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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景
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英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測(cè)報(bào)告》：GaN將在多個(gè)行業(yè)達(dá)到應(yīng)用臨界點(diǎn)，進(jìn)一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德國(guó)慕尼黑訊】在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內(nèi)的所有相關(guān)半導(dǎo)體材料大幅推動(dòng)低碳化和數(shù)字化領(lǐng)域的發(fā)展。
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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品
【2025年2月18日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車等。此外，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150 mm晶圓向直徑更大、更高效的200 mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場(chǎng)需求開始大批量生產(chǎn)。
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基于SiC的高電壓電池?cái)嚅_開關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
得益于固態(tài)電路保護(hù)，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高電壓固態(tài)電池?cái)嚅_開關(guān)時(shí)，需要考慮幾項(xiàng)基本的設(shè)計(jì)決策。其中關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應(yīng)能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池?cái)嚅_開關(guān)的半導(dǎo)體封裝時(shí)的一些設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護(hù)限值的重要性。
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首款新型TPSMB非對(duì)稱TVS二極管為汽車SiC MOSFET提供卓越的柵極驅(qū)動(dòng)器保護(hù)
專為下一代電動(dòng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施而設(shè)計(jì)，為高能效車載充電和逆變器提供結(jié)構(gòu)緊湊的單元件解決方案
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非線性損耗建?？蓽?zhǔn)確估計(jì) SiC 轉(zhuǎn)換器性能
碳化硅 (SiC) MOSFET 因其技術(shù)固有的特性(例如高電壓能力、較低的導(dǎo)通電阻、耐高溫操作以及相對(duì)于硅更高的功率密度)而越來(lái)越受到電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的歡迎。因此，基于 SiC 的轉(zhuǎn)換器和逆變器是電池供電車輛 (BEV)、可再生能源以及需要最高效率的所有其他應(yīng)用的最佳選擇。
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SiC和GaN的可靠性
近年來(lái)，電力電子應(yīng)用中越來(lái)越多地從硅轉(zhuǎn)向碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。在過去的十年中，后者已被委托給SiC和GaN半導(dǎo)體，這無(wú)疑為電氣化和強(qiáng)勁的未來(lái)鋪平了道路。由于其固有特性，寬帶隙半導(dǎo)體在許多電力應(yīng)用中正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。硅現(xiàn)在已經(jīng)風(fēng)光無(wú)限，其應(yīng)用的可靠性一直非常高。現(xiàn)在，有必要驗(yàn)證這兩種新型半導(dǎo)體從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看是否可以提供相同的安全前景，以及它們?cè)谖磥?lái)是否對(duì)設(shè)計(jì)人員來(lái)說是可靠的。
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電力電子熱管理的未來(lái)趨勢(shì)
在快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，熱管理已成為確保設(shè)備可靠性、效率和壽命的關(guān)鍵因素。這對(duì)于電動(dòng)汽車等能源密集型行業(yè)尤其重要，其中碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 電子電路解決方案(例如逆變器、轉(zhuǎn)換器和充電電路)正在徹底改變這一領(lǐng)域。
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TrendForce集邦咨詢: 3Q24中國(guó)電動(dòng)車牽引逆變器裝機(jī)量占全球61%，歐洲積極推進(jìn)改革
Dec. 10, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，2024年第三季度全球電動(dòng)車牽引逆變器總裝機(jī)量達(dá)687萬(wàn)臺(tái)，雖季增7%，但增長(zhǎng)幅度較去年同期已有縮減。其中，PHEV牽引逆變器的裝機(jī)量季增16%，雖然低于前一季的35%，但仍是所有動(dòng)力模式中增幅最高的。
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英飛凌攜手Stellantis，推動(dòng)下一代汽車架構(gòu)的功率轉(zhuǎn)換和分配創(chuàng)新
【2024年11月18日, 德國(guó)慕尼黑和阿姆斯特丹訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和Stellantis N.V. 近日宣布，雙方將共同開發(fā)Stellantis電動(dòng)汽車的功率架構(gòu)，助力Stellantis實(shí)現(xiàn)為大眾提供環(huán)保、安全、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的出行方式這一遠(yuǎn)大目標(biāo)。
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護(hù)功能
面向空調(diào)、家電和工廠自動(dòng)化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制
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采用自主設(shè)計(jì)封裝，絕緣電阻顯著提高！ROHM開發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無(wú)需進(jìn)行樹脂灌封絕緣處理
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SiC上車提速，清純半導(dǎo)體把握國(guó)產(chǎn)替代先機(jī)
綜合自中汽協(xié)、EVvolumes.com的多方數(shù)據(jù)，新能源汽車行業(yè)增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁。我國(guó)2021、2022、2023年新能源汽車銷量分別為350萬(wàn)輛、689萬(wàn)輛、950萬(wàn)輛，市場(chǎng)占有率31.6% 預(yù)計(jì)2024年產(chǎn)銷量1200-1300萬(wàn)輛，市占率超過45%；約占全世界產(chǎn)銷量60%。
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科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC?
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆生產(chǎn)的EcoSiC?產(chǎn)品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”），被日本先進(jìn)電源制造商COSEL CO., LTD. （以下簡(jiǎn)稱“科索”）生產(chǎn)的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強(qiáng)制風(fēng)冷型“HFA系列”和傳導(dǎo)散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD，從而實(shí)現(xiàn)了最大94%的工作效率?！癏CA系列”于2023年開始量產(chǎn)和銷售，“HFA系列”于2024年開始量產(chǎn)和銷售。
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對(duì)稱瞬態(tài)抑制二極管系列
數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備中高效電源解決方案的理想選擇
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IGBT如何改善寄生電容，適合高頻操作
在導(dǎo)通特性方面，IGBT的導(dǎo)通損耗由器件導(dǎo)通時(shí)的壓降造成，其參數(shù)為Vce(sat)，隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導(dǎo)通特性表現(xiàn)得更像一個(gè)電阻輸出特性，具有更小的導(dǎo)通損耗，特別是在電流較小的情況下?2。
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軟開關(guān)和 SiC 器件如何改善功率轉(zhuǎn)換
效率和功率密度都是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的重要因素。每個(gè)造成能量損失的因素都會(huì)產(chǎn)生熱量，而這些熱量需要通過昂貴且耗電的冷卻系統(tǒng)來(lái)去除。軟開關(guān)和碳化硅 (SiC) 技術(shù)的結(jié)合可以提高開關(guān)頻率，從而可以減小臨時(shí)存儲(chǔ)能量的無(wú)源元件的尺寸和數(shù)量，并平滑開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器的輸出。SiC 還為產(chǎn)生更少熱量并利用更小散熱器的轉(zhuǎn)換器提供了基礎(chǔ)。
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如何量化 SiC FET 的脈沖電流能力
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體器件，例如碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，以其最小的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗而聞名。除了這些特性之外，該技術(shù)還可以承受高脈沖電流，在固態(tài)斷路器等應(yīng)用中特別有優(yōu)勢(shì)。本文深入探討了 SiC FET 的特性，并與傳統(tǒng)硅解決方案進(jìn)行了比較分析。
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SiC 和 GaN 器件如何老化？
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)因其在許多高功率領(lǐng)域優(yōu)于硅 (Si) 的性能而聞名，包括其高效率和高開關(guān)頻率。然而，與單晶硅不同，SiC 和 GaN 具有獨(dú)特的設(shè)計(jì)和應(yīng)用問題，工程師在將這些技術(shù)用于設(shè)計(jì)時(shí)需要解決這些問題。
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芯動(dòng)半導(dǎo)體與羅姆簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
通過開發(fā)車載功率模塊，助力xEV技術(shù)創(chuàng)新
氯化鈣補(bǔ)鈣
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風(fēng)云ljh
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shell.albert
Benjaminsein
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江陽(yáng)
朱德榮
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