12月13日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，芯片巨頭英特爾近幾年在工藝方面已開始被臺積電和三星甩開，10nm工藝的推出時(shí)間較臺積電晚了兩年，7nm工藝預(yù)計(jì)會晚3年，更先進(jìn)的5nm和3nm預(yù)計(jì)也會晚3年。

雖然近幾年在工藝方面落后于臺積電，但英特爾在芯片工藝方面還是有清晰的路線，未來十年的技術(shù)路線圖目前就已被披露，而為加快工藝的研發(fā)和應(yīng)用，他們也在外部挖掘尖端人才，外媒稱其目前已經(jīng)招募了格羅方德的前CTO加里·帕頓(Gary Patton)博士。

加里·帕頓在芯片工藝方面造詣頗深，此前曾任職于IBM微電子部門，負(fù)責(zé)前沿半導(dǎo)體處理技術(shù)的研發(fā)。在格羅方德2015年收購IBM的微電子制造業(yè)務(wù)之后，加里·帕頓也就加入了格羅方德，隨后擔(dān)任格羅方德的首席技術(shù)官，負(fù)責(zé)未來技術(shù)工藝的研發(fā)和相關(guān)戰(zhàn)略決策。

外媒的報(bào)道顯示，在加入英特爾之后，他將擔(dān)任公司的副總裁兼設(shè)計(jì)支持總經(jīng)理，直接向首席技術(shù)官邁克·梅伯里(Mike Mayberry)匯報(bào)。

作為英特爾的副總裁兼設(shè)計(jì)支持部門負(fù)責(zé)人，加里·帕頓將承擔(dān)起創(chuàng)建一個(gè)生態(tài)系統(tǒng)的職責(zé)，以支持特定工藝技術(shù)在產(chǎn)品中的應(yīng)用，也將領(lǐng)導(dǎo)工藝設(shè)計(jì)工具包、IP和相關(guān)工具的研發(fā)。工藝設(shè)計(jì)工具包、IP和工具及其他因素的合理組合，將確保最終產(chǎn)品在成本、性能和上市時(shí)間方面滿足要求。

加里·帕頓在格羅方德本有用武之地，他們將在14nm和12nn工藝上所獲得的利潤，投入到了7nm工藝的研發(fā)上，但由于主要股東希望收回投資，他們在去年決定停止先進(jìn)制造技術(shù)的研發(fā)，集中在盈利的14nm、12nn工藝及22FDX和12FDX等特殊的制造工藝上，避免直接同臺積電和三星競爭。

格羅方德的這一調(diào)整，導(dǎo)致包括首席技術(shù)官在內(nèi)的多位高管的角色發(fā)生重大轉(zhuǎn)變，尤其是前沿技術(shù)研發(fā)方面的人員，前沿技術(shù)研發(fā)方面的人才隨后也開始流失。

不過英特爾方面目前還未宣布加里·帕頓加盟的消息，但在格羅方德的官網(wǎng)上，目前已沒有其是高管的消息。

如果外媒報(bào)道的加里·帕頓加盟的消息屬實(shí)，其就將是英特爾近幾年從外部聘請的第4名重要技術(shù)高管。

在英特爾目前的管理層中，負(fù)責(zé)技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)及客戶部門的高級副總裁兼硅工程部門總經(jīng)理的吉姆·凱勒，此前曾在特斯拉和AMD工作，其中在AMD擔(dān)任副總裁兼首席內(nèi)核架構(gòu)師。

2017年加盟英特爾擔(dān)任高級副總裁、首席架構(gòu)師及架構(gòu)、圖形和軟件負(fù)責(zé)人的Raja M. Koduri，同樣也來自AMD，離開AMD時(shí)他是高級副總裁兼Radeon技術(shù)部門的首席架構(gòu)師。

現(xiàn)任技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶部門的總裁兼首席工程官的Murthy Renduchintala博士，2004年就加入了高通，曾擔(dān)任高通的副總裁。

除了上述幾位技術(shù)高管，英特爾現(xiàn)在的CEO羅伯特·斯萬，也是近幾年從其他公司加盟，他在2016年10月才進(jìn)入英特爾擔(dān)任首席財(cái)務(wù)官，在2018年6月時(shí)任CEO科再奇辭職之后，他被任命為臨時(shí)CEO，在今年1月份被扶正。