伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu),相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3D NAND之后,將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。 矽穿孔技
日前SK海力士(SK Hynix)宣誓將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè),最近開(kāi)始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步,除活用清州M8產(chǎn)線外,也可能透過(guò)購(gòu)并南韓國(guó)內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競(jìng)爭(zhēng)力,但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效,其實(shí)仍充滿諸多變數(shù)
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,在NANDFlash業(yè)者原先對(duì)于2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂(lè)觀,導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過(guò)于求,以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響NA
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂(lè)觀,導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過(guò)于求,以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無(wú)錫大火影響而稍有略減,但供貨吃緊下反而造成平均銷(xiāo)售單價(jià)勁揚(yáng),因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金,
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無(wú)錫大火影響而稍有略減,但供貨吃緊下反而造成平均銷(xiāo)售單價(jià)勁揚(yáng),因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金,
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無(wú)錫大火影響而稍有略減,但供貨吃緊下反而造成平均銷(xiāo)售單價(jià)勁揚(yáng),因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金,
南韓記憶體大廠SK海力士(SKHynix)開(kāi)始嘗試復(fù)工投片,盡管傳出良率不佳,但產(chǎn)能增加的情況已影響PCOEM系統(tǒng)廠端的合約價(jià),4GBDDR3記憶體模組維持在34美元,有漲不動(dòng)的趨勢(shì)。DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)在2014年1月急漲一波,主要是大
研調(diào)集邦科技旗下DRAMeXchange昨(16)日表示,由于SK海力士無(wú)錫廠產(chǎn)出逐漸增加,DRAM市場(chǎng)供貨吃緊的狀態(tài)獲舒緩,本月上旬合約價(jià)開(kāi)始轉(zhuǎn)趨走跌,2月起跌勢(shì)恐加重。DRAM相關(guān)族群昨天受報(bào)價(jià)轉(zhuǎn)趨走跌、恐沖擊后續(xù)營(yíng)運(yùn)影響
【導(dǎo)讀】全球半導(dǎo)體業(yè)者為了執(zhí)掌下一代存儲(chǔ)器芯片主導(dǎo)權(quán),競(jìng)爭(zhēng)逐漸白熱化。 根據(jù)日本“日經(jīng)新聞”(Nikkei)報(bào)導(dǎo),東芝(Toshiba)與韓國(guó)SK海力士(SK Hynix Inc.)最快將于2016年年度攜手量產(chǎn)下一代存儲(chǔ)器
DRAM產(chǎn)業(yè)今年風(fēng)風(fēng)雨雨,先是上半年DRAM價(jià)格飆漲,下半年則是美國(guó)DRAM廠美光正式并購(gòu)日本DRAM廠爾必達(dá),以及SK海力士無(wú)錫廠9月初發(fā)生大火。但對(duì)臺(tái)塑集團(tuán)旗下南科及華亞科來(lái)說(shuō),今年卻是獲利大躍進(jìn)的一年。身兼南科總經(jīng)
韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士26晶宣布,公司已開(kāi)發(fā)出超高速存儲(chǔ)器(HBM)。這種超高速存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理速度是目前性能最高的處理器速度的4倍,但是電力消耗量卻減少了40%.這種超高速存儲(chǔ)器采用了硅通孔技術(shù)(TSV,Through -Si
今年9月初發(fā)生在無(wú)錫新區(qū)SK海力士的一場(chǎng)大火已經(jīng)過(guò)去了幾個(gè)月,這場(chǎng)大火盡管沒(méi)有人員傷亡,但其影響卻很大,比如在國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)和保險(xiǎn)市場(chǎng)方面。昨日(12月19日),有險(xiǎn)企人士向《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者透露,SK海力士大
今年9月初發(fā)生在無(wú)錫新區(qū)SK海力士的一場(chǎng)大火已經(jīng)過(guò)去了幾個(gè)月,這場(chǎng)大火盡管沒(méi)有人員傷亡,但其影響卻很大,比如在國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)和保險(xiǎn)市場(chǎng)方面。昨日(12月19日),有險(xiǎn)企人士向《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者透露,SK海力士大
韓國(guó)SK海力士株式會(huì)社15日與無(wú)錫新區(qū)簽署協(xié)議,將投資25億美元實(shí)施五期技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目。SK海力士半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司自2005年4月在無(wú)錫新區(qū)建設(shè)以來(lái),已成為國(guó)內(nèi)產(chǎn)能最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè),投資由20億美元增至80.55億美元
根據(jù)韓國(guó)內(nèi)存芯片制造商SK海力士消息,公司已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模批量生產(chǎn)64GB 16nmMLCNAND閃存芯片。公司表示,SK海力士的16nmNAND閃存已于6月進(jìn)入第一版本的批量生產(chǎn),最近已開(kāi)始第二版本的大規(guī)模生產(chǎn)。由于芯片尺寸
元器件交易網(wǎng)訊 11月20日消息,根據(jù)韓國(guó)內(nèi)存芯片制造商SK海力士消息,公司已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模批量生產(chǎn)64GB 16nm MLC NAND閃存芯片。公司表示,SK海力士的16nm NAND閃存已于6月進(jìn)入第一版本的批量生產(chǎn),最近已開(kāi)始第二版本
市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高,采購(gòu)意愿薄弱,因此11月上旬合約價(jià)較10月下旬下跌5~7%,NAND Flash合約價(jià)
市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高,采購(gòu)意愿薄弱,因此11月上旬合約價(jià)較10月下旬下跌5~7%,NAND Flash合約價(jià)至今
韓國(guó)SK海力士株式會(huì)社15日與無(wú)錫新區(qū)簽署協(xié)議,將投資25億美元實(shí)施五期技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目。SK海力士半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司自2005年4月在無(wú)錫新區(qū)建設(shè)以來(lái),已成為國(guó)內(nèi)產(chǎn)能最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè),投資由20億美元增至80.55億美元