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英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導體預測報告》：GaN將在多個行業(yè)達到應用臨界點，進一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德國慕尼黑訊】在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數字化領域的發(fā)展。
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英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產品
【2025年2月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在200 mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲拉赫的生產基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產基地正在從150 mm晶圓向直徑更大、更高效的200 mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據市場需求開始大批量生產。
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基于SiC的高電壓電池斷開開關的設計注意事項
得益于固態(tài)電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統（由單相或三相電網電源或儲能系統（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態(tài)電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征系統的寄生電感和過流保護限值的重要性。
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首款新型TPSMB非對稱TVS二極管為汽車SiC MOSFET提供卓越的柵極驅動器保護
專為下一代電動汽車基礎設施而設計，為高能效車載充電和逆變器提供結構緊湊的單元件解決方案
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非線性損耗建?？蓽蚀_估計 SiC 轉換器性能
碳化硅 (SiC) MOSFET 因其技術固有的特性(例如高電壓能力、較低的導通電阻、耐高溫操作以及相對于硅更高的功率密度)而越來越受到電源系統設計人員的歡迎。因此，基于 SiC 的轉換器和逆變器是電池供電車輛 (BEV)、可再生能源以及需要最高效率的所有其他應用的最佳選擇。
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SiC和GaN的可靠性
近年來，電力電子應用中越來越多地從硅轉向碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。在過去的十年中，后者已被委托給SiC和GaN半導體，這無疑為電氣化和強勁的未來鋪平了道路。由于其固有特性，寬帶隙半導體在許多電力應用中正在逐步取代傳統的硅基器件。硅現在已經風光無限，其應用的可靠性一直非常高。現在，有必要驗證這兩種新型半導體從長遠來看是否可以提供相同的安全前景，以及它們在未來是否對設計人員來說是可靠的。
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電力電子熱管理的未來趨勢
在快速發(fā)展的電力電子領域，熱管理已成為確保設備可靠性、效率和壽命的關鍵因素。這對于電動汽車等能源密集型行業(yè)尤其重要，其中碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 電子電路解決方案(例如逆變器、轉換器和充電電路)正在徹底改變這一領域。
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TrendForce集邦咨詢: 3Q24中國電動車牽引逆變器裝機量占全球61%，歐洲積極推進改革
Dec. 10, 2024 ---- 根據TrendForce集邦咨詢最新研究，2024年第三季度全球電動車牽引逆變器總裝機量達687萬臺，雖季增7%，但增長幅度較去年同期已有縮減。其中，PHEV牽引逆變器的裝機量季增16%，雖然低于前一季的35%，但仍是所有動力模式中增幅最高的。
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英飛凌攜手Stellantis，推動下一代汽車架構的功率轉換和分配創(chuàng)新
【2024年11月18日, 德國慕尼黑和阿姆斯特丹訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和Stellantis N.V. 近日宣布，雙方將共同開發(fā)Stellantis電動汽車的功率架構，助力Stellantis實現為大眾提供環(huán)保、安全、經濟實惠的出行方式這一遠大目標。
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意法半導體先進的電隔離柵極驅動器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護功能
面向空調、家電和工廠自動化等工業(yè)電機驅動裝置和充電站、儲能系統、電源等能源應用的功率控制
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采用自主設計封裝，絕緣電阻顯著提高！ROHM開發(fā)出支持更高電壓xEV系統的SiC肖特基勢壘二極管
與普通產品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進行樹脂灌封絕緣處理
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SiC上車提速，清純半導體把握國產替代先機
綜合自中汽協、EVvolumes.com的多方數據，新能源汽車行業(yè)增長勢頭強勁。我國2021、2022、2023年新能源汽車銷量分別為350萬輛、689萬輛、950萬輛，市場占有率31.6% 預計2024年產銷量1200-1300萬輛，市占率超過45%；約占全世界產銷量60%。
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科索3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用羅姆的EcoSiC?
全球知名半導體制造商羅姆生產的EcoSiC?產品——SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”），被日本先進電源制造商COSEL CO., LTD. （以下簡稱“科索”）生產的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元“HFA/HCA系列”采用。強制風冷型“HFA系列”和傳導散熱型“HCA系列”均搭載了羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD，從而實現了最大94%的工作效率。“HCA系列”于2023年開始量產和銷售，“HFA系列”于2024年開始量產和銷售。
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
數據中心、電動汽車基礎設施和工業(yè)設備中高效電源解決方案的理想選擇
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IGBT如何改善寄生電容，適合高頻操作
在導通特性方面，IGBT的導通損耗由器件導通時的壓降造成，其參數為Vce(sat)，隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導通特性表現得更像一個電阻輸出特性，具有更小的導通損耗，特別是在電流較小的情況下?2。
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軟開關和 SiC 器件如何改善功率轉換
效率和功率密度都是電源轉換器設計中的重要因素。每個造成能量損失的因素都會產生熱量，而這些熱量需要通過昂貴且耗電的冷卻系統來去除。軟開關和碳化硅 (SiC) 技術的結合可以提高開關頻率，從而可以減小臨時存儲能量的無源元件的尺寸和數量，并平滑開關模式轉換器的輸出。SiC 還為產生更少熱量并利用更小散熱器的轉換器提供了基礎。
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如何量化 SiC FET 的脈沖電流能力
寬帶隙 (WBG) 半導體器件，例如碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET)，以其最小的靜態(tài)和動態(tài)損耗而聞名。除了這些特性之外，該技術還可以承受高脈沖電流，在固態(tài)斷路器等應用中特別有優(yōu)勢。本文深入探討了 SiC FET 的特性，并與傳統硅解決方案進行了比較分析。
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SiC 和 GaN 器件如何老化？
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 寬帶隙 (WBG) 技術因其在許多高功率領域優(yōu)于硅 (Si) 的性能而聞名，包括其高效率和高開關頻率。然而，與單晶硅不同，SiC 和 GaN 具有獨特的設計和應用問題，工程師在將這些技術用于設計時需要解決這些問題。
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芯動半導體與羅姆簽署戰(zhàn)略合作協議
通過開發(fā)車載功率模塊，助力xEV技術創(chuàng)新
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電動壓縮機設計-SiC模塊篇
壓縮機是汽車空調的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實現車內外的冷熱交換。傳統燃油車以發(fā)動機為動力，通過皮帶帶動壓縮機轉動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機，以電池為動力，通過逆變電路驅動無刷直流電機，從而帶動壓縮機轉動，實現空調的冷熱交換功能。
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