安森美(onsemi)宣布已與英諾賽科(Innoscience)簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵(GaN)硅基工藝，以擴大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美在系統(tǒng)集成、驅(qū)動器和封裝方面的專業(yè)能力，以及英諾賽科成熟先進的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性價比、節(jié)能高效的解決方案，推動 GaN 技術(shù)普及進程。

新聞概要：

· 此次合作將擴展安森美的中低壓GaN功率產(chǎn)品組合，并在全球范圍內(nèi)擴大GaN制造規(guī)模，從而加快產(chǎn)品上市速度并推動更廣泛的應用。

· 該非約束性諒解備忘錄概述了雙方的合作，涵蓋晶圓采購及擴展合作領(lǐng)域。雙方將依托安森美的GaN功率解決方案與英諾賽科的領(lǐng)先晶圓制造技術(shù)，共同瞄準GaN功率器件市場——該市場預計到2030年將達到29億美元總體市場規(guī)模1，為雙方帶來數(shù)億美元的潛在價值。

· 該合作通過整合安森美在封裝、驅(qū)動器及系統(tǒng)集成上的專業(yè)能力，以及英諾賽科成熟先進的氮化鎵制造能力，助力安森美與英諾賽科提升客戶價值。

·兩家公司的技術(shù)結(jié)合有望為工業(yè)、汽車、電信基礎設施、消費電子和AI數(shù)據(jù)中心市場提供更小巧、更高效的GaN解決方案。

中國上海，中國蘇州，2025年12月4日—— 安森美(onsemi)與英諾賽科(Innoscience )今日宣布簽署一份諒解備忘錄(MoU)，旨在評估加速氮化鎵(GaN)功率器件部署的機遇，首先從40-200V功率器件入手，以顯著提升客戶采用率。該備忘錄概述的合作將安森美在集成系統(tǒng)和封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢與英諾賽科成熟的GaN技術(shù)和大規(guī)模量產(chǎn)能力相結(jié)合，從而為工業(yè)、汽車、電信基礎設施、消費電子和AI數(shù)據(jù)中心市場提供高性價比、高效率的GaN產(chǎn)品。

GaN 半導體器件憑借更高的開關(guān)速度、更小的尺寸和更低的能耗，能夠在更小的空間內(nèi)提供更大的功率。迄今為止，有限的產(chǎn)品供應和產(chǎn)能不足制約了GaN 在低壓和中壓領(lǐng)域的應用。通過此次合作，安森美和英諾賽科將攜手突破這些阻礙，加速實現(xiàn)更優(yōu)化的GaN 解決方案在全球主流市場的大規(guī)模部署。

? 工業(yè)領(lǐng)域：機器人電機驅(qū)動器、太陽能微型逆變器及優(yōu)化器

? 汽車領(lǐng)域：DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流

? 電信基礎設施：DC-DC轉(zhuǎn)換器與負載點轉(zhuǎn)換器

? 消費及大眾市場：電源、適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、音頻設備、輕型電動汽車、電動工具、機器人等

? AI數(shù)據(jù)中心：中間總線轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、備用電池

對于安森美的客戶而言，與英諾賽科的合作將帶來如下優(yōu)勢：

? 加快產(chǎn)品上市速度：憑借安森美的系統(tǒng)專業(yè)知識以及英諾賽科成熟的 GaN 技術(shù)和制造工藝，實現(xiàn)快速原型制作、加速設計導入，并迅速進入主流市場。

? 可擴展制造：依托安森美全球集成與封裝經(jīng)驗及英諾賽科成熟的 GaN 產(chǎn)能，實現(xiàn)真正面向大眾市場的規(guī)?；a(chǎn)，滿足大批量產(chǎn)能爬坡需求。

? 更低的系統(tǒng)成本：優(yōu)化封裝、減少元器件數(shù)量和簡化熱管理，實現(xiàn)更緊湊的設計并降低整體系統(tǒng)成本。

“隨著各行各業(yè)電力需求的增長，GaN 相比其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能耗。迄今為止，在低壓和中壓領(lǐng)域，成本和供應限制了其廣泛應用。通過與英諾賽科的合作，我們有望利用業(yè)界最大的GaN生產(chǎn)基地，迅速擴大我們面向全球客戶的GaN產(chǎn)品交付，推動在主流電力應用中的普及?！卑采榔髽I(yè)戰(zhàn)略副總裁 Antoine Jalabert表示。

“GaN技術(shù)對于改進電子產(chǎn)品、打造更小、更高效的電源系統(tǒng)，節(jié)約電力以及減少二氧化碳排放至關(guān)重要。英諾賽科很高興能與安森美探索戰(zhàn)略合作機遇，在全球范圍內(nèi)擴大和加速GaN 電源技術(shù)的應用，并依托安森美豐富的產(chǎn)品組合構(gòu)建系統(tǒng)集成平臺?！庇⒅Z賽科產(chǎn)品與工程高級副總裁孫毅表示。

完整的智能電源產(chǎn)品組合

預計到2030年，GaN將在全球功率半導體市場占據(jù)約29億美元(11%)的份額，2024-2030年期間復合年增長率預計達42%1。此次與英諾賽科的合作將進一步拓展安森美智能電源產(chǎn)品組合，該產(chǎn)品組合現(xiàn)已涵蓋硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵技術(shù)。這些技術(shù)的結(jié)合使安森美能夠為AI數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)和消費類應用提供最佳電源系統(tǒng)。這一完整的低壓和中壓產(chǎn)品組合鞏固了安森美作為領(lǐng)先的全集成電源系統(tǒng)供應商的地位，助力客戶在全球電氣化和人工智能能源需求持續(xù)激增的背景下，最大限度地提高性能和能效。