神操作！如何快速讀寫MCU內(nèi)部flash？
時(shí)間：2025-12-07 19:50:58
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一、芯片F(xiàn)LASH容量分類：
可以看到我們今天介紹的這款芯片的flash大小是64K的，網(wǎng)上也有人說它可以支持到128K，但是官方給出的解釋是前64K是有保證的，后面的無法保證，所以想要使用的小伙伴需要慎重。
現(xiàn)在芯片的flash大小我們知道了，下面就可以看看這個(gè)flash是怎么劃分的了，通過芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)，我們能看到今天說的STM32F103C8T6是屬于中等容量的設(shè)備。
既然是中等容量的設(shè)備了，那我們就來看看flash劃分吧，在STM32的閃存編程手冊(cè)中有這樣一段話：按照不同容量，存儲(chǔ)器組織成：
32個(gè)1K字節(jié)/頁(小容量)128個(gè)1K字節(jié)/頁(中容量)256個(gè)2K字節(jié)/頁(大容量)
這段話怎么理解呢，就是告訴我們小容量的設(shè)備（內(nèi)存是6K和32K）的設(shè)備是由1K字節(jié)每頁組成的。
中容量的設(shè)備（內(nèi)存是64K和128K）的設(shè)備是由1K字節(jié)每頁組成的。大容量的設(shè)備（內(nèi)存是256K、384K和512K）的設(shè)備是由2K字節(jié)每頁組成的。
舉個(gè)例子吧：
一個(gè)芯片的存儲(chǔ)容量是64K，這64K是什么呢，就是64*1024個(gè)BYTE，一個(gè)BYTE是由8位0或1組成的，（比如0000 1111 這8個(gè)二進(jìn)制數(shù)組成了一個(gè)字節(jié)，用十進(jìn)制來說就是15）
小結(jié)一下：64K的flash可以存儲(chǔ)64*1024個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。
咱們繼續(xù)說，這64K的數(shù)據(jù)怎么劃分，存儲(chǔ)是按照頁為單位進(jìn)行存儲(chǔ)的，一頁1K的容量，也就說一頁可以存儲(chǔ)1024個(gè)字節(jié)。
一共是多少頁？
答案是：64頁，我們看一下官方是不是這么說的。
在閃存編程手冊(cè)里確實(shí)是這么說的，所以我們剛才說是64頁是正確的
二、 讀寫步驟：
上面我們知道了芯片是怎么分類的，下面我們就重點(diǎn)來講解一下芯片是怎么讀寫的。
內(nèi)部flash我們參照HAL庫或者標(biāo)準(zhǔn)庫，直接調(diào)用ST公司給我們封裝好的庫進(jìn)行編程就可以了，這里我用的是標(biāo)準(zhǔn)庫，有興趣的小伙伴可以去看看HAL庫。
是不是有小伙伴會(huì)疑問什么是標(biāo)準(zhǔn)庫，什么是HAL庫？
在這里給大家解釋一下，這兩個(gè)庫都是ST公司，直接把寄存器封裝成函數(shù)，供大家直接調(diào)用某一個(gè)函數(shù)，就可以完成各種寄存器的配置，不容大家直面芯片的寄存器，方便閱讀和使用，因?yàn)槊總€(gè)函數(shù)的名稱功能都是不一樣的，在調(diào)用前可以參考函數(shù)的注釋，在F0和F4的標(biāo)準(zhǔn)庫里甚至有每個(gè)函數(shù)的用法，不知道為什么在F1的庫里把使用步驟去掉了。
咱們繼續(xù)，讀寫的話庫函數(shù)分為：
/*------------ Functions used for all STM32F10x devices -----*/void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);void FLASH_Unlock(void);void FLASH_Lock(void);FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void); FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);/*------------ New function used for all STM32F10x devices -----*/void FLASH_UnlockBank1(void);void FLASH_LockBank1(void);FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Pages(void);FLASH_Status FLASH_GetBank1Status(void);FLASH_Status FLASH_WaitForLastBank1Operation(uint32_t Timeout);
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