繼三星推遲254億美元的DRAM工廠項目之后，另一家存儲巨頭也計劃在今年內將3D NAND閃存減產15%，以放緩產能擴張速度。

2019 年 2 季度，SK 海力士的 NAND 閃存出貨量環(huán)比增長了 40％，主要原因是該公司增加了 72 層 3D NAND 的產量。但與此同時，由于3D NAND 的均價跌了 25％，導致公司利潤暴跌，這也是 SK 海力士決定減產的主要原因。

SK 海力士表示，該公司將比今年早些時候更加積極地提前削減 3D NAND 晶圓的產能，并且重新考慮裝配其 M15 和 M16 晶圓廠的計劃，以減少企業(yè)資本支出。今年早些時候，SK 曾計劃將 3D NAND 晶圓產量減少 10% 。不過本周的最新計劃，已經調整到減產 15%。

除了減少 3D NAND 晶圓的開工數量，SK 海力士還將放慢韓國清州附近 M15 工廠的潔凈室空間的擴建速度（該工廠可生產 DRAM 和 3D NAND），并延遲利川附近 M16 工廠的設備安裝。

根據SK海力士7月25日發(fā)布的Q2財報數據：Q2季度中營收6.45萬億韓元（約54.5億美元），同比下滑38%；運營利潤只有6376億韓元（約5.7億美元），同比暴跌了89%；凈利潤僅為5370億韓元（約4.6億美元），同比暴跌了88%，創(chuàng)下了三年來最低記錄。