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eFuse應(yīng)對(duì)云應(yīng)用過(guò)流保護(hù)的挑戰(zhàn)

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們請(qǐng)私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！作者安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理PramitNandy安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理SudhamaShastri如今，新的復(fù)雜業(yè)務(wù)模型正采用基于云的平臺(tái)，通過(guò)省去內(nèi)部數(shù)據(jù)中心，以提高效率，減少資本支出（CAPEX）和運(yùn)營(yíng)...

安森美
2020-05-07

過(guò)流保護(hù) SE 保險(xiǎn)絲熱插拔
氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們請(qǐng)私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！作者安森美半導(dǎo)體策略營(yíng)銷總監(jiān)YongAng在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供...

安森美
2020-05-07

氮化鎵電源設(shè)計(jì) 高頻電源 GAN
全新系列QCS-AX2用于Wi-Fi 6E應(yīng)用

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們請(qǐng)私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，宣布新的QCS-AX2芯片組系列?已提供樣品，該系列支持基于增強(qiáng)的Wi-Fi 6E標(biāo)準(zhǔn)的6GHz頻段。新產(chǎn)品...

安森美
2020-05-07

Wi-Fi 頻段安森美半導(dǎo)體 6G
USB-C?：全套完整的AC-DC和DC-DC方案

點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們請(qǐng)私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！傳統(tǒng)上，傳統(tǒng)的USB Type-A和Micro B電纜都有指定的源和設(shè)備形狀系數(shù)。 USB- C （也稱為USB Type-C）引入了靈活性，因此電纜的兩端可以在任何方向上互換使用。具有供電 (P...

安森美
2020-05-07

AC-DC DC-DC PD USB-C
?周末隨想：BUCK變換器多層PCB熱設(shè)計(jì)技巧

實(shí)際的應(yīng)用中，很多降壓型BUCK變換器，通常要利用連接到相應(yīng)管腳的大片PCB銅皮來(lái)散熱：?jiǎn)涡酒腂UCK電源IC，主要利用IC的GND管腳，焊接到PCB的GND銅皮來(lái)散熱；部分內(nèi)部封裝分立MOSFET的BUCK電源IC，以及采用分立方案的BUCK變換器，如使用控制器驅(qū)動(dòng)分立MOSFET

松哥電源
2020-05-07

管腳 PCB板 BUCK變換器多層PCB
周末隨想，基礎(chǔ)：示波器的采樣率及存儲(chǔ)深度

示波器都具有一定的帶寬、采樣率和存儲(chǔ)深度，正確的選擇具有合適的帶寬、采樣率和存儲(chǔ)深度的示波器，才能保證波形測(cè)量的準(zhǔn)確性。例如下面的這一款采樣率2.5 GS/s 、帶寬500MHz示波器。記錄長(zhǎng)度：62.5MPoints 采樣率：1.25GS/s，單通道。帶寬：500MHz 帶寬

松哥電源
2020-05-07

帶寬示波器 5G BSP
汽車電子系統(tǒng)降壓型BUCK變換器的設(shè)計(jì)技巧

目前高頻高效的DCDC變換器在汽車電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越多。高的開關(guān)頻率可以使用較小的功率電感和輸出濾除電容，從而在整體上減小的系統(tǒng)的尺寸，提高系統(tǒng)的緊湊性，并降低系統(tǒng)的成本；高的工作效率可以提高汽車電池的使用時(shí)間，降低系統(tǒng)的功率損耗，從而減小

松哥電源
2020-05-07

汽車電子系統(tǒng) 開關(guān)頻率 BUCK變換器 BSP
周末隨想：如何實(shí)現(xiàn)-12V輸入到+5V輸出?

這樣的一個(gè)應(yīng)用：-12V的輸入，+5V的非隔離輸出，也就是負(fù)電壓輸入、正電壓輸出，應(yīng)該采用什么結(jié)構(gòu)的變換器？ ? 反激變換器可以實(shí)現(xiàn)上述的電壓變換，但要用到變壓器，如果不用變壓器，那么是否有其它的更簡(jiǎn)單的方法？ ? 電源控制IC內(nèi)部所有的電路都是以IC的地

松哥電源
2020-05-07

管腳輸出電壓 VR BSP
周末隨想：帶隙（能隙）基準(zhǔn)電壓 Band Gap

DCDC或ACDC控制器的基準(zhǔn)電壓或參考電壓也就是輸出電壓反饋管腳VFB對(duì)應(yīng)的內(nèi)部運(yùn)放的基準(zhǔn)電壓，輸出電壓通過(guò)分壓電阻連接到VFB管腳，在輸入電壓以及負(fù)載發(fā)生變化的時(shí)候，通過(guò)內(nèi)部的調(diào)節(jié)，維持輸出電壓的穩(wěn)定。如果環(huán)境溫度發(fā)生變化，輸出電壓也要穩(wěn)定，因此基準(zhǔn)

松哥電源
2020-05-07

電阻輸出電壓基準(zhǔn)電壓 AN
功率MOSFET管Rds負(fù)溫度系數(shù)對(duì)負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)影響

摘要：本文論述了功率MOSFET管導(dǎo)通電阻的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的雙重特性以及相對(duì)應(yīng)的VGS的轉(zhuǎn)折電壓，功率MOSFET管在開通和關(guān)斷時(shí)要跨越這兩個(gè)區(qū)域的工作過(guò)程。說(shuō)明了負(fù)載開關(guān)電路通過(guò)延長(zhǎng)米勒平臺(tái)的時(shí)間來(lái)限制輸入浪涌電流的工作特點(diǎn)，分析了由于米勒平臺(tái)

松哥電源
2020-05-07

溫度負(fù)載開關(guān) 功率MOSFET 開關(guān)設(shè)計(jì)
理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)

摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測(cè)量的方法，特別說(shuō)明了在實(shí)際的不同應(yīng)用中，采用不同的輸出電容的原因。諧振變換器必須采用時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)來(lái)計(jì)算死區(qū)時(shí)間

松哥電源
2020-05-07

MOSFET 數(shù)據(jù)表輸出電容功率MOSFET
功率MOSFET安全工作區(qū)，真的安全嗎？

摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中安全工作區(qū)每條曲線的含義，詳細(xì)說(shuō)明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環(huán)境溫度、最大允許結(jié)溫和功耗計(jì)算的安全工作區(qū)不能作為實(shí)際應(yīng)用中MOSFET是否安全的標(biāo)準(zhǔn)原因。特別說(shuō)明了功率MOSFET完全工作在線性區(qū)或較長(zhǎng)的時(shí)間

松哥電源
2020-05-07

工程師線性數(shù)據(jù)表功率MOSFET
超結(jié)高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關(guān)斷特性

1、功率MOSFET常規(guī)的開關(guān)特性功率MOSFET在開通的過(guò)程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由跨導(dǎo)GFS所限制的傳輸特性曲線的關(guān)系，而VDS的電壓保持不變，這一個(gè)時(shí)間區(qū)域稱為di/dt，主要由

松哥電源
2020-05-07

電壓高壓功率MOSFET ZVS
2019年全球服務(wù)器出貨量和銷售額排名

IDC發(fā)布2019年全年全球服務(wù)器市場(chǎng)數(shù)據(jù)， 2019年全球服務(wù)器出貨量和銷售額分別為1174萬(wàn)臺(tái)和873億美元，同比輕微下降0.9%和1.7%。 2019年全球服務(wù)器市場(chǎng)的銷售額前三名分別為戴爾、HPE、浪潮，戴爾銷售額同比下降6.9%，份額為17.8%，HPE銷售額下降8.4%，份額為1

松哥電源
2020-05-07

戴爾數(shù)據(jù)中心 IDC HP
基礎(chǔ)知識(shí)：功率MOSFET輸出電容為何會(huì)隨著外加電壓增加而降低？

功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個(gè)參數(shù)，讀過(guò)功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應(yīng)該注意到：輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，那么為什么會(huì)有這樣的特性？ ? 眾所周知，當(dāng)電容二端的電壓增加時(shí)，就會(huì)形成對(duì)電容的充電電流，電容二

松哥電源
2020-05-07

電壓基礎(chǔ)知識(shí) 輸出電容功率MOSFET

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理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)

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