅限于保護(hù)線路的電路中斷裝置對(duì)于敏感的電子負(fù)載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護(hù)線路并限制傳輸?shù)焦收县?fù)載的短路允通電流和能量，從而可以防止負(fù)載自身?yè)p壞。
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羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”
應(yīng)用于牽引逆變器，助力續(xù)航里程和性能提升
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IGBT 主導(dǎo)新能源汽車上半場(chǎng)，SiC 提速上車劍指新周期
在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，功率器件作為核心 “大腦”，其重要性不言而喻?；仡欉^(guò)往，IGBT 主導(dǎo)了新能源汽車的上半場(chǎng)，而如今，SiC 正加速上車，開(kāi)啟新的發(fā)展周期。
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SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)
基于多個(gè)高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢(shì)，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個(gè)區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來(lái)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)：設(shè)計(jì)自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個(gè) MOSFET 無(wú)法滿足功率需求時(shí)，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問(wèn)題。
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。
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為下一代800V電動(dòng)汽車牽引逆變器平臺(tái)帶來(lái)更長(zhǎng)續(xù)航與長(zhǎng)期的卓越性能
為實(shí)現(xiàn)零排放的未來(lái)，汽車行業(yè)迫切需要重塑。汽車制造商必須加速推出差異化的電動(dòng)車型。恩智浦?jǐn)y手Wolfspeed，共同推出一款經(jīng)過(guò)全面驗(yàn)證的800V牽引逆變器參考設(shè)計(jì)，有效幫助電動(dòng)汽車系統(tǒng)架構(gòu)師克服諸多技術(shù)障礙。
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TrendForce集邦咨詢: SiC襯底市場(chǎng)2024年?duì)I收年減9%，但長(zhǎng)期需求樂(lè)觀
May 12, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，受2024年汽車和工業(yè)需求走弱，SiC襯底出貨量成長(zhǎng)放緩，與此同時(shí)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type(導(dǎo)電型)SiC襯底產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年減9%，為10.4億美元。
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英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹(shù)立新標(biāo)準(zhǔn)，加速電動(dòng)汽車普及與工業(yè)效率提升
【2025年5月7日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，始終以卓越性能與高可靠性相結(jié)合的解決方案引領(lǐng)行業(yè)。目前，CoolSiC?產(chǎn)品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能及高功率牽引逆變器等。現(xiàn)在，英飛凌又憑借豐富的SiC業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及在硅基電荷補(bǔ)償器件（CoolMOS?）領(lǐng)域的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，推出了SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)。
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2025 慕展回顧 | MPS展會(huì)資料一鍵下載！
4月15 日 - 17日，MPS攜“汽車智駕、綠色能源、人工智能、新型工業(yè)”四大主題，驚艷亮相慕尼黑上海電子展。MPS 工程師團(tuán)隊(duì)為現(xiàn)場(chǎng)觀眾展示了 60+ 最新產(chǎn)品Demo，涵蓋汽車?yán)走_(dá)、智能座艙、傳感器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能BMS、SiC 新品、AI解決方案、ACDC、電源模塊、隔離電源、ADC、音頻功放、工業(yè)電機(jī)等多個(gè)領(lǐng)域的前沿技術(shù)和專業(yè)解決方案！ 下面，我們就一起來(lái)看看這些豐富的展品有哪些亮點(diǎn)吧~
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SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
國(guó)際能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計(jì)在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運(yùn)營(yíng)成本，還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來(lái)了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級(jí)。
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SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，LED照明系統(tǒng)中的效率與散熱協(xié)同優(yōu)化
在LED照明技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的背景下，功率半導(dǎo)體器件的性能成為制約系統(tǒng)效率與可靠性的核心因素。碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)憑借其高開(kāi)關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗與高溫穩(wěn)定性，逐漸成為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)電路的首選方案。然而，SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)需在效率提升與散熱管理之間尋求動(dòng)態(tài)平衡，這一過(guò)程涉及驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)?、材料選擇、封裝工藝及控制策略的多維度協(xié)同優(yōu)化。
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景
- 是德科技創(chuàng)新技術(shù)峰會(huì)來(lái)襲，報(bào)名領(lǐng)好禮
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
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