伴隨半導體制程進化到3D結構,相關設備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等半導體業(yè)者在3D NAND之后,將擴大矽穿孔(TSV)技術應用范圍。 矽穿孔技
日前SK海力士(SK Hynix)宣誓將強化系統(tǒng)半導體事業(yè),最近開始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步,除活用清州M8產線外,也可能透過購并南韓國內外相關業(yè)者提升競爭力,但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效,其實仍充滿諸多變數
全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,在NANDFlash業(yè)者原先對于2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導致產出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災影響NA
全球市場研究機構TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導致產出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災影
全球市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM產出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減,但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚,因此4Q13全球DRAM產值再度攀高至約97.5億美金,
全球市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM產出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減,但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚,因此4Q13全球DRAM產值再度攀高至約97.5億美金,
全球市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM產出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減,但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚,因此4Q13全球DRAM產值再度攀高至約97.5億美金,
南韓記憶體大廠SK海力士(SKHynix)開始嘗試復工投片,盡管傳出良率不佳,但產能增加的情況已影響PCOEM系統(tǒng)廠端的合約價,4GBDDR3記憶體模組維持在34美元,有漲不動的趨勢。DRAM現貨報價在2014年1月急漲一波,主要是大
研調集邦科技旗下DRAMeXchange昨(16)日表示,由于SK海力士無錫廠產出逐漸增加,DRAM市場供貨吃緊的狀態(tài)獲舒緩,本月上旬合約價開始轉趨走跌,2月起跌勢恐加重。DRAM相關族群昨天受報價轉趨走跌、恐沖擊后續(xù)營運影響
【導讀】全球半導體業(yè)者為了執(zhí)掌下一代存儲器芯片主導權,競爭逐漸白熱化。 根據日本“日經新聞”(Nikkei)報導,東芝(Toshiba)與韓國SK海力士(SK Hynix Inc.)最快將于2016年年度攜手量產下一代存儲器
DRAM產業(yè)今年風風雨雨,先是上半年DRAM價格飆漲,下半年則是美國DRAM廠美光正式并購日本DRAM廠爾必達,以及SK海力士無錫廠9月初發(fā)生大火。但對臺塑集團旗下南科及華亞科來說,今年卻是獲利大躍進的一年。身兼南科總經
韓國半導體巨頭SK海力士26晶宣布,公司已開發(fā)出超高速存儲器(HBM)。這種超高速存儲器的數據處理速度是目前性能最高的處理器速度的4倍,但是電力消耗量卻減少了40%.這種超高速存儲器采用了硅通孔技術(TSV,Through -Si
今年9月初發(fā)生在無錫新區(qū)SK海力士的一場大火已經過去了幾個月,這場大火盡管沒有人員傷亡,但其影響卻很大,比如在國內芯片市場和保險市場方面。昨日(12月19日),有險企人士向《每日經濟新聞》記者透露,SK海力士大
今年9月初發(fā)生在無錫新區(qū)SK海力士的一場大火已經過去了幾個月,這場大火盡管沒有人員傷亡,但其影響卻很大,比如在國內芯片市場和保險市場方面。昨日(12月19日),有險企人士向《每日經濟新聞》記者透露,SK海力士大
韓國SK海力士株式會社15日與無錫新區(qū)簽署協(xié)議,將投資25億美元實施五期技術升級項目。SK海力士半導體(中國)有限公司自2005年4月在無錫新區(qū)建設以來,已成為國內產能最大的半導體生產企業(yè),投資由20億美元增至80.55億美元
根據韓國內存芯片制造商SK海力士消息,公司已經開始大規(guī)模批量生產64GB 16nmMLCNAND閃存芯片。公司表示,SK海力士的16nmNAND閃存已于6月進入第一版本的批量生產,最近已開始第二版本的大規(guī)模生產。由于芯片尺寸
元器件交易網訊 11月20日消息,根據韓國內存芯片制造商SK海力士消息,公司已經開始大規(guī)模批量生產64GB 16nm MLC NAND閃存芯片。公司表示,SK海力士的16nm NAND閃存已于6月進入第一版本的批量生產,最近已開始第二版本
市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,因此11月上旬合約價較10月下旬下跌5~7%,NAND Flash合約價
市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,因此11月上旬合約價較10月下旬下跌5~7%,NAND Flash合約價至今
韓國SK海力士株式會社15日與無錫新區(qū)簽署協(xié)議,將投資25億美元實施五期技術升級項目。SK海力士半導體(中國)有限公司自2005年4月在無錫新區(qū)建設以來,已成為國內產能最大的半導體生產企業(yè),投資由20億美元增至80.55億美元