9月19日，由深圳市科學技術(shù)協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進程，助力國產(chǎn)半導體開辟一片新天地。

深圳市科學技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論壇并致辭。深圳第三代半導體研究院副院長張國旗、南方科技大學深港微電子學院執(zhí)行院長于洪宇、國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心車規(guī)半導體業(yè)務負責人文宇、英國劍橋大學工程系教授Patrick Palmer、深圳基本半導體有限公司總經(jīng)理和巍巍等嘉賓圍繞第三代半導體材料器件的技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品應用和機遇挑戰(zhàn)，開展前沿技術(shù)分享及精彩主題演講。

深圳市科學技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥致辭

深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴致辭

深圳第三代半導體研究院副院長張國旗發(fā)表主題演講

南方科技大學深港微電子學院執(zhí)行院長于洪宇發(fā)表主題演講

國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心車規(guī)半導體業(yè)務負責人文宇

發(fā)表主題演講

英國劍橋大學工程系教授Patrick Palmer發(fā)表主題演講

深圳基本半導體總經(jīng)理和巍巍在論壇上表示，國內(nèi)第三代半導體碳化硅發(fā)展一直緊跟世界前沿，但在汽車設(shè)計和制造方面，和國際的先進水平還有一定的差距。目前，國內(nèi)有幾所大學可以制造器件樣品，有部分公司可以量產(chǎn)二極管，但僅有基本半導體可量產(chǎn)碳化硅MOSFET，基本半導體未來將繼續(xù)加大研發(fā)投入，加強技術(shù)創(chuàng)新，致力于鑄造第三代半導體碳化硅的中國“芯”。

基本半導體總經(jīng)理和巍巍發(fā)表主題演講

在隨后舉行的“中國第三代半導體的突破之路”高端圓桌對話上，力合科創(chuàng)集團副總裁馮杰、國創(chuàng)中心車規(guī)半導體業(yè)務負責人文宇、深圳基本半導體首席技術(shù)官張振中、北京億華通科技研發(fā)總監(jiān)周鵬飛、深圳禾望電氣研發(fā)中心副經(jīng)理謝峰、深圳欣銳科技研發(fā)總監(jiān)張輝等產(chǎn)學研投界代表暢所欲言，為“中國第三代半導體的突破之路”建言獻策。

高端圓桌對話

為增進中國與歐洲知名院校、科研機構(gòu)、創(chuàng)新企業(yè)的國際交流，進一步推動雙方開展學術(shù)交流和科研合作，促進國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，青銅劍科技、基本半導體以及中歐創(chuàng)新中心從2017年開始，每年定期舉辦中歐第三代半導體高峰論壇。本屆高峰論壇立足于國際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，邀請國內(nèi)外知名專家學者，從全球視角探討第三代半導體行業(yè)所面臨的機遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考。

第三代半導體是全球半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱點，擁有最大的發(fā)展空間和良好的市場前景，為信息、能源、交通模塊等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了重要支撐，催生了上萬億元的潛在市場。近年來，隨著材料、器件、工藝和應用方面的一系列技術(shù)創(chuàng)新和突破，第三代半導體走到了從研發(fā)到產(chǎn)業(yè)的拐點，政府、科技界和產(chǎn)業(yè)界對其未來發(fā)展給予了很高的期望，國產(chǎn)化需求迫切。

基本半導體由清華大學、浙江大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院等國內(nèi)外知名高校博士團隊創(chuàng)立，專注于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，旗下碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋了外延制備、芯片設(shè)計、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動應用等環(huán)節(jié)。基本半導體已先后推出全電流電壓等級碳化硅二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET，以及車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達到國際先進水平。

基本半導體正不斷提速車規(guī)級碳化硅功率器件的研發(fā)。最近，一輛搭載了基本半導體碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二極管的新能源汽車，至今已累計無故障行駛120天、運行里程超過1萬公里，是企業(yè)乃至行業(yè)在堅持自主創(chuàng)新、芯片國產(chǎn)化道路上一座重要的里程碑。