中國(guó)上海 - 2025年12月 5日--安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來(lái)突破。這款新品為電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施及儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。

安森美采用T2PAK封裝的650V和950V 最新EliteSiC MOSFET系列，將公司業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)與極具創(chuàng)新性的頂部冷卻封裝相結(jié)合。首批器件已向主要客戶發(fā)貨，安森美計(jì)劃于2025年第四季度及之后推出更多產(chǎn)品。通過(guò)在EliteSiC系列全面采用T2PAK封裝，安森美為汽車與工業(yè)客戶提供了強(qiáng)有力的全新選擇，滿足其在嚴(yán)苛高壓應(yīng)用中對(duì)效率、緊湊性和耐用性的需求。

隨著太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車充電器和工業(yè)電源等應(yīng)用對(duì)功率需求的不斷攀升，高效的熱管理已成為關(guān)鍵的工程挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)封裝方式常迫使設(shè)計(jì)人員在散熱效率與開(kāi)關(guān)性能之間做出取舍。EliteSiC T2PAK解決方案通過(guò)將熱量從印刷電路板(PCB)高效地直接傳導(dǎo)至系統(tǒng)冷卻架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了性能與散熱的雙贏，從而帶來(lái)以下優(yōu)勢(shì)：

? 卓越的熱效率，降低工作溫度

? 降低元器件應(yīng)力，延長(zhǎng)系統(tǒng)使用壽命

? 更高的功率密度，實(shí)現(xiàn)緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)

? 簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，加快產(chǎn)品上市速度

“熱管理是當(dāng)今汽車和工業(yè)市場(chǎng)中電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員面臨的最關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。這些領(lǐng)域的功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員正尋求兼具效率與可靠性的解決方案。憑借我們的EliteSiC技術(shù)和創(chuàng)新的T2PAK 頂部冷卻封裝，客戶能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的散熱性能和設(shè)計(jì)靈活性，助力其打造出在當(dāng)今競(jìng)爭(zhēng)格局中脫穎而出的新一代產(chǎn)品。”安森美碳化硅事業(yè)部副總裁兼負(fù)責(zé)人Auggie Djekic表示。

工作原理：T2PAK 頂部冷卻封裝通過(guò)將MOSFET與散熱片直接熱耦合，在散熱和開(kāi)關(guān)性能之間實(shí)現(xiàn)了極佳平衡。該設(shè)計(jì)最大限度降低了結(jié)點(diǎn)至散熱片的熱阻，并支持多種導(dǎo)通電阻Rds(on) 選項(xiàng)(12mΩ - 60mΩ)，從而提升設(shè)計(jì)靈活性。關(guān)鍵技術(shù)亮點(diǎn)包括：

? 通過(guò)將熱量直接傳導(dǎo)至系統(tǒng)散熱片，規(guī)避了PCB的散熱限制，實(shí)現(xiàn)卓越的散熱性能

? 保持低雜散電感，實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度并降低能耗

? 兼具TO-247和D2PAK封裝優(yōu)勢(shì)，且無(wú)明顯缺陷

憑借EliteSiC在T2PAK頂部冷卻封裝中卓越的性能指標(biāo)，設(shè)計(jì)人員能夠打造出更緊湊、散熱性能更好、且更高效率的系統(tǒng)。