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[導讀]基于格芯先進FinFET平臺的下一代高帶寬存儲器解決方案旨在為基于云的AI應用提供所需的容量、速度和功耗

臺灣新竹,2019年11月5日——格芯?(GLOBALFOUNDRIES?)和SiFive,Inc.今天在中國臺灣格芯技術大會(GTC)上宣布,他們正基于格芯最近發(fā)布的12LP+ FinFET解決方案,合作拓展配備高帶寬存儲器(HBM2E)技術的下一代高性能DRAM,同時提供2.5D封裝設計服務,賦能人工智能(AI)應用的快速上市。

為了滿足數據密集型AI訓練應用的容量和帶寬,系統(tǒng)設計師需要將更多帶寬壓縮到較小的區(qū)域中,并同時保持合理的功耗。SiFive基于格芯12LP平臺和12LP+解決方案的可定制高帶寬存儲器接口將實現(xiàn)高帶寬存儲輕松集成到單個片上系統(tǒng)(SoC)解決方案中,在計算和有線基礎設施市場中,為AI應用提供快速、節(jié)能的數據處理。

作為合作的一部分,設計人員還可以使用SiFive的RISC-V IP組合和DesignShare IP生態(tài)系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用格芯的12LP+設計技術協(xié)同優(yōu)化(DTCO),幫助他們顯著提高芯片的專業(yè)化,提高設計效率并快速、高效地交付差異化的SoC解決方案。

SiFive IP業(yè)務部門副總裁兼總經理Mohit Gupta表示:“SiFive的參考IP平臺通過采用HBM2E技術進行擴展并建立在性能出色的格芯12LP+解決方案上,可為下一代SoC和加速器提供更高水平的性能和集成。部署高度優(yōu)化的芯片需要高度可定制的功能,才能在低功耗和較小面積的需求之間實現(xiàn)平衡,并在低延遲的性能下,實現(xiàn)AI所需的更高的TOPS/毫瓦比,滿足應用的需求。”

格芯的計算和有線基礎架構戰(zhàn)略業(yè)務部(CWI SBU)首席技術官Ted Letavic表示“格芯長期致力于提供差異化的FinFET特定應用解決方案和IP,幫助客戶為AI應用開發(fā)性能增強型產品。結合格芯先進的FinFET平臺和SiFive獨特的設計方法,我們將開發(fā)獨特的高性能邊緣計算解決方案,使設計人員能夠充分利用數據爆炸的優(yōu)勢。”

格芯的12LP+是針對AI訓練和推理應用的創(chuàng)新型解決方案,可為設計人員提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM比特單元,用于在處理器與內存之間快速、節(jié)能地傳輸數據。此外,用于2.5D封裝的新中介層有助于集成高帶寬存儲器與處理器,從而實現(xiàn)快速、節(jié)能的數據處理。

格芯在紐約馬耳他的Fab 8正在開發(fā)SiFive基于格芯12LP和12LP+的HBM2E接口與定制IP解決方案??蛻艨梢栽?020年上半年開始優(yōu)化芯片設計,以針對高性能計算和邊緣AI應用開發(fā)差異化的解決方案。


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