Vishay
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Vishay發(fā)布全集成接近和環(huán)境光光學傳感器VCNL4020
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有0.8mm業(yè)內最低高度的新款全集成接近和環(huán)境光光學傳感器--- VCNL4020。該器件把一個紅外發(fā)射器、用于測量接近程度的光電二極管、一個環(huán)境光探測器、一個信號
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Vishay發(fā)布用于遙控器的高度的超低外形紅外接收器
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內最佳的尺寸和感光角的遙控接收器，擴大其光電子產(chǎn)品組合。新的TSOP57x系列包括TSOP572..、TSOP573..、TSOP574..和TSOP575..器件，具有0.8mm的超低高度，
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Vishay推出采用14或16-Pin SOIC封裝雙列引腳薄膜電阻網(wǎng)絡
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列通過AEC-Q200認證的雙路在線路薄膜電阻網(wǎng)絡。NOMCA系列具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，5ppm/℃的TCR跟蹤、±0.05%的嚴
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Vishay推出用于通用紅外3D電視快門式眼鏡的紅外接收器
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款專門為通用3D電視眼鏡開發(fā)的紅外接收器，擴充其光電子產(chǎn)品組合?，F(xiàn)在市場上出售的大多數(shù)液晶3D電視都在使用快門式眼鏡，將左眼和右眼
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Vishay發(fā)布4款新型D/CRCWe3厚膜片式電阻的工程設計包
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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Vishay發(fā)布4款新型D/CRCWe3厚膜片式電阻的工程設計包
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設計，在
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Vishay發(fā)布采用綠色環(huán)保SOP-4封裝的非過零光敏光耦
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用行業(yè)標準微型扁平SOP4封裝的新款非過零光敏光耦，比采用DIP-6封裝的器件可節(jié)省66%的PCB空間，擴充了其光電子產(chǎn)品組合。新的VOM160和VOM305x系列具有三種輸出
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Vishay發(fā)布采新款非過零光敏光耦VOM160和VOM305x
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用行業(yè)標準微型扁平SOP4封裝的新款非過零光敏光耦---VOM160和VOM305x。今天推出的器件比采用DIP-6封裝的器件可節(jié)省66%的PCB空間，擴充了其光電子產(chǎn)品組合。新
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Vishay發(fā)布采新款非過零光敏光耦VOM160和VOM305x
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用行業(yè)標準微型扁平SOP4封裝的新款非過零光敏光耦---VOM160和VOM305x。今天推出的器件比采用DIP-6封裝的器件可節(jié)省66%的PCB空間，擴充了其光電子產(chǎn)品組合。新
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Vishay推出新款反射光傳感器TCNT2000
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型SMD封裝并帶有晶體管輸出的反射光傳感器--- TCNT2000。該器件的尺寸為3.4mm x 2.7mm x 1.5mm，探測距離0.2mm～5mm，可用于消費、工業(yè)和計算機類應用。T
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Vishay發(fā)布4款小尺寸、高性能的新型片式天線
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件--- VJ5301M868MXBSR、VJ5601M868MXBSR和VJ5301M915MXBSR、VJ5601M915MXBSR，這些器件可分別接收和發(fā)送868MHz和915MHz的數(shù)字信
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醫(yī)療鉭電容推薦
創(chuàng)新器件采用七種緊湊的外形尺寸，具有200nA的超低DCL和固有的高可靠性、篩選選項，包括針對關鍵的醫(yī)療和軍工/航天應用的weibull失效率分級Vishay 推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200nA的超低直流泄露電
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Vishay發(fā)布4款新型工程設計包
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款通過AEC-Q200認證的D/CRCW e3厚膜片式電阻的新型工程設計套件。套件可幫助設計者選擇最適合其應用的電阻，提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可選
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設計，在4.5V下導通電阻
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設計，在4.5V下導通電阻
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TTI Asia授予Vishay Asia 2011供應商獎
21ic訊 日前，TTI Electronics Asia和Vishay Intertechnology, Inc.非常高興地共同宣布，Vishay Asia榮獲了以下獎項：• TTI 2011鉆石獎，亞洲區(qū) • TTI 2011優(yōu)秀供應商獎，亞洲區(qū) • TTI 2011最佳質量
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TTI Asia授予Vishay Asia 2011供應商獎
日前，TTI Electronics Asia和Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）非常高興地共同宣布，Vishay Asia榮獲了以下獎項： •TTI 2011鉆石獎，亞洲區(qū)•TTI 2011優(yōu)秀供應商獎，亞洲區(qū)•TTI
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Vishay推出下一代D系列高壓功率MOSFET首款器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。日前發(fā)布的D系列MOSFET基
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Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET榮獲年度電子成就獎
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR®功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉換器類別的2012中國年度電子成就獎。中國電子成就獎的功率器件/電壓轉換器產(chǎn)品年度獎項授
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Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR 功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉換器類別的2012中國年度電子成就獎。中國電子成就獎的功率器件/電壓轉換器產(chǎn)品年
